Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Національна академія наук України

Пошук


ЦЕНТР КОЛЕКТИВНОГО КОРИСТУВАННЯ  ПРИЛАДАМИ НАН УКРАЇНИ 
при Інституті фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАНУ 
„Діагностика напівпровідникових матеріалів, структур та приладних систем” 
 
запрошує до співпраці установи НАН України, вищі навчальні заклади, підприємства у проведенні робіт з пріоритетних напрямків фундаментальних досліджень і прикладних розробок.
 
До Ваших послуг п'ять сучасних діагностичних лабораторії:
  • Раманівсько-люмінесцентна субмікронна спектроскопія;
  • Високороздільна рентгенівська дифрактометрія;
  • Комплекс скануючої зондової мікроскопії;
  • Вимірювальний комплекс для експресного контролю напівпровідникових матеріалів і нанорозмірних приладів;
  • Комплекс масспекрометричного аналізу.
Призначенням ЦККП "Діагностика напівпровідникових матеріалів, структур та приладних систем" при Інституті фізики напівпровідників НАН України є: сприяння реалізації державних цільових наукових і науково­технічних програм та наукових (науково­технічних) проектів за визначеними пріоритетними тематичними напрямами наукових досліджень і науково­технічних розробок; залучення студентів, магістрів, аспірантів та молодих вчених до науково­дослідних та дослідно­ конструкторських робіт; проведення спільних наукових досліджень з вітчизняними та іноземними науковими установами та вищими навчальними закладами; сприяння міжнародному науково­технічному співробітництву.
 
Ми створили унікальне в Україні науково-методичне, технічне та метрологічне забезпечення науково-дослідних робіт, прикладних досліджень, нанодіагностики та супроводу технології отримання новітніх матеріалів і наноструктур з використанням:
  • багатоцільового оптичного комплексу конфокальної раманівської і люмінесцентної спектроскопії з субмікронним просторовим розділенням для дослідення хімічного складу, структури, електронних, фононних та інших збуджень в твердих тілах, фізико-хімічних характеристик та параметрів напівпровідникових, біологічних, хімічних матеріалів та наноструктур;
  • високороздільної рентгенівської дифрактометрії для отримання інформації про структурну досконалість і деформаційний стан одно- і багатошарових епітаксійних структур при поєднанні широкого кола напівпровідникових матеріалів;
  • скануючої зондової мікроскопії з широкими можливостями одержання інформації про фізичні властивості поверхонь різного типу (топографія, механічні, електрофізичні, магнітні тощо), їх керованої модифікації (нанолітографія);
  • експресного дослідження основних електрофізичних параметрів напівпровідникових матеріалів та приладів за допомогою методів вольт-амперних та вольт-фарадних характеристик об'єднаних у аналітично-вимірювальний комплекс;
  • масспекрометричного аналізу для визначення елементного складу твердих тіл та профілів розподілу домішок в нанорозмірних структурах і тонких плівках.
 
Основними науковими напрямками ЦККП "Діагностика напівпровідникових матеріалів, структур та приладних систем" є наступні:
  •  фізика процесів взаємодії електромагнітного випромінювання з речовиною;
  • фізика низько вимірних систем, мікро- та наноелектроніка;
  • оптоелектроніка та сонячна енергетика;
  • напівпровідникове матеріалознавство та сенсорні системи;
  • метрологічний супровід технологічних процесів та експертного оцінювання.

  

Контактна інформація

Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України 
пр. Науки, 41, 
Київ 03028
карта
тел./
факс: +38(044) 525-59-40
e-mail: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

 завантажити pdf-info

 

 

Зондова мікроскопія

Скануючий зондовий мікроскоп NanoScope IIIa Dimension 3000TM

Методики вимірювань:

  • атомно-силова мікроскопія (на повітрі та у рідких середовищах);
  • магнітна та електростатична мікроскопія;
  • силова кельвін-зонд мікроскопія;
  • провідна та ємнісна мікроскопія (картографування та локальні ВАХ і ВФХ);
  • тунельна мікроскопія (на повітрі);
  • наноіндентування;
  • елементи нанолітографії і наноманіпуляцій.

Конфокальна раманівська спектроскопія

Обладнання комплексу Раманівсько-люмінесцентної субмікронної спектроскопії

  • Потрійний спектрометр Horiba Jobin-Yvon T64000 (Франція).
  • Конфокальний мікроскоп UV-Visible-NIR Olympus BX41 (Японія).
  • Макрокамера з можливістю реалізації геометрій на відбивання та 90º.
  • CCD детектори для реєстрації випромінювання: Si (Andor), InGaAs (Horiba Jobin Yvon).
  • Лазери: Ar-Kr лазер Stabilite 2018-RM Spectra Physics 2.5W (США), HeCd лазер, Garnet LCM-DTL-374QT.
  • Оптичний мікрокріостат RC102-CFM (CIA CRYO Industries, США).
  • Мікро-термоелектрична комірка Linkam Scientific Instruments THMS600 (Англія).

Потрійний спектрометр Horiba Jobin-Yvon T64000 (Франція)
Оптичний діапазон: 300 – 1700 нм;
Спектральна роздільна здатність: 0,15 см-1;
Можливість реалізації трьох кофігурацій:
потрійної з додаванням дисперсії з високою спектральною роздільною здатністю (< 0.15 cm-1);
потрійної з відніманням дисперсії для низькочастотних вимірювань (< 5 cm-1);
одинарної конфігурації з високою світлосилою.

Лазери: Ar-Kr лазер Stabilite 2018-RM Spectra Physics 2.5W (США), HeCd лазер,
Garnet LCM-DTL-374QT
Ar-Kr лазер Stabilite 2018-RM Spectra Physics 2.5W (США)
(454.5 нм, 457.9 нм, 476.5 нм, 488.0 нм, 496.5 нм, 514.5 нм, 520.8 нм, 530.9 нм, 568.2 нм, 647.1 нм )
HeCd лазер (325 нм)
Garnet LCM-DTL-374QT (355 нм)

  

X-променева дифрактометрія/рефлектометрія

 

Високороздiльний рентгенiвський дифрактометр X'Pert PRO MRD

Дифрактометр X'Pert PRO MRD (Голландія) у рентгенівській дифракційній системі є основною платформою для широкого застосування у аналітичній рентгенівській дифракції як у наукових, так і у індустріальних дослідженнях.

Застосування охоплюють:

  • анализ високороздільних кривих гойдання, знімання карт оберненого простору, Х-променеву топографію епітаксійних шарів на монокристалічних підкладинках.
  • рефлектометрію тонких шарів і матеріалів підкладинки.
  • картографування зразка.
  • дифракція в площині від тонких плівок.
  • Х-променевий аналіз серій зразків.
  • фазовий аналіз зразків з плоскими та шорохуватими поверхнями, а також тонких плівок.
  • аналіз залишкових напруг в плоских зразках та в зразках довільної форми.
  • текстурний аналіз всіх видів матеріалів з переважаючою орієнтацією кристалітів.
  • аналіз малих плям на неоднорідних зразках.

Дифрактометр X'Pert PRO MRD за допомогою використання PreFІХ модуля дозволяє проводити більш ніж один тип аналізу однієї системи.
PreFІХ дозволяє змінювати систему з однієї конфігурації на іншу через декілька хвилин без необхідності додавання інших системних блоків.

 

Перелік послуг, які можуть бути надані:

  • визначення концентрації 2-х компонентних твердих розчинів і рівня залишкових пружних деформацій в епітаксійних шарах 
    GexSi1-x, InxGa1-xAs, GaAs1-xPx, InAs1-xPx, GaAs1-xNx та інших;
  • визначення параметрів багатошарових епітаксійних структур методом Х-променевої дифрактометрії. Товщина шарів, склад, період повторення;
  • вимірювання товщини тонких шарів і шорсткості поверхні по кутових спектрах розсіяння жорсткого Х-випромінювання;
  • визначення параметрів багатошарових дзеркал з допомогою Х-променевої рефлектометрії. Товщина шарів, період повторення і дисперсія;
  • визначення відхилення зрізу пластини від кристалографічної площини;
  • аналіз епітаксійних шарів високотемпературних надпровідників.

 

Eлектрофізична діагностика

 

Обладнання комплексу: 
Agilent 4284A (прецизійний LCR- вимірювач),
Agilent 4156C (прецизійний аналізатор напівпровідників), 
Оптичний мікроскоп Axioskop 2 MAT mot (Сarl Zeiss, Німеччина).

 

Призначення комплексу: 
визначення електрофізичних характеристик тонкоплівкових напівровідникових гетероструктур 
та нанорозмірних напівпровідникових приладів.

 

Мас-спектрометрія

Обладнання комплексу:

  • Мас-спектрометр вторинних іонів (ВІМС) та нейтральних часток (МСВН) іонізованих електронним газом INA-3 (Leybold-Heraeus, Німеччина)
  • Контактний профілометр Dektak 3030 (Sloan, США)

 

Можливості комплексу:

  • Елементний аналіз від H до U
  • Кількісний аналіз
  • Профілювання елементів по глибині
  • Визначення товщини шарів, рельєфу та шорсткості поверхні
  • Аналіз провідних та діелектричних плоских зразків розмірами біля 3 × 3 mm2

Характеристики:

  • Енергія первинних іонів 1 ÷ 5 кеВ (ВІМС ),  0.25 ÷ 0.60 кеВ (МСВН)
  • Чутливість від 5×1016 ат./см3 (ВІМС ), від 5×1018 ат./см(МСВН)
  • Роздільна здатність по глибині < 5 нм (ВІМС ), < 2 нм (МСВН)
  • Роздільна здатність профілометра 5 нм

Застосування:

  • Дослідження прихованих шарів, інтерфейсів та багатошарових структур
  • Контроль наявності забруднюючих домішок

Контактна інформація

 

к.ф.-м.н., с.н.с. Литвин П.М. керівник ЦККП при ІФН НАНУ,
+38044 525 59 40

Раманівсько-люмінесцентна субмікронна спектроскопія;
д.ф.-м.н., пр. н. с. Стрельчук В.В. керівник лабораторії,
+38044 525 64 73

Високороздільна рентгенівська дифрактометрія;
чл.-к. НАН України, Кладько В.П.  керівник лабораторії,
+38044 525 44 49

Комплекс скануючої зондової мікроскопії;
д. ф.-м. н., пр. н. с. Прокопенко І.В. керівник лабораторії,
+38044 525 54 91

Вимірювальний комплекс для експресного контролю
напівпровідникових матеріалів і нанорозмірних приладів;

д.ф.-м.н., г. н. с. Назаров О.М. керівник лабораторії
+38044 525 61 77

Комплекс масспекрометричного аналізу.
к.ф.-м.н., с.н.с. Оберемок О.С. керівник лабораторії,
+38044 525 57 24