Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Національна академія наук України

Пошук

Про нас

welcome

Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України було засновано у 1960 році на базі відділів та лабораторій Інституту фізики АН УРСР  на виконання  постанови   Ради  Міністрів УРСР  від  3 вересня 1960 р.   №1449   «Про організацію  у складі Академії наук УРСР Інституту напівпровідників» та відповідної постанови Президії АН УРСР від 7.10.1960 р. На той час в Інституті фізики діяли наукові школи з фізики нерівноважних процесів у напівпровідниках і теорії напівпровідників, очолювані академіком АН УРСР, проф. Вадимом Євгеновичем Лашкарьовим і д.ф.-м.н., проф. Соломоном Ісаковичем Пекарем. Серед заснованих в НАН України премій імені видатних учених України є премії імені В.Є. Лашкарьова і С.І. Пекаря. Великий внесок у створення і організацію подальшої діяльності  Інституту зробили також перші керівники науково-дослідних відділів і   лабораторій,  створених   у 1960-1961 роках:   д.ф.-м.н.  М.Ф. Дейген,  к.ф.-м.н.  М.П. Лисиця,   д.ф.-м.н.,  проф.  В.І. Ляшенко,   к.х.н.  І.Б. Мізецька,  к.ф.-м.н. О.Г. Міселюк,  к.ф.-м.н. А.І. Даценко, к.ф.-м.н. Е.Й. Рашба, к.т.н. С.В. Свєчніков,  к.ф.-м.н. О.В. Снітко,  к.ф.-м.н.  Г.А. Федорус.

  Згідно з постановою Президії АН України від 30.12.1992р. №353 Інститут напівпровідників перейменовано на «Інститут фізики напівпровідників».Розпорядженням Кабінету Міністрів України від 25.12.2002р. №714-р “Про присвоєння Інституту фізики напівпровідників Національної академії наук України імені В.Є.Лашкарьова” і відповідною постановою Президії НАН України від 04.02.2003р. №6 Інституту присвоєно ім’я В.Є.Лашкарьова. З 1960 р. по 1970 р. першим директором Інституту був академік АН УРСР Вадим Євгенович Лашкарьов (1903-1974 рр.). З 1970 р. по 1990 р. Інститут очолював академік АН УРСР Олег Вячеславович Снітко (1928-1990 рр.). З 1991 р. по 2003 р. директором Інституту був академік НАН України Сергій Васильович Свєчніков. З 2003 р. по 2014 р. Інститут очолював академік НАН України Володимир Федорович Мачулін. З 2014 р. Інститут очолює член-кореспондент НАН України Олександр Євгенович Бєляєв. В Інституті працювали і працюють відомі українські вчені, серед них 6 академіків НАН України: В.Є.Лашкарьов (1903-1974 рр.), М.П.Лисиця (1921-2012 рр.), С.І.Пекар (1917-1985 рр.), С.В.Свєчніков (1926-2017 рр.), О.В.Снітко (1928-1990 рр.), В. Ф. Мачулін (1950-2014 рр.); 14 членів-кореспондентів НАН України: О.Є.Бєляєв, М.Я.Валах, Є.Ф.Венгер, М.Ф.Дейген (1918-1977 рр.), В.П. Кладько, В.О. Кочелап, В.С.Лисенко, В.Г.Литовченко, Б.О.Нестеренко (1938-2003 рр.), П.Ф. Олексенко, Ф.Ф. Сизов, В.М. Сорокін, К.Б. Толпиго (1916-1998 рр.), М.К. Шейнкман (1929-2009 рр.). На початку 2015 р. в Інституті працює 82 докторів наук (серед них 51 професорів), 212 кандидати наук. Дослідження і розробки проводяться 8 науковими відділеннями (теоретичних проблем, фотоелектроніки, оптоелектроніки, оптики напівпровідників, фізики поверхні та мікроелектроніки, фізико-технологічних проблем напівпровідникової інфрачервоної техніки, технології і матеріалів сенсорної техніки, структурного та елементного аналізу напівпровідникових матеріалів і систем). До складу відділень входять науково-дослідні підрозділи: 21 відділів та 18 лабораторій, що очолюються переважно докторами наук. Інститут здійснює плідне наукове та науково-технічне співробітництво з рядом університетів і наукових центрів США, Великої Британії, Франції, Італії, Іспанії, Ізраїлю, Японії, Німеччини, Китаю та ін, а також підтримує тісні наукові контакти з провідними науковими установами Росії та інших країн-членів СНД, Прибалтики. Інститут видає збірник "Оптоэлектроника и полупроводниковая техника" і журнал "Semiconductor Physics. Quantum Electronics & Орtоеlеctronics", який у повному обсязі видається і поширюється англійською мовою. Велика увага приділяється вихованню і підготовці наукових кадрів. В Інституті діє аспірантура і докторантура, працюють спеціалізовані вчені ради по захисту дисертацій на здобуття наукового ступеня доктора наук (зі спеціальностей: 01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків; 01.04.18 – фізика і хімія поверхні; 05.12.20 оптоелектронні системи) і кандидата наук (зі спеціальностей: 01.04.01 – фізика приладів, елементів і систем; 01.04.07 – фізика твердого тіла; 05.27.01 – твердотільна електроніка; 05.27.06 - технологія, обладнання та виробництво електронної техніки), здійснюється підготовка кадрів через аспірантуру (зі спеціальностей: 01.04.07 – фізика твердого тіла; 01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків; 05.12.20 – оптоелектронні системи; 05.27.01 – твердотільна електроніка; 05.27.06 - технологія, обладнання та виробництво електронної техніки) та докторантуру (зі спеціальності: 01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків). В Інституті діють наукові збори, на яких заслуховуються наукові доповіді провідних вітчизняних і зарубіжних вчених, а також матеріали докторських дисертацій. Для молодих дослідників організуються читання курсів лекцій провідними українськими вченими. В Інституті діє Рада молодих дослідників. Періодично проводяться Лашкарьовські читання для молодих вчених. Залученню талановитої молоді як на роботу в Інститут, так і до навчання в аспірантурі сприяє те, що: провідні вчені Інституту читають курси лекцій в навчальних закладах України (Київському національному університеті імені Тараса Шевченка, Київському політехнічному університеті та інших); групи студентів постійно проходять бакалаврську, магістерську, виробничу, переддипломну та дипломну практику, науковими керівниками котрих є кваліфіковані науковці і спеціалісти (кандидати і доктори наук), частина випускників залишається в Інституті; вчені Інституту беруть активну участь в Днях відчинених дверей, що проводяться вищими навчальними закладами України. При Інституті фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України діє госпрозрахункове Спеціальне конструкторсько-технологічне бюро з дослідним виробництвом (СКТБ з ДВ). Інститут активно використовує нові форми організації наукових досліджень та впровадження їх результатів. Так, в Інституті діють наступні організації і підрозділи:
- технологічний парк "Напівпровідникові технології і матеріали, оптоелектроніка та сенсорна техніка";
- центр колективного користування приладами НАН України „Діагностика напівпровідникових матеріалів, структур та приладних систем”;
- випробувальна лабораторія голографічних захисних елементів (сертифікована за міжнародним стандартом ISO 9001);
- центральна випробувальна лабораторія напівпровідникового матеріалознавства (атестат акредитації Укр. Державного виробничого центру стандартизації, метрології та сертифікації за №ПТ-0400/01 від 28.12.2001р.);
- центр випробувань фотоперетворювачів та фотоелектричних батарей (атестат акредитації Держспоживстандарту України за № ПТ-0327/03 від 20.04.2003 р.);
- центр випробувань і діагностики напівпровідникових джерел світла та освітлювальних систем на їх основі.