Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Національна академія наук України
Пошук
Навігаційний перегляд пошуку
Навігація
Головна
Інститут
Наукові відділи
Проекти
Розробки
Освіта
Новини
Журнал
Пошта
Фізики напівпровідникових матеріалів і структур та їх діагностики
Фізики поверхні, оптоелектроніки і фотоніки
ТГц- і ІЧ- функціональної напівпровідникової мікро- та нанофотоелектроніки
Фізики і технології сенсорних систем
Відділ ростових технологій напівпровідникових матеріалів і структур
Відділ фізики і технології напівпровідникових структур та сенсорних систем
Відділ фізико-технологічних основ сенсорного матеріалознавства
Відділ функціональних перетворювачів для сенсорної техніки
Перспективні та інноваційні розробки
Деталі
Перегляди: 5419
N. Dyakonova, P. Faltermeier, D. B. But, D. Coquillat, S. D. Ganichev, W. Knap, K. Szkudlarek, and G. Cywinski, “Saturation of photoresponse to intense THz radiation in AlGaN/GaN HEMT detector” / J. Appl. Phys., vol. 120, no. 16, 2016.