Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Національна академія наук України

Пошук

Відділ фотонних напівпровідникових структур

Karatchentseva
 

Керівник відділу

Карачевцева Людмила Анатоліївна

д. техн. наук

тел. (044) 525-23-09, вн. 5-65, кім 143

ел. пошта: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

Склад відділу

Glushko

 

Глушко Євген Якович
пров.наук. співр., д. ф.-м. наук, проф.
тел. (044) 525-23-09, вн. 2-60

Karach

 

Карась Микола Іванович
ст. н. співр., канд. ф.-м. наук
ел. пошта: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

Litvinenko

 

Литвиненко Олег Олександрович
ст. н. співр., канд. техн. наук
тел. 525-23-09

Onishenko

 

Онищенко Володимир Федорович
н. співр., канд. фіз.-мат. наук

тел.: 525-23-09, вн. 5-88, кім.127
ел. пошта:  Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

Konin

 

Конін Костянтин Петрович
н. співр.,
тел. 525-23-09
ел. пошта: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

Stronska

 

Стронська Олена Йосипівна
н. співр.,
тел. 525-23-09, вн. 5-65
ел. пошта: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

Morozovska

 

Морозовська Діна Володимирівна
м. н. співр.,
тел. 525-23-09

 

 Иванов

 

Іванов Віталій Ігорович
м. н. співр.,
ел. пошта: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

  

 

 

 

Сапельнікова Олена Юріївна
аспірант

 Pinchuk

Пінчук Валентина Степанівна
пров. інж.

 

№48 Лабораторія напівпровідникової інфрачервоної фотоелектроніки

Керівник Тетьоркін Володимир Володимирович

Дослідження

   Відділ фотонних напівпровідникових структур було засновано в 1998 році з метою зосередження і координації наукових та технологічних ресурсів, а також інтенсифікації пріоритетного напрямку науково-дослідних і технологічних робіт, пов’язаного з розробкою високоефективних технологій виготовлення активних елементів нанофотонних схем та оптоелектронних пристроїв на основі напівпровідникових фотонних кристалів.

   Наукова і науково-технічна діяльність відділу полягає у дослідженні процесів формування напівпровідникових фотонних кристалів та аналізі впливу трансформації енергетичного спектру електромагнітного випромінювання на електронну та фононну систему структур, включаючи встановлення механізмів взаємодії електромагнітної хвилі з нанокристалами на поверхні структур та розробку високоефективних технологій виготовлення оптоелектронних пристроїв.

   Основні напрямки наукової і науково-технічної діяльності відділу: технологія напівпровідникових фотонних структур; оптика двовимірних фотонних кристалів, у тому числі, трикомпонентних, та фотонних мембран; фотофізичні явища в напівпровідникових фотонних структурах за участю локальних поверхневих станів; розробка технологій виготовлення активних та пасивних оптичних та оптоелектронних елементів.

   Технологія напівпровідникових фотонних структур. Відпрацьовані режими електрохімічного формування макропор в дифузійно тонких структурах макропористого кремнію при лінійній зміні прикладеної напруги, що важливо для травлення циліндричних макропор та управління їх діаметром. Визначено режими напруженості електричного поля, які забезпечують стаціонарну концентрацію дірок на кінцях макропор протягом їх формування; розрахована швидкість зміни прикладеної напруги для забезпечення режиму стаціонарності напруженості електричного поля.

 

1

а

2

б

Двовимірні структури макропористого кремнію з періодичним (а) та з довільним (б) розташуванням циліндричних макропор. Діаметр макропор: а – 6мкм, б – 3мкм.

 

   Досліджена початкова стадія формування макропор в кремнії шляхом електрохімічного травлення при стаціонарному освітленні і постійній густині струму. Експериментально встановлено, що процес формування макропор бере початок з критичного значення напруги Uc, пропорційній квадрату товщини кремнієвого аноду dc. Виявлена залежність відповідає умові постійності концентрації дірок на поверхні “кремній-електроліт” і виконується для досліджуваної системи при товщині кремнієвого аноду dc ≈ 0,5L+(L+ – дифузійна довжина нерівноважних дірок по полю).

   Проведено порівняльний аналіз поверхні двовимірних структур макропористого кремнію методами електронної скануючої мікроскопії, інфрачервоного поглинання і модуляційної спектроскопії електровідбивання. Встановлено, що мікроструктура поверхні макропор і вбудоване електричне поле залежать від параметрів електрохімічного процесу: вихідної напруги та густини струму; при цьому, величина вбудованого електричного поля на циліндричних макропорах визначається поверхневою концентрацією Si-О та Si-Н зв’язків.

   Для застосування в теплочутливих елементах сформовані дифузійно тонкі кремнієві структури з товщиною шару макропористого кремнію 20-25 мкм, що складає 4-5 періодів структури; вперше виявлені особливі види макропор: конічні та латеральні, формування яких підвищує теплоізоляційні властивості теплочутливого елементу.

   Розроблено метод хімічного модифікування стінок макропор шляхом формування покриттів SiO2, Si-Al, Si-B та SiC на макропористому кремнії шляхом низькотемпературних газотранспортних реакцій. Виготовлені структури сплавів композитних матеріалів Si-Al, Si-B та SiC на макропористому кремнії з ефективним поглинанням інфрачервоного випромінювання та низькоомними контактами. Встановлено, що при густині струму, яка перевищує критичну, на стінках макропор формуються окислені мікропористі шари. Вперше зареєстрована оранжева фотолюмінесценція на макропористих структурах кремнію з нанокристалами інтенсивністю порядку 10 мкВт/см2, визначені структура та хімічний склад випромінюючих стінок макропор з мікропористими шарами. Виготовлено омічні контакти до сплавів композитних матеріалів Si-Al, Si-B та SiC на макропористому кремнії з низькою величиною опору 5-100 Ом для формування сенсорів інфрачервоного випромінювання. Виготовлені: структури макропористого кремнію з надглибокими макропорами (більше 300 мкм) для контроля речовини в макропорах (Л.А. Карачевцева, О.О. Литвиненко, К.А. Паршин).

   Оптика двовимірних фотонних кристалів. Теоретично встановлено загальні особливості формування фотонної зонної структури у двовимірних фотонних кристалах типу макропористого кремнію. На двовимірних фотонних структурах макропористого кремнію виміряна фотонна заборонена зона: спектральне положення фотонної забороненої зони в досліджених структурах макропористого кремнію відповідає співвідношенню періоду ґратки і довжини хвилі падаючого світла 2πa/λ = 5.

   Вперше встановлено механізм поглинання світла структурами макропористого кремнію, який визначається домішковим ефектом Франца-Келдиша. Визначені електрооптична енергія та зміна напруженості вбудованого електричного поля. Проведені розрахунки електрооптичної функції першого роду, недійсної частини діелектричної проникності та поглинання світла зразками макропористого кремнію. Показано, що в довгохвильовій частині спектру поглинання збільшується згідно закону (hν)3/2, а в короткохвильовій частині спектру – зменшується згідно закону (hν)1/2 у відповідності з даними експерименту.

   Розроблена програма розрахунків фотонної зонної структури в одно- та двовимірних фотонних кристалах з нелінійністю третього порядку для змішаної системи з нелінійним ядром. Знайдено новий тип розв'язку задачі розповсюдження електромагнітного випромінювання в системі „фотонний кристал – нелінійне середовище” за допомогою Eli-функції.

   Розраховано зонні структури та густини станів для двовимірних фотонних кристалів за умови існування на поверхні макропор додаткового шару з іншою діелектричною проникністю. Показано, що наявність поверхневого шару суттєво впливає на фотонну зонну структуру та на ширину фотонної забороненої зони. Встановлено зменшення ширини фотонної забороненої зони у трикомпонентних окислених структурах макропористого кремнію.

3 4
Трикомпонентна структура, в якій в області оптичних комунікаційних довжин хвиль (1,55мкм) реалізується фотонна заборонена зона 15,6% при періоді a=1,5мкм, факторі заповнення f=0,8, відстані між макропорами a-Dp=200нм.

Структура макропористого кремнію з шаром оксиду кремнію.

   Для дослідження локалізації електромагнітного випромінювання фотонними кремнієвими елементами були відпрацьовані програми розрахунків фотонних елементів методом кінцевих різниць (метод FDTD), що дозволяє задавати необхідний профіль показника заломлення, режим збудження та форму джерела електромагнітного поля. Розраховані спектри двовимірного фотонно-кристалічного резонатора на основі макропористого кремнію методом стоячих хвиль. Методом теорії збурень в нульовому наближенні розраховані спектри двовимірних фотонних кристалів, у тому числі скінченних, та двовимірних метаматеріалів.

   Виявлено та обґрунтовано реалізацію ефекту Ваньє-Штарка при кімнатній температурі на структурах макропористого кремнію з нанокристалами CdTe та ZnO на поверхні макропор. Виявлені резонансні осциляції поглинання с великою амплітудою, які пояснені резонансним розсіюванням електронів домішковими станами на поверхні макропор при русі электронів в сильному електричному полі гетеропереходу „кремній-нанопокриття”. Стани Ваньє-Штарка є стабільними завдяки великому часу розсіювання відносно періоду осциляцій електронів в сильному електричному полі. Також обґрунтовано реалізацію ефекту Ваньє-Штарка при кімнатній температурі на структурах макропористого кремнію з шарами мікропористого кремнію та оксиду кремнію товщиною 50-800 нм на поверхні макропор. Встановлено квадратичну залежність напруженості електричного поля на границі «кремній-нанопокриття» від енергії фотонів, яка відповідає формуванню хвилеводних квазі-направлених мод на кремнієвій матриці і залежить від товщини оксиду та геометричних розмірів кремнієвої матриці; напруженість електричного поля в структурах з мікропористим шаром не змінюється через сильне розсіювання світла (Л.А. Карачевцева, О.О. Литвиненко, К.П. Конін, О.Й. Стронська, чл.-к. НАНУ Ф.Ф. Сизов (відділ 15), чл.-к. НАНУ С.Я. Кучмій (Інститут фізичної хімії ім. Л.В. Писаржевського НАН України).

   Виявлено квантування носіїв заряду у приповерхневій області окислених структур макропористого кремнію з наночастинками ZnO та CdS за допомогою модуляційної спектроскопії електровідбивання в області Е0' переходу та оптичного поглинання у ближній ІЧ-області спектру. Встановлено, що із збільшенням товщини оксиду від 7 нм до 30 нм зростають параметр уширення, вбудоване електричне поле, кількість квантованих рівнів. Теоретично досліджено застосування пневматичних фотонних кристалів на основі кремнію як датчиків тиску та температури. (Л.А. Карачевцева, О.Ю. Сапельнікова, Л.О. Матвєєва (відділ 11).

   Встановлено механізм впливу електрон-фононної взаємодії на параметр уширення рівнів Ваньє-Штарка в структурах макропористого кремнію з різною концентрацією Si-O-Si станів в поверхневому шарі SiO2 (ТО та LO фононів). Сходинки Ваньє-Штарка були визначені по осциляціях ІЧ поглинання внаслідок резонансного розсіяння електронів на поверхневих станах. Виявлена трансформація резонансного розсіяння електронів у звичайне на іонізованих рівнях в результаті взаємодії поверхневих фононних поляритонів з електронами; при цьому час розсіяння знижується до величини періоду осциляцій електронів в приповерхневому електричному полі структур. (Л.А. Карачевцева, О.Ю. Сапельнікова, О.О. Литвиненко, К.А. Паршин, О.Й. Стронська).

   Виготовлено ефективні світловипромінюючі елементи на основі окислених структур макропористого кремнію з оптимальними глибиною макропор та товщиною нанопокриття SiO2 і шару наночастинок CdS в поліетиленіміні. Осадження світловипромінюючих нанокристалів на поверхню окисленого макропористого кремнію дозволяє одночасно збільшити квантовий вихід фотолюмінесценції (до 28%), підвищити міцність структур та захистити поверхню від деградації. При цьому для структур з оптимальною товщиною шару SiO2 квантовий вихід фотолюмінесценції протягом перших 2-х тижнів збільшується внаслідок випаровування молекул води, а потім стабілізується (Л.А. Карачевцева, О.Ю. Сапельнікова, О.О. Литвиненко, К.А. Паршин, О.Й. Стронська).

5

 

6

 

Фрагмент структури макропористого кремнію; вставка – схема формування шарів SiO2 та CdS-поліетиленімін.

 

AFM зображення нанокристалів CdS; вставка – зонна діаграма збудження фотолюмінесценції.

 

   На окислених двовимірних структурах макропористого кремнію в ІЧ області спектру: (1) виявлені квазі-направлені моди по осциляціях поглинання, що реалізуються завдяки ефекту Ваньє-Штарка, (2) виміряні також фотонні заборонені зони. Висока інтенсивність фотолюмінесценції наночастинок CdS на поверхні макропор реалізується завдяки збільшенню потоку електронів з кремнієвої матриці у напрямку шару нанокристалів при максимальній напруженості електричного поля на границі Si-SiO2, що суттєво знижує швидкість безвипромінювальної рекомбінації. Встановлено явище мультиплікації нелінійно-оптичної дифракції на структурованих кремнієвих підкладках з рідкими кристалами. (Л.А. Карачевцева, О.О. Литвиненко, К.П. Конін, К.А. Паршин, О.Й. Стронська).

   Фотофізичні явища в напівпровідникових фотонних структурах. Вперше виявлена залежність фотопровідності та інтенсивності ліній комбінаційного розсіювання від кута падіння електромагнітного випромінювання. Отримані експериментальні результати пояснені формуванням поверхневих електромагнітних хвиль. Встановлено, що фотопровідність та її релаксація в структурах макропористого кремнію визначається бар'єром на поверхні макропор. Відношення фотопровідності макропористого кремнію до фотопровідності монокристалу кремнію досягає максимуму при відстані між макропорами, яка дорівнює двом товщинам шару Шоткі. Величина власної фотопровідності підсилюється більш ніж в 30 разів по відношенню до монокристалічного кремнію (Л.А. Карачевцева, М.І. Карась, В.Ф. Онищенко).

   Встановлено електрофізичні параметри та кінетику фотопровідності структур «метал-макропористий кремній» з омічним та бар’єрним контактом з урахуванням послідовного опору, термоемісійного, генераційно-рекомбінаційного та тунельного струмів. Виявлено, що релаксація фотопровідності структур макропористого кремнію відбувається за логарифмічним законом. Поверхневий бар’єр структури «індій-макропористий кремній» дорівнює 0,031 еВ, що корелює з бар’єром на вільній поверхні макропористого кремнію досліджуваних зразків. Визначена величина послідовного опору та компоненти струму насичення: термоемісійний – 10-7 А, генераційно-рекомбінаційний – 10-4 А, тунельний – 10-11 А. Встановлено, що додаткові смуги фотопровідності композитних структур макропористого кремнію з нанопокриттями SiO2 та SiC визначаються домішковим поглинанням на Si-Н та Si-С зв’язках (Л.А. Карачевцева, М.І. Карась, В.Ф. Онищенко, А.В. Саченко).

   Виявлено фотоерс аномального знаку в структурах макропористого кремнію для енергій фотонів, сумірних з енергією непрямого зона-зонного переходу. Встановлено, що зміна знаку фотоерс на від’ємний визначається фотопереходами через поверхневі стани, близькі до зони провідності кремнію, та багатоступінчастою тунельною рекомбінацією рівноважних електронів в кремнієвій матриці зі збудженими освітленням дірками на поверхні макропор. Це відкриває перспективу розробки фотовольтаїчних елементів та хвилеводів на основі макропористого кремнію для функціювання на телекомунікаційній довжині хвилі 1,55 мікрон. Виготовлені структури макропористого кремнію з зарядженим шаром SiO2 та покриттям наночастинок CdS з надвисоким значенням вольт-ватної чутливості 4500 В/Вт (λ = 0,95 мкм) при кімнатній температурі. (Л.А. Карачевцева, М.І. Карась, В.Ф. Онищенко).

   Розробка технологій виготовлення оптичних та оптоелектронних елементів. Розроблено технології виготовлення компактних неохолоджуваних тепло- та фотодетекторів на основі структур макропористого кремнію. Для використання фотонних структур макропористого кремнію у багатоелементних теплоприймачах ІЧ-діапазону спектру виготовлено збагачуючий контакт In до шарів макропористого кремнію, виготовлених при різних режимах густини струму. Температурний коефіцієнт опору такої структури складає 0,4 - 4%, рівень шумів (2-5)·10-9 В/Гц1/2 у діапазоні 1-103 Гц, що співпадає з рівнем шумів підкладок кремнію. Компактний теплоприймальний елемент на основі структур макропористого кремнію відповідає кращим зразкам неохолоджуваних детекторів оптичного випромінювання („Неохолоджуваний теплоприймальний елемент для болометрів”; Патент України на винахід, № 80345 МПК6 G01J 5/20, H01L 31/02 від 10.09.2007. / Л.А. Карачевцева, Ф.Ф. Сизов, Ю.В. Голтвянський, К.П. Конін, О.Й. Стронська, К.А. Паршин, О.О. Литвиненко). Розроблені технологічні операції виготовлення тестового позиційно-фоточутливого елементу на основі структур In-макропористий кремній з питомою виявною здатністю до Dλ=1010 Вт-1см·Гц-1/2 (λ≈1 мкм). Характеристики детекторів перевищують параметри кращих зразків для неохолоджуваних кремнієвих мікроболометрів і pin-фотодіодів завдяки високому поглинанню світла фотонною структурою в актуальній з прикладної точки зору області спектру 0,5-14 мкм та низькому рівню шумів.

   Розроблено фотонні кремнієві структури для формування активних та пасивних елементів нанофотонних інтегральних схем. Трикомпонентна структура на основі двовимірного фотонного кремнієвого кристалу дозволяє реалізувати максимальну ширину фотонної забороненої зони в області оптичних комунікаційних довжин хвиль (1,55 мкм) при збереженні міцності фотонного кристалу („Двовимірний фотонний кристал”; Патент України на винахід, № 83123 МПК (2006) G02В 5/00 від 10.06.2008. / Л.А. Карачевцева, О.Є. Глушко).

   Розроблено повно-оптичний спосіб оперування сигналами на основі ефекту нелінійного зсуву фотонної зони для створення повно-оптичного суматора та будову повно-оптичних логічних пристроїв OR, AND, XOR у двох можливих R- та T-схемах. Розроблено новий принцип формування зображень шляхом проектування променів каналами з поглинаючими стінками для канально-зображуючої мікроскопії та телескопії.

   Проведено теоретичний аналіз мікропристроїв на основі двовимірних фотонних кристалів для управління оптичними сигналами. Методом плоских хвиль розраховані моделі частотного селектору та розподільника поляризацій на основі інтегрованих оптичних систем „хвилевод-фотонний кристал-хвилевод”. Встановлено, що мода, яка розповсюджується по основному хвилеводу з частотою забороненої зони одного з фотонних кристалів, відбивається в рукав бокового хвилевода, демонструючи селективні властивості системи. Досліджені оптичні властивості поруватих канальних фотонних структур. Показано, що канальні (шаруваті) матеріали належать до типу метаматеріалів - метадзеркальних структур з квазі-від’ємною рефракцією.

   Теоретично досліджено застосування пневматичних фотонних кристалів на основі кремнію як датчиків тиску та температури. Розраховані діаграми контрастності та чутливості кремнієвих фотонних кристалів. Показано, що чутливість може сягати значень 0,3-0,5 eВ/бар для матриць з кремнію, поруватого кремнію та SiO2 (Є.Я. Глушко, В.Н. Євтєєв (Криворізький педагогічний університет)).

 

 

Досягнення

Найбільш вагомі наукові і науково-технічні результати:

    1. Вперше в Україні виготовлені двовимірні фотонні структури макропористого кремнію з періодичним розташуванням макропор діаметром Dp = 3‑6 мкм, глибиною до H = 250 мкм і концентрацією Np = 1,5×106 см‑2. Удосконалено процес фотоанодного травлення кремнію з урахуванням впливу об’ємної рекомбінації на струмоперенос дірок для формування паралельно розташованих макропор на кремнії з довільним опором.
    2. В єдиному технологічному циклі виготовлені структури макропористого кремнією з нанопокриттями мікропористих шарів товщиною 100–700 нм, на яких вперше виміряна фотолюмінесценція (λ = 550‑700 нм, I = 10 мкВт/см2).
    3. Досліджені властивості трикомпонентних фотонних структур макропористого кремнію з нанопокриттям SiO2. За допомогою комп’ютерного моделювання (метод плоских хвиль) отримані фотонні зонні структури та густини станів в фотонних кристалах з різними симетріями та факторами заповнення.
    4. Вперше встановлено механізм поглинання світла структурами макропористого кремнію, який визначається домішковим ефектом Франца-Келдиша. Визначені електрооптична енергія, недійсна частина діелектричної проникності та зміна напруженості вбудованого електричного поля.
    5. Досліджено механізми переносу фотоносіїв через поверхню макропор в структурах макропористого кремнію. Встановлено, що кінетика релаксації фотоносіїв визначається бар'єрним механізмом в умовах перезарядки поверхневих рівнів.
    6. Виявлено та обґрунтовано реалізацію електрооптичного ефекту Ваньє-Штарка при кімнатній температурі на структурах макропористого кремнію з шарами мікропористого кремнію та SiO2 товщиною 50-800 нм на поверхні макропор.
    7. Встановлено механізм впливу електрон-фононної взаємодії на параметр уширення рівнів Ваньє-Штарка в структурах макропористого кремнію з різною концентрацією Si-O-Si станів в поверхневому шарі SiO2 (ТО та LO фононів).
    8. Розроблені світловипромінюючі нанопокриття поліетиленіміну з нанокристалами CdS на окислених структурах макропористого кремнію. Завдяки полімерній основі така технологія дозволяє одночасно збільшити квантовий вихід фотолюмінесценції, підвищити міцність структур і захистити поверхню від деградації.
    9. Патент України на винахід «Двовимірний фотонний кристал», № 83123 від 10.06.2008р. (Л.А. Карачевцева, О.Є. Глушко) здобув номінацію «Кращий винахід 2008 р. в галузі матеріалознавства», вирішує проблему реалізації максимальної ширини фотонної забороненої зони завдяки запропонованому співвідношенню розмірів структури.
    10. Зав. відділом №16 Л.А. Карачевцева нагороджена міжнародною асоціацією International Association of Advanced Materials медаллю “IAAM Scientist Medal – 2016” за актуальні та видатні дослідження в області передових технологій та матеріалів (Стокгольм, 24 серпня 2016 року).


  

Розробки

Практичний доробок відділу:

1

Розробки-1

 

2

Розробки-2

„Неохолоджуваний теплоприймальний елемент для болометрів”; Патент України на винахід, № 80345 МПК6 G01J 5/20, H01L 31/02 від 10.09.2007. / Л.А. Карачевцева, Ф.Ф. Сизов, Ю.В. Голтвянський, К.П. Конін, О.Й. Стронська, К.А. Паршин, О.О. Литвиненко.

 

3

 Розробки-3

 

„Двовимірний фотонний кристал”; Патент України на винахід, № 83123 МПК (2006) G02В 5/00 від 10.06.2008. / Л.А. Карачевцева, О.Є. Глушко).

 

4

Розробки-4

 

 

5

Розробки-5

 

6

Розробки-6

 

7

Розробки-7

 


Обладнання

Відділ для виконання науково-дослідних і технологічних робіт має у своєму розпорядженні обладнання:

-         Автоматизована електрохімічна установка для виготовлення структур макропористого кремнію

-         Оптичний мікроскоп NU з методикою фотодокументування

-         Установка для вимірювання ефекту Хола

-         Автоматизована установка для вимірювання спектрів пропускання в ІЧ діапазоні

 

 

 

Проекти

У відділі виконувались:

-       проект УНТЦ №2444 «Розробка активних елементів на основі двовимірних Sі та ІnР фотонних кристалів для нанофотонних схем» (2003–2006 рр.)

-       науково-дослідні роботи молодих учених за грантом НАН України (20052006 рр.)

-       договори про науково-технічне та науково-педагогічне співробітництво Криворізького педагогічного університету з Інститутом фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України (2005–2014 рр.)

-       договори про науково-технічне та науково-педагогічне співробітництво Київського національного університету ім. Т.Г. Шевченка з Інститутом фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України (20072010 рр.)

-       договори про науково-технічне та науково-педагогічне співробітництво Київського педагогічного університету ім.М.П. Драгоманова з Інститутом фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України (2011–2014 рр.)

-       проект «Розробка елементів інтегральних нанофотонних схем на основі кремнієвих фотонних кристалів» з виконання теми ІІІ-10-06 «Нові принципи, методи і засоби одержання, дослідження і характеризації напівпровідникових матеріалів і структур, створення елементної бази перспективної напівпровідникової електронної техніки, в т. ч. на основі нових фізичних явищ» (2008 р.)

-       проект «Розробка активних та пасивних елементів інтегральних нанофотонних схем на основі напівпровідникових фотонних кристалів» з виконання теми ІІІ-7-06 «Фізико–технологічні дослідження напівпровідникових матеріалів та низьковимірних структур для ІЧ мікрофотоелектроніки» (2008-2010 рр.)

-       проект «Розробка двовимірних кремнієвих фотонних кристалів з поверхнево-активними нанопокриттями» з виконання теми ІІІ-41-07 «Фізичні та фізико-технологічні аспекти створення і характеризації напівпровідникових матеріалів і функціональних структур сучасної електроніки» (2008-2011 рр.)

-       проект «Розробка неохолоджуваних фоточутливих елементів на основі двовимірних структур макропористого кремнію» по темі №53 «Виготовлення та дослідження напівпровідникових наноструктур для розробки термоелектричних генераторів, неохолоджуваних фотодетекторів, теплових мікровипромінювачів і фотонно-кристалічних хвилеводів» (2009 р.)

-       проект «Розробка фотоприймальних елементів оптоелектронних пристроїв на основі напівпровідникових фотонних кристалів з нанопокриттями» з виконання теми ІІІ-10-09 «Розробка нових принципів, методів і засобів одержання, дослідження і характеризації напівпровідникових матеріалів і структур, створення елементної бази перспективної напівпровідникової електронної техніки, в т. ч. на основі нових фізичних явищ» (2009-2011 рр.)

-       проект 6.22.5.15/20-ДП «Розроблення нанотехнологій синтезу наночастинок ZnO та CdS для виготовлення світловипромінюючих елементів на основі структур макропористого кремнію з нанопокриттями» (2010-2014 рр.)

-       проект «Дослідження, розробка та діагностика компактних неохолоджуваних фотовольтаїчних детекторів на основі двовимірних структур макропористого кремнію з нанопокриттям SiO2» з виконання наукової роботи III-7-11 «Дослідження, розробка та діагностика напівпровідникових пристроїв мікрохвильової та ІЧ нанофотоелектроніки» (2011-2013 рр.)

-       проект «Розробка іонізаційних підкладок на основі структур макропористого кремнію для лазерно-десорбційної мас-спектрометрії» з виконання наукової роботи ІІІ-10-12 «Розробка сучасних напівпровідникових матеріалів і структур для опто-, мікро- і сенсорної електроніки» (2012-2013 рр.)

-       проект «Створення і характеризація структур макропористого кремнію з нанопокриттями» з виконання наукової роботи ІІІ-41-12 «Фізичні та фізико-технологічні аспекти створення сучасних напівпровідникових матеріалів і функціональних структур для нано- і оптоелектроніки» (2012-2013 рр.)

 


 

Публікації

2017