Деталі

Перегляди: 3660

Effect of Active Actions on the Properties of Semiconductor Materials and Structures

Вид видання: Монографія Рубрика: Технічні науки Мова видання: Англійська     Посилання: Effect of Active Actions on the Properties of Semiconductor Materials and Structures / E.D.Atanassova, A.E. Belyaev, R.V. Konakova, P.M. Lytvyn, V.V. Milenin, V.F. Mitin, V.V. Shynkarenko – Kharkiv: NTC “Institute for Single Crystals”, 2007.– 216 p. ISBN 966-02-2555-5 ; Download: KonakovaActiveActions.pdf (3.9 MB)

The monograph deals with the physico-technological aspects of interaction of microwave radiation with semiconductor materials and device structures made on their basis. The effect of active actions (microwave treatment, 60Со γ-irradiation and rapid thermal annealing) on the processes of structural relaxation in the ТіВ₂–GaAs (InP, GaP, SiC) contacts is considered. An analysis is made of the features of the effect of microwave and 60Со γ-radiation on the electrical characteristics of resonant tunneling diodes made on the basis of AlGaAs–GaAs heterojunctions, as well as gallium arsenide tunnel diodes with a delta-layer in the space-charge region. The experimental data on the effect of microwave radiation on defect modification in the SiO₂–GaAs (SiC) structures are presented. The effects in the nanocrystalline silicon–silicon systems induced by microwave radiation are considered. Much space is given to the effects produced by microwave and ⁶⁰Со γ-irradiation in the Та₂О₅–Si structures, depending on the conditions of Та₂О₅ formation. The monograph is intended for researchers and those engaged in development of microwave devices. It may be of use also to post-graduates and undergraduates specializing in the corresponding areas.

В монографії розглянуті фізико-технологічні аспекти взаємодії НВЧ ви-промінювання з напівпровідниковими матеріалами та приладовими структу-рами на їх основі. Показано вплив активних обробок (НВЧ обробка, γ-опромінювання ⁶⁰Со і швидкий термічний відпал) на процеси структурної релаксації в контактах TiB₂-GaAs (InP, GaP, SiC). Проаналізовані особливо-сті впливу НВЧ і γ-випромінювання 60Со на електричні характеристики резонансно-тунельних діодів на основі гетеропереходів AlGaAs—GaAs і арсенідгалієвих тунельних діодів з дельта-шаром в області просторового заряду. Наведені експериментальні дані з впливу НВЧ випромінювання на модифікацію дефектів в структурах SiO₂-GaAs (SiC). Розглянуті стимульовані НВЧ випромінюванням ефекти в системах нанокристалічний кремній—кремній. Значне місце відведено ефектам, викликаним НВЧ і γ-опромінюванням 60Со в структурах Та₂O₅—Si, в залежності від умов формування Та₂O₅. Монографія призначена для наукових працівників і розробників НВЧ приладів. Вона може бути корисною також аспірантам і студентам вузів, які навчаються за відповідними спеціальностями.