- Details
- Hits: 1378
Власенко А.И., Гнатюк В.А., Городниченко Е.С., Мозоль П.Е. // ФТТ.- 2000.- т.34, №7. - С.1187-1192.
 |
V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics NAS of Ukraine
National Academy of Sciences of Ukraine |
Search
You are here: Home 
Semiconductor material Department of Physics detectors and nonequilibrium processes in complex semiconductors Publications dep04 dep-04-before Влияние уровня возбуждения и электрического поля на релаксацию фотопроводимости поликристаллических слоев CdxHg1‑xTe/GaAs
Semiconductor material Department of Physics detectors and nonequilibrium processes in complex semiconductors Publications dep04 dep-04-before Влияние уровня возбуждения и электрического поля на релаксацию фотопроводимости поликристаллических слоев CdxHg1‑xTe/GaAs