Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Національна академія наук України
Пошук
Навігаційний перегляд пошуку
Навігація
Головна
Інститут
Наукові відділи
Проекти
Розробки
Освіта
Новини
Журнал
Пошта
Фізики напівпровідникових матеріалів і структур та їх діагностики
Фізики поверхні, оптоелектроніки і фотоніки
ТГц- і ІЧ- функціональної напівпровідникової мікро- та нанофотоелектроніки
Фізики і технології сенсорних систем
Відділ ростових технологій напівпровідникових матеріалів і структур
Відділ фізики і технології напівпровідникових структур та сенсорних систем
Відділ фізико-технологічних основ сенсорного матеріалознавства
Відділ функціональних перетворювачів для сенсорної техніки
Перспективні та інноваційні розробки
Деталі
Перегляди: 5602
Melezhik, E.O., Gumenjuk-Sichevska, J.V., Sizov, F.F. // Modeling of Noise and Resistance of Semimetal Hg1-xCdxTe Quantum Well used as a Channel for THz Hot-Electron Bolometer // Nanoscale Research Letters, 11(1), 181, 2016.