V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics NAS of Ukraine
National Academy of Sciences of Ukraine

Search

Effect of Active Actions on the Properties of Semiconductor Materials and Structures

Вид видання: Монографія
Рубрика: Технічні науки
Мова видання: Англійська
   
Посилання: Effect of Active Actions on the Properties of Semiconductor Materials and
Structures / E.D.Atanassova, A.E. Belyaev, R.V. Konakova, P.M. Lytvyn, V.V.
Milenin, V.F. Mitin, V.V. Shynkarenko – Kharkiv: NTC “Institute for Single
Crystals”, 2007.– 216 p.
ISBN 966-02-2555-5 ;
Download: KonakovaActiveActions.pdf (3.9 MB)
 EfActAct

The monograph deals with the physico-technological aspects of interaction of microwave radiation with semiconductor materials and device structures made on their basis. The effect of active actions (microwave treatment, 60Со γ-irradiation and rapid thermal annealing) on the processes of structural relaxation in the ТіВ2–GaAs (InP, GaP, SiC) contacts is considered. An analysis is made of the features of the effect of microwave and 60Со γ-radiation on the electrical characteristics of resonant tunneling diodes made on the basis of AlGaAs–GaAs heterojunctions, as well as gallium arsenide tunnel diodes with a delta-layer in the space-charge region. The experimental data on the effect of microwave radiation on defect modification in the SiO2–GaAs (SiC) structures are presented. The effects in the nanocrystalline silicon–silicon systems induced by microwave radiation are considered. Much space is given to the effects produced by microwave and 60Со γ-irradiation in the Та2О5–Si structures, depending on the conditions of Та2О5 formation. The monograph is intended for researchers and those engaged in development of microwave devices. It may be of use also to post-graduates and undergraduates specializing in the corresponding areas.


В монографії розглянуті фізико-технологічні аспекти взаємодії НВЧ ви-промінювання з напівпровідниковими матеріалами та приладовими структу-рами на їх основі. Показано вплив активних обробок (НВЧ обробка, γ-опромінювання 60Со і швидкий термічний відпал) на процеси структурної релаксації в контактах TiB2-GaAs (InP, GaP, SiC). Проаналізовані особливо-сті впливу НВЧ і γ-випромінювання 60Со на електричні характеристики резонансно-тунельних діодів на основі гетеропереходів AlGaAs—GaAs і арсенідгалієвих тунельних діодів з дельта-шаром в області просторового заряду. Наведені експериментальні дані з впливу НВЧ випромінювання на модифікацію дефектів в структурах SiO2-GaAs (SiC). Розглянуті стимульовані НВЧ випромінюванням ефекти в системах нанокристалічний кремній—кремній. Значне місце відведено ефектам, викликаним НВЧ і γ-опромінюванням 60Со в структурах Та2O5—Si, в залежності від умов формування Та2O5. Монографія призначена для наукових працівників і розробників НВЧ приладів. Вона може бути корисною також аспірантам і студентам вузів, які навчаються за відповідними спеціальностями.

Effect of microwave and laser radiations on the parameters of semiconductor structures

Вид видання: Монографія
Рубрика: Технічні науки
Мова видання: Англійська
   
Посилання: Effect of microwave and laser radiations on the parameters of semiconductor structures / A.E. Belyaev, E.F. Venger, I.B. Ermolovich, R.V. Konakova, P.M. Lytvyn, V.V. Milenin, I.V. Prokopenko, G.S. Svechnikov,E.A. Soloviev, L.I. Fedorenko – Kyiv: Intac, 2002 192 p. 
Download: book_Konakova_book_2002.pdf (7.48 MB)
 EfMicandLaser
For a wide range of semiconductors (GaAs, GaP, InP, InSb, CdxHg1-xTe, SiC), as well as contact structures based on them, that are of importance in engineering, the monograph gives, in a systematized and generalized form, the results of investigation of their properties modification under action of high-power microwave radiations and nanosecond laser pulses. The physical models for production, annihilation and annealing of point defects and impurity-defect complexes in irradiated materials are considered. An analysis is made of the features of radiation-stimulated mass transport, chemical reactions, formation of new phases in various contact structures, and they are related to the parameters of surface-barrier structures. Much space is given to the elastic stress relaxation due to microwave radiation, depending on the initial impurity-defect condition of materials, their surface morphology and irradiation mode. The authors substantially lean on their own experience in this area. They pay special attention to the use of microwave and laser processing of semiconductor materials for improvement of their structural perfection and development, on their basis, of ohmic and barrier contacts having improved parameters.
 The monograph is intended for researchers and specialists engaged in semiconductor electronics. It may be of use also to lecturers, post-graduates and undergraduates dealing with the above problems.
 
У монографії систематизовані та узагальнені результати дослідження модифікації властивостей широкого класу технічно важливих напівпровідників (GaAs, GaP, InP, InSb, CdxHg1-xTe, SiC), і контактних структур на їх основі при дії на них потужних НВЧ випромінювань і наносекундних лазерних імпульсів. Розглянуті фізичні моделі виникнення, анігіляції та відпалу точкових дефектів і домішково-дефектних комплексів в опромінених матеріалах. Проаналізовані особливості стимульованих опроміненням процесів масопереносу, хімічних реакцій, утворення нових фаз у контактних структурах різної природи та встановлений їхній зв'язок із параметрами поверхнево-бар'єрних структур. Значне місце приділене релаксації пружних напружень, зумовленій впливом НВЧ опромінювання, залежно від вихідного домішково-дефектного стану матеріалів, морфології їхньої поверхні та умов опромінювання. Автори суттєво спираються на власний досвід у цій галузі та акцентують увагу на використанні НВЧ і лазерних обробок для поліпшення структурної досконалості напівпровідникових матеріалів і створення на їх основі омічних і бар'єрних контактів із поліпшеними параметрами.
 Монографія призначена для науковців і фахівців у галузі напівпровідникової електроніки. Вона може стати в пригоді також викладачам, аспірантам і студентам старших курсів, яким доводиться мати справу з вищевказаними проблемами.

 

Physico-technological aspects of degradation of silicon microwave diodes = (Фізико-технологічні аспекти деградації кремнієвих НВЧ діодів) 

Вид видання: Монографія 360-176
Рубрика: Технічні науки 
Мова видання: Англійська 
Автор(и): A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, E.F. Venger et al.  
Редактор: A.E. Belyaev, R.V. Konakova  
Головна установа: Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова 
Установи-видавці: V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of the NAS of Ukraine ; State Enterprise Research Institute "Orion"
Де і ким видано:
K. : Akademperiodyka
Рік: 2011
Обсяг:  (Ум. друк. арк. 14,8 ; Обл.-вид. арк. 17,4) 
ISBN: 978-966-360-176-2
Посилання: Physico-technological aspects of degradation of silicon microwave diodes / A.E. Belyaev, N.S. Boltov ets, E.F. Venger, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, V.V. Milenin, G.V. Milenin. - Kyiv: Akademperiodyka, 2011. 182 p.
Анотація: The monograph deals with the physical phenomena occuring in the metal–semiconductor junction layer and at microwave diode breakdown, as well as methodology of the catastrophe thejry when predicting failures for silicon diodes and transistors. The methods of measurements of the parameters of ohmic and barrier contacts, as well as degradation mechanisms in silicon microwave diodes related to the physico-chemical and structural properties of metal–semiconductor interfaces, quality of the initial semiconductor material and p-n junction perfection, are considered. The experimental data on the techniques of defect gettering in microwave diode structures, in particular, the low-temperature and non-heating gettering processes that improve the parameters of semiconductor devices, are presented.
Аудиторія: The monograph is intended for researchers and those engaged in development of microwave devices. It may be of use also to post-graduates and under-graduates specializing in the corresponding areas.
Анотація:

В монографії розглянуті фізичні явища, які відбуваються в перехідному шарі метал–напівпровідник і при пробитті кремнієвих НВЧ діодів, а також методологія теорії катастроф при прогнозуванні відмов кремнієвих діодів і транзисторів. Викладені методи вимірювання параметрів омічних і бар’єрних контактів та механізми деградації кремнієвих НВЧ діодів, пов’язані з фізико-хімічними і структурними властивостями межі поділу метал–напівпровідник, якістю вихідного напівпровідникового матеріалу та досконалістю p-n переходу. Наведені експериментальні дані про методи генерування дефектів у НВЧ діодних структурах, зокрема про низькотемпературні та ненагрівні процеси гетерування, що поліпшують параметри напівпровідникових приладів.

Аудиторія
Монографія призначена для наукових працівників і розробників твердотільних НВЧ приладів. Вона може бути корисною також аспірантам і студентам, які навчаються за відповідним фахом.
   
Скачати: Knyga_out_mon.pdf (3,90 МБ)