Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Національна академія наук України

Пошук

1. D. Coquillat, V. Nodjiadjim, S. Blin, A. Konczykowska, N. Dyakonova, C. Consejo, P. Nouvel, A. Pènarier, J. Torres, D. But, S. Ruffenach, F. Teppe, M. Riet, A. Muraviev, A. Gutin, M. Shur, and W. Knap, “High-speed room temperature terahertz detectors based on InP double heterojunction bipolar transistors” / Int. J. High Speed Electron. Syst., vol. 25, no. 3–4, 2016.