Расслоение твёрдого раствора GeSi на подложках GaAs и Si

V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of National Academy of Sciences of Ukraine

Е.Ф. Венгер, Л.А. Матвеева, П.Л. Нелюба // Известия вузов. Материалы электронной техники, №4, с.8-11 (2012)

Nav view search