Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Національна академія наук України

Пошук

Науково-технічні розробки

1. Методи і технології отримання напівпровідникових матеріалів і структур, в т.ч. нанометрових

1.1. Лазерна технологія наноструктурування поверхні напівпровідників А2В6

1.2. Чутливі шари хімічних сенсорів на основі золотих наночастинок

1.3. Одержання фотолюмінесцентних плівок наноструктур зSі- таGe- квантовими точками для елементів наноелектроніки

1.4. Технологія виготовлення світловипромінюючих кремнієвих наноструктур

1.5. Двовимірні фотонні кремнієві структури

1.6. Моделювання процесів росту нанониток, стимульованого частинками каталізатора

1.7. Метод лазерно-індукованого поверхневого легування високоомних кристалівCd(Zn)Te і формування p-n- переходу

1.8. Кристали оптичного германію: злитки та елементи інфрачервоної оптики

1.9. Технологія отримання високооднорідних халькогенідних напівпровідникових матеріалів для термоелектричних перетворювачів енергії (термогенератори, термобатареї, термохолодильники)

1.10. Неорганічний фоторезист

1.11. Реєструючі середовища на основі ХСН для виготовлення голограмних оптичних, кіноформних, дифракційних елементів, оптичних захисних елементів та оптичних дисків

1.12. Композиційні тонкоплівкові матеріали для хеморезисторів та технологія їх виготовлення

1.13. Високоефективний адсорбційний матеріал для газів типу CH4, H2

1.14. Метод легування та очищення кристалів А2В6

1.15. Метод модифікації характеристик світловипромінюючих гетероструктур А2В6 з квантовими ямами

1.16. Метод реєстрації біокомплексів