- Деталі
- Перегляди: 5447
- Раманівсько-люмінесцентна субмікронна спектроскопія;
- Високороздільна рентгенівська дифрактометрія;
- Комплекс скануючої зондової мікроскопії;
- Вимірювальний комплекс для експресного контролю напівпровідникових матеріалів і нанорозмірних приладів;
- Комплекс масспекрометричного аналізу.
- багатоцільового оптичного комплексу конфокальної раманівської і люмінесцентної спектроскопії з субмікронним просторовим розділенням для дослідення хімічного складу, структури, електронних, фононних та інших збуджень в твердих тілах, фізико-хімічних характеристик та параметрів напівпровідникових, біологічних, хімічних матеріалів та наноструктур;
- високороздільної рентгенівської дифрактометрії для отримання інформації про структурну досконалість і деформаційний стан одно- і багатошарових епітаксійних структур при поєднанні широкого кола напівпровідникових матеріалів;
- скануючої зондової мікроскопії з широкими можливостями одержання інформації про фізичні властивості поверхонь різного типу (топографія, механічні, електрофізичні, магнітні тощо), їх керованої модифікації (нанолітографія);
- експресного дослідження основних електрофізичних параметрів напівпровідникових матеріалів та приладів за допомогою методів вольт-амперних та вольт-фарадних характеристик об'єднаних у аналітично-вимірювальний комплекс;
- масспекрометричного аналізу для визначення елементного складу твердих тіл та профілів розподілу домішок в нанорозмірних структурах і тонких плівках.
- фізика процесів взаємодії електромагнітного випромінювання з речовиною;
- фізика низько вимірних систем, мікро- та наноелектроніка;
- оптоелектроніка та сонячна енергетика;
- напівпровідникове матеріалознавство та сенсорні системи;
- метрологічний супровід технологічних процесів та експертного оцінювання.
Контактна інформація
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
пр. Науки, 41,
Київ 03028
карта
тел./факс: +38(044) 525-59-40
e-mail:
Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
Зондова мікроскопія
Скануючий зондовий мікроскоп NanoScope IIIa Dimension 3000TM
Методики вимірювань:
- атомно-силова мікроскопія (на повітрі та у рідких середовищах);
- магнітна та електростатична мікроскопія;
- силова кельвін-зонд мікроскопія;
- провідна та ємнісна мікроскопія (картографування та локальні ВАХ і ВФХ);
- тунельна мікроскопія (на повітрі);
- наноіндентування;
- елементи нанолітографії і наноманіпуляцій.
Конфокальна раманівська спектроскопія
Обладнання комплексу Раманівсько-люмінесцентної субмікронної спектроскопії
- Потрійний спектрометр Horiba Jobin-Yvon T64000 (Франція).
- Конфокальний мікроскоп UV-Visible-NIR Olympus BX41 (Японія).
- Макрокамера з можливістю реалізації геометрій на відбивання та 90º.
- CCD детектори для реєстрації випромінювання: Si (Andor), InGaAs (Horiba Jobin Yvon).
- Лазери: Ar-Kr лазер Stabilite 2018-RM Spectra Physics 2.5W (США), HeCd лазер, Garnet LCM-DTL-374QT.
- Оптичний мікрокріостат RC102-CFM (CIA CRYO Industries, США).
- Мікро-термоелектрична комірка Linkam Scientific Instruments THMS600 (Англія).
Потрійний спектрометр Horiba Jobin-Yvon T64000 (Франція)
Оптичний діапазон: 300 – 1700 нм;
Спектральна роздільна здатність: 0,15 см-1;
Можливість реалізації трьох кофігурацій:
потрійної з додаванням дисперсії з високою спектральною роздільною здатністю (< 0.15 cm-1);
потрійної з відніманням дисперсії для низькочастотних вимірювань (< 5 cm-1);
одинарної конфігурації з високою світлосилою.
Лазери: Ar-Kr лазер Stabilite 2018-RM Spectra Physics 2.5W (США), HeCd лазер,
Garnet LCM-DTL-374QTAr-Kr лазер Stabilite 2018-RM Spectra Physics 2.5W (США)
(454.5 нм, 457.9 нм, 476.5 нм, 488.0 нм, 496.5 нм, 514.5 нм, 520.8 нм, 530.9 нм, 568.2 нм, 647.1 нм )
HeCd лазер (325 нм)
Garnet LCM-DTL-374QT (355 нм)
X-променева дифрактометрія/рефлектометрія
Високороздiльний рентгенiвський дифрактометр X'Pert PRO MRD
Дифрактометр X'Pert PRO MRD (Голландія) у рентгенівській дифракційній системі є основною платформою для широкого застосування у аналітичній рентгенівській дифракції як у наукових, так і у індустріальних дослідженнях.
Застосування охоплюють:
- анализ високороздільних кривих гойдання, знімання карт оберненого простору, Х-променеву топографію епітаксійних шарів на монокристалічних підкладинках.
- рефлектометрію тонких шарів і матеріалів підкладинки.
- картографування зразка.
- дифракція в площині від тонких плівок.
- Х-променевий аналіз серій зразків.
- фазовий аналіз зразків з плоскими та шорохуватими поверхнями, а також тонких плівок.
- аналіз залишкових напруг в плоских зразках та в зразках довільної форми.
- текстурний аналіз всіх видів матеріалів з переважаючою орієнтацією кристалітів.
- аналіз малих плям на неоднорідних зразках.
Дифрактометр X'Pert PRO MRD за допомогою використання PreFІХ модуля дозволяє проводити більш ніж один тип аналізу однієї системи.
PreFІХ дозволяє змінювати систему з однієї конфігурації на іншу через декілька хвилин без необхідності додавання інших системних блоків.
Перелік послуг, які можуть бути надані:
- визначення концентрації 2-х компонентних твердих розчинів і рівня залишкових пружних деформацій в епітаксійних шарах
GexSi1-x, InxGa1-xAs, GaAs1-xPx, InAs1-xPx, GaAs1-xNx та інших; - визначення параметрів багатошарових епітаксійних структур методом Х-променевої дифрактометрії. Товщина шарів, склад, період повторення;
- вимірювання товщини тонких шарів і шорсткості поверхні по кутових спектрах розсіяння жорсткого Х-випромінювання;
- визначення параметрів багатошарових дзеркал з допомогою Х-променевої рефлектометрії. Товщина шарів, період повторення і дисперсія;
- визначення відхилення зрізу пластини від кристалографічної площини;
- аналіз епітаксійних шарів високотемпературних надпровідників.
Eлектрофізична діагностика
Обладнання комплексу:
Agilent 4284A (прецизійний LCR- вимірювач),
Agilent 4156C (прецизійний аналізатор напівпровідників),
Оптичний мікроскоп Axioskop 2 MAT mot (Сarl Zeiss, Німеччина).
Призначення комплексу:
визначення електрофізичних характеристик тонкоплівкових напівровідникових гетероструктур
та нанорозмірних напівпровідникових приладів.
Мас-спектрометрія
Обладнання комплексу:
- Мас-спектрометр вторинних іонів (ВІМС) та нейтральних часток (МСВН) іонізованих електронним газом INA-3 (Leybold-Heraeus, Німеччина)
- Контактний профілометр Dektak 3030 (Sloan, США)
Можливості комплексу:
- Елементний аналіз від H до U
- Кількісний аналіз
- Профілювання елементів по глибині
- Визначення товщини шарів, рельєфу та шорсткості поверхні
- Аналіз провідних та діелектричних плоских зразків розмірами біля 3 × 3 mm2
Характеристики:
- Енергія первинних іонів 1 ÷ 5 кеВ (ВІМС ), 0.25 ÷ 0.60 кеВ (МСВН)
- Чутливість від 5×1016 ат./см3 (ВІМС ), від 5×1018 ат./см3 (МСВН)
- Роздільна здатність по глибині < 5 нм (ВІМС ), < 2 нм (МСВН)
- Роздільна здатність профілометра 5 нм
Застосування:
- Дослідження прихованих шарів, інтерфейсів та багатошарових структур
- Контроль наявності забруднюючих домішок
Контактна інформація
к.ф.-м.н., с.н.с. Литвин П.М. керівник ЦККП при ІФН НАНУ,
+38044 525 59 40
Раманівсько-люмінесцентна субмікронна спектроскопія;
д.ф.-м.н., пр. н. с. Стрельчук В.В. керівник лабораторії,
+38044 525 64 73
Високороздільна рентгенівська дифрактометрія;
чл.-к. НАН України, Кладько В.П. керівник лабораторії,
+38044 525 44 49Комплекс скануючої зондової мікроскопії;
д. ф.-м. н., пр. н. с. Прокопенко І.В. керівник лабораторії,
+38044 525 54 91
Вимірювальний комплекс для експресного контролю
напівпровідникових матеріалів і нанорозмірних приладів;
д.ф.-м.н., г. н. с. Назаров О.М. керівник лабораторії
+38044 525 61 77
Комплекс масспекрометричного аналізу.
к.ф.-м.н., с.н.с. Оберемок О.С. керівник лабораторії,
+38044 525 57 24