V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics NAS of Ukraine
National Academy of Sciences of Ukraine

Search

Department of Physics and technological bases of sensory materials

1 

Head of Department

ст. наук. співр., д. т. наук,

Маслов Володимир Петрович
Тел. 525-58-30,

ел. пошта: This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.

Staff

 2

Ушенін  Юрій  Валентинович
ст.наук.співр., керівник наукової групи №1
тел. 525-31-23

 3

Самойлов  Антон  Володимирович
ст. наук.співр., канд. фіз.-мат. наук
тел. 525-58-30
 4  Христосенко  Роман  Васильович
наук.співр., технічна підтримка
тел. 525-58-30
 5 Ляпін  Олександр  Михайлович
мол.наук.співр., технічна підтримка
тел. 525-58-30
 6 Дорожинський  Гліб Вячеславович
аспірант, технічна підтримка
тел. 525-58-30
 
 7
Глинчук Костянтин Давидович
головн.наук.співр., д. ф.-м. наук, професор
керівник наукової групи №2
тел. 525-50-98, ел. пошта: This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.
 9 Стрільчук  Оксана Миколаївна
ст.наук.співр., канд. фіз.-мат. наук
тел. 525-50-98, ел. пошта: This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.

 10

 

Ляпіна Алла Борисівна
мол. наук. співр.
тел. 525-13-66, ел. пошта: This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.
 11 Воробкало  Федір Михайлович
ст.наук.співр., канд. фіз.-мат. наук
тел. 525-50-98, ел. пошта: This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.
 12 Ліптуга  Анатолій  Іванович
завідувач лабораторії, канд. фіз.-мат. наук
керівник наукової групи №3
тел. 525-63-61, ел. пошта: This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.

 13

 

Кислий Володимир Павлович
ст. наук.співр., канд. фіз.-мат. наук
тел. 525-63-61
 20 Мороженко Василь Олександрович
ст. наук.співр., канд. фіз.-мат. наук
тел. 525-63-61, ел. пошта: This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.
 14 Орєшко Євген Вікторович
ст. наук.співр., канд. фіз.-мат. наук
тел. 525-63-61, ел. пошта: This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.                   
 15 Серьожкін Юрій Георгійович
наук.співр.
тел. 525-63-61, ел. пошта: This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.
 16 Качур Наталія Володимирівна
мол. наук. співр.
тел. 525-58-30
 1333 Андросюк Галина Миколаївна
мол. наук. співр.
тел. 525-58-30

Research

Основні напрямки наукової і науково-технічної діяльності відділу:

Наукова група №1: Високочутлива рефрактометрія на основі поверхневого плазмонного резонансу
1. Теоретичні та експериментальні дослідження закономірностей впливу конструкторсько –технологічних факторів на чутливість та точність сенсорних пристроїв на основі поверхневого плазмонного резонансу (ППР);
2. Розроблення та створення сенсорних пристроїв на основі ППР для їх використання як для наукових досліджень, так і в медицині, харчовій, хімічній, фармацевтичній промисловості, сільському господарстві та екології  як високочутливих сенсорів токсичних та отруйних речовин, вірусів, бактерій, пухлин, отруйних газів в повітрі, аналізу якості питної води та ін.;
3. Разом з медичними та науково-медичними закладами України розробка та створення спеціалізованих ППР приладів та методик їх використання для діагностування онкологічних, імунологічних та інших захворювань людини.
4. Розробка нових методів та методик виготовлення та функціоналізації чутливих чипів для ППР сенсорів.
5. Розроблення та створення допоміжних пристроїв та устаткування для підвищення прецизійності, зручності та надійності експлуатації ППР приладів;
6. Пошук нових можливостей застосування сенсорних пристроїв на основі ППР.

Наукова група №2: Дослідження рекомбінаційних явищ  в атомарних та  інтерметалічних напівпровідниках
Основний науковий напрямок досліджень групи №2 – вивчення нерівноважних процесів в атомарних та інтерметалічних напівпровідниках (кремнії, напівпровідниках груп А2В6 і А3В5 та їх потрійних сполук ) та впливу різноманітних локальних центрів на їх перебіг.
1. Дослідження впливу легування, пластичної деформації, опромінення, прогріву на поведінку глибоких центрів у кремнії, арсеніді галію та інших сполуках типу А3В5;
2. Дослідження рекомбінаційних властивостей термодефектів та кисневих комплексів в кремнії;
3. Дослідженння дислокаційної фотолюмінесценції (0.5-1.2 еВ) в одновісно пластично деформованому слабо легованому кремнії при зміні різних параметрів: ступеня деформації, легування донорами або акцепторами, відсутністю або наявністю кисню ;
4. Дослідження люмінесцентних властивостей арсеніду галію, детальне вивчення низькотемпературної (T = 4.2 K) екситонної фотолюмінесценції арсеніду галію;
5. Дослідження матеріалів, перспективних для створення детекторів іонізуючого випромінювання (CdTe, CdZnTe);
6. Дослідження впливу потужного лазерного випромінювання та -опромінення на фотолюмінесцентні характеристики потрійних сполук Cd0.9Zn0.1Te.

Наукова група №3: Лабораторія резонаторних джерел інфрачервоного випромінювання
1. Дослідження когерентного теплового випромінювання напівпровідникових резонаторних структур:

  • експериментальні та теоретичні дослідження спектральних та азимутальних характеристик когерентного теплового випромінювання простих одношарових і складних багатошарових планарних  напівпровідникових резонаторних структур;
  • експериментальні та теоретичні дослідження впливу зовнішніх чинників (магнітне поле, електричне поле, тиск, тощо) на параметри когерентного теплового випромінювання напівпровідникових резонаторних структур;
  • експериментальні та теоретичні дослідження спектрів та кутового розподілу когерентного теплового випромінювання та негативної люмінесценції планарних резонаторных структур з оптично тонкими активними напівпровідниковими шарами;
  • розробка методів управління когерентним тепловим випромінюванням резонаторних структур;
  • розробка фізико-технічних основ створення джерел когерентного теплового випромінювання з керованими спектральними та просторовими характеристиками;
  • експериментальні та теоретичні дослідження взаємодії інфрачервоного випромінювання з напівпровідниковими та діелектричними резонаторними системами.

2. Розроблення та створення:

  • малогабаритної лазерної установки середньої потужності для точкового зварювання;
  • лазерної системи для проекційного швидкісного мікромаркування;
  • лазерних приладів для контролю параметрів нанопереміщень поверхонь  фізичних та біологічних об'єктів;
  • апаратури безконтактного контролю розподілу температури у високотемпературних технологічних процесах;
  • системи моніторингу парникових газів в атмосфері землі.


Наукова група №4: Інноваційних технологій та неруйнівного контролю

1. Нанотехнології з’єднання (клейові та без клейові) прецизійних деталей оптико-електронних сенсорних приладів.
2. Оптичні методи неруйнівного контролю деталей оптико-електронних приладів.
3. Дослідження ефективності наукових розробок та проектів.
4. Логістичний підхід до трансферу наукових досягнень.

Achievements

Найбільш вагомі наукові і науково-технічні результати:

Наукова група №1: Високочутлива рефрактометрія на основі поверхневого плазмонного резонансу

Фундаментальні дослідження явищ, в яких проявляється поверхневий плазмонний (плазмон - поляритонний) резонанс, проводилися в ІФН НАНУ задовго до початку розробки біосенсорів на його основі і включали вивчення методами спектроскопії поверхневих поляритонів (ПП) тонких плівок на поверхні напівпровідників і діелектриків, двовимірних структур і надграток, слабких поляритонних збуджень, що резонують з ПП, нелінійних властивостей різних середовищ в приповерхневій області та ін, а також застосування ПП в різних пристроях твердотільної оптоелектроніки.
      Експериментальні дослідження прикладних аспектів побудови біосенсорів, заснованих на різних фізичних ефектах, включаючи поверхневий плазмонний резонанс, були розгорнуті на початку 90-х років у відділі, очолюваному в той час доктором фізико - математичних наук, професором Ю.М. Ширшовим.
Конструктивно завершена модель спектрометра ППР, придатна для експлуатації в умовах лабораторій біохімічного та біофізичного профілю, була розроблена в ІФН як частина міжнародного проекту, що виконується в рамках програми INCO - Copernicus. До роботи над цим проектом були залучені висококваліфіковані фізики, програмісти та приладобудівники, що склали згодом ядро науково - виробничої групи, що продовжує подальший розвиток спектроскопії ППР і її застосувань у наукових дослідженнях.
      Створений в ході виконання проекту прилад ліг в основу модельного ряду спектрометрів ППР серії "Плазмон", відмінною особливістю яких є відкритий дизайн і модульний принцип побудови. Це дає можливість легко адаптувати прилади шляхом установки відповідних змінних елементів і додаткових пристроїв для проведення досліджень у різних галузях : аналізу біомолекулярних взаємодій, гетерофазних хімічних реакцій та поверхневої адсорбції в рідкому і газоподібному середовищах, вивчення електрохімічних процесів та інших. Розвинуте програмне забезпечення дозволяє реалізувати в залежності від поставленого завдання різні режими вимірів: повну реєстрацію резонансної кривої, автоматичне вимірювання кінетичних залежностей, спільну синхронну запис даних поверхневого плазмонного резонансу і сигналу від іншого вимірювального приладу. На сьогоднішній день розроблені та виготовляються двоканальні прилади "Плазмон-6", "Плазмон7", "Плазмон71" та 8-ми канальний "Плазмон8". Розроблені також компактні версії приладів, призначені для автономної роботи в польових умовах.

Наукова група №2: Дослідження рекомбінаційних явищ  в атомарних та  інтерметалічних напівпровідниках

1. Вперше отримані дані про взаємодію глибоких центрів з дефектами, створеними зовнішніми чинниками, визначено найважливіші рекомбінаційні параметри (енергетика, перерізи  захоплення електронів та дірок, механізму рекомбінації, схему електронних переходів) багатьох електрично активних домішок, а також структурних дефектів та різноманітних комплексів, що дозволило створити загальну картину перебігу нерівноважних процесів на глибоких центрах;.
2. В результаті досліджень рекомбінаційних властивостей термодефектів та кисневих комплексів в кремнії отримані нові дані про структуру та характеристики цих комплексів, детально розглянута статистика рекомбінації на них, вплив термообробки при різних температурах на їх концентрацію та час життя носіїв струму, що визначається цими комплексами, встановлені причини термічної нестабільності кремнію;
3. Встановлена  гетеруюча дія атомів вуглецю на зниження часу життя носіїв струму в кремнії, завдяки чому в термооброблених кристалах кремнію, що містять вуглець, спостерігаються досить високі часи життя носіїв струму;
4. Вперше виявлено зумовлений структурною перебудовою взаємозв'язок між залежностями максимуму смуги дислокаційної фотолюмінесценції та парамагнітної складової намагніченості від ступеня деформації в кисневмісному кремнії;
5. Вперше встановлена природа ряду глибоких центрів арсеніду галію, детально вивчено вплив  термообробок, деформацій та структурної недосконалості на спектри фотолюмінесценції кристалів арсеніду галію, вплив електронного, протонного та нейтронного опромінення та наступних відпалів на їх фотолюмінесценцію. Виявлені нові дефектні центри люмінесценції, з’ясована їх природа, структура та кінетика утворення, взаємодія з атомами міді і антиструктурними EL2 дефектами, визначені коефіцієнти дифузії деяких домішок та радіаційно-створених дефектів;
6. Встановлено вплив нестехіометрії та атомів вуглецю на люмінесцентні характеристики кристалів арсеніду галію та участь нестехіометричних дефектів у рекомбінаційних процесах;
7. Детальне вивчення низькотемпературної (T = 4.2 K) екситонної фотолюмінесценції кристалів арсеніду галію дозволило уточнити статистику екситонної рекомбінації та визначити  імовірність зв’язування вільних екситонів мілкими акцепторами та донорами;
8. Встановлена пряма кореляційна залежність між спектрами низькотемпературної фотолюмінесценції легованих та нелегованих кристалів CdZnTe та енергетичною роздільною здатністю детекторів -випромінювання, виготовлених з цих кристалів;
9. Встановлено, що гама-опромінення кристалів Cd1-xZnxTe приводить до зміни концентрацій випромінювальних центрів, перетворення старих центрів, формування та введення нових центрів випромінювальної та безвипромінювальної рекомбінацій, що пов’язано зі створенням вакансій кадмію та інших дефектів гратки.
10. Встановлено, що попередня обробка γ-опромінених кристалів Cd1-xZnxTe потужним лазерним випромінюванням призводить до суттєвого зменшення інтенсивностей радіаційно стимульованих смуг люмінесценції, що пов’язане з особливостями взаємодії радіаційних та лазерно-стимульованих дефектів.


Наукова група №3: Лабораторія резонаторних джерел інфрачервоного випромінювання

1. Проведено теоретичні та експериментальні дослідження теплового випромінювання (ТВ) напівпрозорих плоскопаралельних напівпровідникових пластин і шарів. Вперше показано, що в ТВ таких систем (одношарових та багатошарових) проявляється антенний ефект, - пелюсткова діаграма направленості випромінювання та гострі спектральні піки, що свідчить про прояв когерентних властивостей ТВ. Ці особливості обумовлені резонаторними властивостями плоскопаралельних об'єктів, в яких виникає багатопроменева інтерференція. При високих значеннях коефіцієнту відбивання пластини напівширина спектрального піка випромінювання може становити 0.01 мкм (в області спектра 8 - 10 мкм), а ширина пелюсток - менше 1 градуса. Інтенсивність ТВ в спектральних діапазонах, що відповідають максимумам інтерференції плоскопаралельної пластини може суттєво перевищувати інтенсивність випромінювання ідентичної неплоскопаралельної пластини і досягати інтенсивності випромінювання чорного тіла. Отримані результати дозволили розробити і запатентувати ефективні джерела ІЧ-випромінювання з керованими параметрами.
2. Виявлено, теоретично та експериментально досліджено новий магнітооптичний ефект - низькочастотна амплітудна модуляція спектра когерентного ТВ напівпровідникових шарів у зовнішньому магнітному полі. Ефект спостерігається в умовах анізотропії діелектричної проникності напівпровідника, створеної магнітним полем. Показано, що в конфігурації Фарадея спектр ТВ плоскопаралельного шару є сумою двох осцилюючих спектрів, один з яких відповідає поширенню хвиль з правою, а інший - з лівою циркулярною поляризацією. Досліджено аналогічний ефект, коли анізотропія діелектричної проникності напівпровідника створюється одновісним стисненням кристала. На підставі проведених досліджень запропоновано метод вимірювання параметрів напівпровідників.
 3. Вперше досліджено спектри і кутовий розподіл негативної люмінесценції планарних резонаторних структур з оптично тонким активним напівпровідниковим шаром. Показано, що в максимумах інтерференційних піків ефективність негативної люмінесценції таких структур може бути близькою до одиниці. Цим резонаторні структури вигідно відрізняються від відомих оптично тонких нерезонаторних структур, де неможливо досягти високої ефективності негативної люмінесценції. Внаслідок резонаторних властивостей структури в діаграмі направленості її негативної люмінесценції проявляється антенний ефект. Напрямки максимального поглинання зовнішнього фонового випромінювання для фіксованих довжин хвиль можуть відповідати нормальному падінню або ж утворювати коаксіальні конуси, вісі яких перпендикулярні до поверхні структури. Кількість пелюсток у діаграмі направленості, їх направленість і ширини визначаються параметрами структури. Результати роботи можуть бути використані для створення нових джерел негативної люмінесценції з великою густина випромінювання на певних довжинах хвиль, а також джерел із заданою діаграмою направленості.

Наукова група №4: Інноваційних технологій та неруйнівного контролю

1. Розроблено за фінансової підтримки УНТЦ (проект №3045, 2003-2006 рр.) нанотехнологію безклейового з’єднання прецизійних деталей зі склокристалічних наноматеріалів з практично нульовим коефіцієнтом лінійного розширення (ZERODUR, фірма Schott, Німеччина).
2. За Державним замовленням 2011-2012 рр. (замовник – Державне агентство з питань науки, інновацій та інформатизації України) розроблено наноклейові композиції та технології з’єднання прецизійних деталей у приладобудуванні, які забезпечують наперед задані фізико-механічні властивості клейового шва, наприклад, теплопровідність, міцність з’єднання, інш.
3. В рамках Державної цільової науково-технічної програми розроблення і створення сенсорних наукоємних продуктів на 2008-2012 роки проведено дослідження діагностичних методів і устаткування для контролю інфрачервоних матеріалів електронної техніки. На прикладі монокристалічних зразків германію та сапфіру були розроблені способи їх контролю з використанням поляризаційних, спектральних, тепловізійних методів та ефекту розсіювання оптичного випромінювання на структурних  дефектах та домішках.
4. Розроблено в рамках виконання інноваційного проекту 2012 р. (замовник – Президія НАН України) технології визначення стану конструкцій та систем авіаційної техніки методами неруйнівного контролю за допомогою додавання у фарбу оптично активних домішок.
Роботу продовжено у 2013 р. на замовлення ДП «Антонов» з метою розробленням та впровадженням неруйнівного оптичного методу контролю авіаційного скління.
5. Розроблено інноваційний логістичний підхід до трансферу технологій. Спільно з Інститутом фізики НАН України створено віртуальний офіс трансферу технологій.

Developments

Найбільш вагомі науково-технічні розробки:

Наукова група №1: Високочутлива рефрактометрія на основі поверхневого плазмонного резонансу

1

Портативний одноканальний автономний ППР спектрометр «Лейкоплазм-2»

2

Портативний одноканальний ППР спектрометр «Плазмон-5»

3

Портативний двоканальний ППР спектрометр «Плазмон-6»

4

Портативний двоканальний ППР спектрометр «Плазмон-7»

5

Портативний двоканальний ППР спектрометр «Плазмон-71»

6

Портативний 8-миканальний ППР спектрометр «Плазмон-8»

7

Портативний перистальтичний 8-ми канальний насос «Plasmon-Pump-8»

8

Термобокс для портативних спектрометрів серії «Плазмон».

Наукова група №2: Дослідження рекомбінаційних явищ  в атомарних та  інтерметалічних напівпровідниках

  1.  Розроблено неруйнівний метод визначення концентрації мілких домішок в напівізолюючому GaAs по спектрам крайової люмінесценції та  отримано калібровочні залежності, що дозволяють визначати їх вміст в кристалах напівізолюючого GaAs;
    2.    Розроблено методику відбору кристалів Cd1-xZnxTe, придатних для створення на їх основі високоякісних детекторів іонізуючого випромінювання.

Наукова група №3: Лабораторія резонаторних джерел інфрачервоного випромінювання

  1. Малогабаритна лазерна установка середньої потужності для точкового зварювання9
  2. Лазерна система для проекційного швидкісного мікромаркування10
  3. Лазерний вимірювач  параметрів нанопереміщень поверхонь  фізичних та біологічних об'єктів11
  4. Апаратура безконтактного контролю розподілу температури у високотемпературнихтехнологічних процесах12
  5. Система моніторингу парникових газів в атмосфері землі13

Equipments

Обладнання та установки:

Наукова група №1: Високочутлива рефрактометрія на основі поверхневого плазмонного резонансу

1

Вакуумні установки типу ВУП-5А

  2

Муфельна піч SNOL TermoPro 601
Tmax = 1100 oC

3

Піч для відпалу зразків Memmert
Tmax = 220 oC

4

Спектрофотометр СФ-46

  Додаткове обладнання:
  1.    Дистилятор ЕД-5;
  2.    Прецезійні ваги ВЛР-20Г;
  3.    Компресор УК-40-2М;
  4.    Оптичний мікроскоп МИМ-7;
  5.    Гоніометр Г-5;
  6.    Гоніометр Г-5М.

Наукова група №2: Дослідження рекомбінаційних явищ  в атомарних та  інтерметалічних напівпровідниках

Установка для контролю вмісту домішок і дефектів та їх локального розподілу в напівпровідниках А3В5 та А2В6 люмінесцентним методом.
Призначення: контроль типу, вмісту та розподілу легкоіонізованих домішок та дефектів люмінесцентним методом в напівпровідниках  А3В5 і А2В6.

5 

6

Наукова група №3: Лабораторія резонаторних джерел інфрачервоного випромінювання

7 

8

9

Projects


Наукова група №1: Високочутлива рефрактометрія на основі поверхневого плазмонного резонансу:
2005р.
1. Проект 1.1.27 "Модифікація оптоелектронних аналізаторів імунного складу біологічних рідин та контролю взаємодій біологічних молекул з метою підвищення чутливості та інформативності".
Шифр “Іммунітет”
Програма "Розробка технологій та організація виробництва напівпровідникових мікросенсорів, електронних приладів та систем на їх основі для екологічного моніторингу та енергозбереження”.
2. Тема 51. „Розробка фізичних і фізико-технологічних засад створення сенсорів та сенсорних масивів для моніторингу довкілля на основі досліджень електронних та іонних процесів в напівпровідникових матеріалах і структурах”
2006р.
3. Проект 3.16/27  “Розробка панорамної системи біосенсорів для масових досліджень дії фармацевтичних препаратів на людський організм.”
4. Проект 3.24/27 “ Розробка автоматизованої біосенсорної системи діагностики вірусних захворювань великої рогатої худоби.”
2007-2014рр.
5. Тема 51. Програма “Сенсорні системи для медико-екологічних та промислово-технологічних потреб“
Проект “Аналітичні прилади на основі поверхневого плазмонного резонансу для широкого застосування в ветеринарії, медицині, біологічних дослідженнях”
2008-2012рр.
6. Проект 1.3.4/27 Розроблення і створення сенсорних систем біоплазм для  діагностики, лікування та профілактики серцево-судинних,  інфекційних та нейрологічних хвороб
Державна цільова науково-технічна програма  розроблення і створення  сенсорних наукоємних продуктів на 2008—2012 роки.
7. Проект 1.3.7/27 „Розроблення і створення аналітичних систем експрес-діагностики в біотехнології та ветеринарії”
Державна цільова науково-технічна програма  розроблення і створення  сенсорних наукоємних продуктів на 2008—2012 роки.
2007-2009рр.
8. Project no. 044515 “Rapid SPR for parallel detection of pathogens in blood”
Start date of project: 01.01.2007    Duration: 3.5 years

2008-2017рр.
Державна цільова науково-технічна програма розроблення і створення сенсорних наукоємних продуктів на 2008-2017 роки.  
Проект 3.7/27 Розроблення і створення  аналітичних систем експрес-діагностики в біотехнології та ветеринарії і забезпечення впровадження у виробництво високочутливого біосенсора діагностики захворювань великої рогатої худоби та птиці на лейкоз і туберкульоз безпосередньо у сільських господарствах.
Проект 3.4/27 Розроблення і створення сенсорних систем біоплазм для діагностики, лікування та профілактики серцево-судинних, інфекційних і нейрологічних хвороб та забезпечення впровадження у виробництво портативного аналізатора плазми крові для експрес-аналізу системи кровообігу на початкових стадіях захворювань людини.

Наукова група №2: Дослідження рекомбінаційних явищ  в атомарних та  інтерметалічних напівпровідниках:
1. Проект 2.1.10 "Розроблення і створення комплексу експресного  контролю параметрів матеріалів для детекторів іонізуючого випромінювання"
Державна цільової науково-технічної програми розробка і створення сенсорних наукоємних продуктів на 2008 – 2017 роки
2. Тема ІІІ-8-11 „Розробка фізичних і фізико-технологічних засад створення сенсорів та сенсорних масивів для моніторингу довкілля на основі досліджень електронних та іонних процесів в напівпровідникових матеріалах і структурах”(2011-2015).
3. Тема №:ІІІ-41-12  “Фізичні та фізико-технологічні аспекти створення сучасних напівпровідникових матеріалів і функціональних структур для нано- і оптоелектроніки” (2012-2016 р.р.) Назва підрозділу: “ Вивчення впливу екстремальних зовнішніх факторів на властивості нанорозмірних структур та наноструктурованих матеріалів з метою прогнозування їх надійності ”.
4. Тема ІІІ-8-06 “ Розробка нових підходів для створення перспективних наноструктурованих матеріалів, технологічних та аналітичних багатофункціональних систем на основі напівпровідникових та органічних сполук” (2006-2010 р.р.).
5. Тема ІІІ-41-07  “Фізичні та фізико-технологічні аспекти створення і характеризації напівпровідникових матеріалів і функціональних структур сучасної електроніки” (2008-2011 р.р.).
6. Тема №8  “Механізми впливу технології отримання і зовнішніх факторів на властивості напівпровідникових структур і функціональних елементів сенсорних систем на їх основі” (2003-2005 р.р.).
7. Проект 2.16.27  “Розробка люмінесцентної методики контролю локального розподілу домішок і дефектів та їх впливу на властивості в складних сполуках А3В5 та А2В6” Науково-технічна програма Мінекономіки "Розробка  науково-технічних методів, засобів і автоматизованих систем контролю параметрів напівпровідникових матеріалів, структур і приладів" (2000-2005 р.р.).
8. Бюджетна тема  № 8 “ Фізичні та фізико-технічні основи створення напівпровідникових матеріалів і функціональних елементів для систем сенсорної електроніки” (2001-2002 р.р.)
9. Бюджетна тема  “Комплексні дослідження впливу між дефектної взаємодії в кристалах   Si, Ge, GaAs, КРТ і МРТ на кінетику електронних процесів в термодинамічно рівноважних і нерівноважних умовах  ” (1994-1999 р.р.)

Наукова група №3: Лабораторія резонаторних джерел інфрачервоного випромінювання:
2008 – 2012 рр.
1. 1.4.11/27 - Розроблення і створення апаратури  безконтактного контролю розподілу температури у високотемпературних технологічних процесах.
2. 1.4.12/27 - Розроблення і створення  системи моніторингу парникових газів в атмосфері землі.
3. 1.4.8/27 - Розроблення і створення лазерних приладів для контролю параметрів нано- та мікропереміщень поверхонь механічних і біологічних об'єктів
4. 1.4.13/27 -  Розроблення і створення проекційної лазерної системи швидкісного мікромаркування

2006 – 2010 рр.
5. ІІІ-8-06  - Розробка нових підходів для створення перспективних наноструктурованих матеріалів, технологічних та аналітичних багатофункціональних систем на основі напівпровідникових та органічних сполук.
2009 – 2011 рр.
6. ІІІ-10-09 - Розробка нових принципів, методів і засобів одержання, дослідження і характеризації напівпровідникових матеріалів і структур, створення елементної бази перспективної напівпровідникової електронної техніки, в т. ч. на основі нових фізичних явищ. Підрозділ 8.6 - Розробка та створення вуэькосмугового керованого джерела випромінювання на середній інфрачервоний діапазон.
2011-2015 рр
7. ІІІ-8-11 - Нові технології виготовлення матеріалів і наноструктур, комплексні дослідження їх фундаментальних властивостей та створення новітніх елементів сенсорної техніки.
2012 – 2014 рр.
8. III-10-12 - Розробка методики контролю оптомеханічних параметрів лазерної абляції за допомогою лазерного гетеродинного приймача розсіяного випромінювання

Наукова група №4: Інноваційних технологій та неруйнівного контролю

2008-2012 рр.
2.1.7- Розроблення і створення діагностичних методів і устаткування для контролю інфрачервоних матеріалів електронної техніки
2010-2013 рр.
143/18-10 - Створення інноваційного середовища для комерціалізації та трансферу нанотехнологій у бізнес в Україні
1806-12 - Моніторинг комерційної привабливості розробок, створених під час виконання Державної цільової науково-технічної програми «Нанотехнології та наноматеріали»
12/07 - Вибір найбільш комерційно привабливих розробок, створених за Державною цільовою науково-технічною програмою «Нанотехнології та наноматеріали» для представлення їх на Технологічній зустрічі «Нанотехнології та наноматеріали для бізнесу та виробничої сфери» 2011-2012 рр.
ДЗ/478-2011 - Розроблення та впровадження наноклейових композицій та технологій з’єднання прецизійних деталей у приладобудуванні
2012 р.
12 - Розроблення і впровадження засобів та технологій визначення стану конструкцій та систем авіаційної техніки методами неруйнівного контролю
2013 р.
07 – 253 – 13 - Розробка методики для неруйнівного контролю та виготовлення і поставка комплекту обладнання, що дозволяє відрізнити авіаційне орієнтоване скло (АО 120) від неорієнтованого (СО 120)
1776 - Розробка алгоритмів для покращення зображень в інфрачервоному діапазоні

Publications

2017