Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Національна академія наук України

Пошук

Physico-technological aspects of degradation of silicon microwave diodes = (Фізико-технологічні аспекти деградації кремнієвих НВЧ діодів) 

Вид видання: Монографія 360-176
Рубрика: Технічні науки 
Мова видання: Англійська 
Автор(и): A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, E.F. Venger et al.  
Редактор: A.E. Belyaev, R.V. Konakova  
Головна установа: Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова 
Установи-видавці: V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of the NAS of Ukraine ; State Enterprise Research Institute "Orion"
Де і ким видано:
K. : Akademperiodyka
Рік: 2011
Обсяг:  (Ум. друк. арк. 14,8 ; Обл.-вид. арк. 17,4) 
ISBN: 978-966-360-176-2
Посилання: Physico-technological aspects of degradation of silicon microwave diodes / A.E. Belyaev, N.S. Boltov ets, E.F. Venger, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, V.V. Milenin, G.V. Milenin. - Kyiv: Akademperiodyka, 2011. 182 p.
Анотація: The monograph deals with the physical phenomena occuring in the metal–semiconductor junction layer and at microwave diode breakdown, as well as methodology of the catastrophe thejry when predicting failures for silicon diodes and transistors. The methods of measurements of the parameters of ohmic and barrier contacts, as well as degradation mechanisms in silicon microwave diodes related to the physico-chemical and structural properties of metal–semiconductor interfaces, quality of the initial semiconductor material and p-n junction perfection, are considered. The experimental data on the techniques of defect gettering in microwave diode structures, in particular, the low-temperature and non-heating gettering processes that improve the parameters of semiconductor devices, are presented.
Аудиторія: The monograph is intended for researchers and those engaged in development of microwave devices. It may be of use also to post-graduates and under-graduates specializing in the corresponding areas.
Анотація:

В монографії розглянуті фізичні явища, які відбуваються в перехідному шарі метал–напівпровідник і при пробитті кремнієвих НВЧ діодів, а також методологія теорії катастроф при прогнозуванні відмов кремнієвих діодів і транзисторів. Викладені методи вимірювання параметрів омічних і бар’єрних контактів та механізми деградації кремнієвих НВЧ діодів, пов’язані з фізико-хімічними і структурними властивостями межі поділу метал–напівпровідник, якістю вихідного напівпровідникового матеріалу та досконалістю p-n переходу. Наведені експериментальні дані про методи генерування дефектів у НВЧ діодних структурах, зокрема про низькотемпературні та ненагрівні процеси гетерування, що поліпшують параметри напівпровідникових приладів.

Аудиторія
Монографія призначена для наукових працівників і розробників твердотільних НВЧ приладів. Вона може бути корисною також аспірантам і студентам, які навчаються за відповідним фахом.
   
Скачати: Knyga_out_mon.pdf (3,90 МБ)