V. E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics

Деталі: Перегляди: 14383

Відділ кінетичних явищ та поляритоніки

Керівник

кандидат фізико-математичних наук

Мамикін Сергій Васильович

Тел./факс:(+38044)525 65 46
ел. пошта: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

Дослідження

Основні напрямки наукової і науково-технічної діяльності відділення:

- теоретичне та експериментальне дослідження електронних і поляритонних явищ на поверхні і межах поділу напівпровідників з метою підвищення ефективності взаємодії світла з твердотільними структурами (поляритонна оптоелектроніка, зокрема плазмоніка);

дослідження оптичних властивостей низьковимірних (1D, 2D) структур, профільованих поверхонь напівпровідників, нанокомпозитних середовищ, нанорозмірних плівок та їх інтерфейсів в різноманітних твердотільних структурах поляритонної оптоелектроніки;

– практичне застосування ефектів плазмоніки для підвищення ефективності елементів фотовольтаїки та сенсорики;

- вивчення фото- та термостимульованих процесів у тонкошарових структурах, зокрема фазово-структурних перетворень, зміни ближнього та середнього порядку, фотостимульованої дифузії;

- дослідження оптичних, люмінесцентних та електрофізичних властивостей тонкоплівкових гетерофазних структур в т.ч. з включенням частинок нанометрових розмірів;

- розробка високороздільних неорганічних резистів, тонкоплівкових структур для оптики, електроніки та технологій їх практичного застосування.

Основні напрями наукових досліджень відділу:

електричні і гальваномагнітні властивості напівпровідників і напівпровідникових наноструктур;

акустоелектронна релаксаційна спектроскопія складних домішкових нанодефектів у напівпровідникових матеріалах та гетероструктурах;

біосенсорика.

Більш детально, робота відділу включає:

дослідження гальваномагнітних явищ в квантово-розмірних напівпровідникових системах (діодних (RTD) та транзисторних (FET, HEMT) гетероструктурах на основі нітридів металів підгрупи Al; кремнієвих транзисторних наноструктурах Si-NW FET), що виникають в умовах сильних магнітних та електричних полів при кріогенних та кімнатних температурах;

дослідження міждефектної взаємодії в монокристалах кремнію, вирощених різними методами (методом Чохральського, безтигельною зонною плавкою (БЗП) та БЗП з електронно-променевим розплавом зони) з різним ступенем легування та різним вмістом фонових домішок (кисню, вуглецю, та ін.) в умовах впливу на них різних зовнішніх чинників (магнітних полів, пружної та пластичної деформації, термічних обробок, жорсткої радіації та інших);

дослідження взаємодії об'ємних і поверхневих хвиль з мікро- і нанорозмірними об'єктами, розташованими поблизу або на поверхні. Дослідження поверхонь твердотільних структур, що базується на просторовому розподілі інтенсивності розсіяного світла, його поляризаційних властивостях. Динамічні дослідження за даними розсіювання світла структур з колоїдними мікро- і нано-частинками під дією зовнішніх полів. Застосування пружного розсіювання світла для контролю стану поверхні напівпровідникових пластин, оптичних поверхонь типу металевих дзеркал, та інших;

вивчення особливостей явищ переносу носіїв заряду в об’ємних напівпровідниках А2В6, А3В5 та кристалах ІV групи (Ge, Si); встановлення фізичних закономірностей модифікації структури дефектів під впливом акустичних хвиль у напівпровідникових кристалах різних типів та різної структурної якості та приладах на їх основі; вивчення механізмів акусто- дефектної взаємодії та розробка методів акустостимульованого покращення електричних і фотоелектричних параметрів;

дослідження особливостей фізичних процесів на межі розділу фаз гомо- і гетероструктур, розвиток методів метрики параметрів напівпровідникових матеріалів і діодних температурних сенсорів;

дослідження адсорбційних властивостей, чутливості та селективності сенсорів і сенсорних масивів з каліксареновими та полімерними чутливими шарами.

Основні напрямки наукової і науково-технічної діяльності лабораторії:

1. Сонячна енергетика

Розробка технології отримання просвітлюючих та пасивуючих плівок, дослідження та оптимізація їх характеристик;

Розробка та оптимізація технологій виготовлення тонкоплівкових фотоелектроперетворювачів на основі плівок AIIBVI та кестеристів;

Відпрацювання технології покращення властивостей і виготовлення сонячних модулів на основі кремнію наземного та космічного призначення;

Розробка та оптимізація опорно-поворотних та слідкуючих фотовольтаїчних систем;

Оптимізація методу гарячого вакуумного ламінування;

Розробка методів безвакуумної інкапсуляції сонячних модулів;

Розробка та виготовлення технологічного обладнання і оснастки для виготовлення сонячних модулів.

2. Енергонакопичуючі прилади

Розробка технологій покращення характеристик складових частин високопотужних суперконденсаторів;

Розробка нових технологій формування електродів на основі вуглецю для акумуляторних батарей;

Вивчення електрохімічних властивостей нанопористих вуглецевих матеріалів та структури подвійного електричного шару на границі розділу вуглецевий матеріал-електроліт;

Гібридні акумуляторно-суперконденсаторні джерела живлення;

Визначення основних характеристик високопотужних суперконденсаторів.

3. Технологія газодетонаційного осадження покриттів

Розробка технології осадження біосумісних покриттів для медичних імплантатів;

Відпрацювання технології осадження зносостійких та високотемпературних покриттів.

Склад відділу

		Заступник зав.відділу Насека Юрій Миколайович старший науковий співробітник, доктор фізико-математичних наук тел.: +380 (68) 117 87 15 ел.пошта: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
		Індутний Іван Захарович головний науковий співробітник, доктор фізико-математичних наук, професор тел.: +38 (044) 525-63-42 ел. пошта: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
		Шварц Юрій Михайлович провідний науковий співробітник, доктор фізико-математичних наук тел.:+38 (044) 525 74 63 внутр. тел.: 7-79 ел. пошта: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
		Данько Віктор Андрійович провідний науковий співробітник, доктор фізико-математичних наук тел.: +38 (044) 525-32-44 ел. пошта: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
		Охріменко Ольга Борисівна провідний науковий співробітник, доктор фізико-математичних наук тел.: +38 (044) 525-62-61 внутр. тел.: 3-17 ел. пошта: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

		Кошець Ігор Анатолійович старший науковий співробітник, кандидат фізико-математичних наук тел.:+38 (044) 525-97-98 внут.тел.: 2-43 ел. пошта: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
		Минько Віктор Іванович старший науковий співробітник, кандидат фізико-математичних наук тел.:+38 (044) 525 57 77 внутр. тел.: 2-91 ел. пошта: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

		Темченко Володимир Павлович старший науковий співробітник, кандидат технічних наук тел.:+38 (044) 525 52 78 ел.пошта : Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
		Шинкаренко Олена Вікторівна старший науковий співробітник, кандидат фізико-математичних наук ел.пошта: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
		Михайловська Катерина Василівна старший науковий співробітник, кандидат фізико-математичних наук тел.:+38 (044) 525 57 77 ел.пошта: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
		Смертенко Петро Семенович старший науковий співробітник, кандидат фізико-математичних наук тел.: +38 (044) 525 64 77 внутр. тел.: 3-26 ел.пошта: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її. Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
		Алейніков Андрій Борисович старший науковий співробітник, кандидат фізико-математичних наук тел.:+38 (044) 525-83-14 внутр.тел.: 4-73 ел. пошта: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
		Тимочко Микола Дмитрович старший науковий співробітник, кандидат фізико-математичних наук тел.:+38 (044) 525-62-56 внутр. тел.: 3-11 ел. пошта: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
		Кудрик Ярослав Ярославович старший науковий співробітник, кандидат технічних наук тел.:+38 (044) 525 61 82 внутр. тел.: 5-14 ел.пошта: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
		Борблик Віталій Леонідович кандидат фізико-математичних наук, старший науковий співробітник тел.: +38 (044) 525 62 92 внутр. тел.: 7-10 ел. пошта: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
		Сопінський Микола Вікторович старший науковий співробітник, кандидат фізико-математичних наук тел.: +38 (044) 525-32-44 ел. пошта: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
		Лозінський Володимир Борисович старший науковий співробітник, кандидат технічних наук тел.: +38 (044) 525 62 02 внутр. тел.: 5-25 ел. пошта: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її. , Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
		Шварц Марина Михайлівна науковий співробітник, кандидат фізико-математичний наук тел.:+38 (044) 525 74 63 внутр. тел.:7-79
		Лук'янов Анатолій Миколайович науковий співробітник, кандидат фізико-математичних наук тел.: +38 (044) 525 57 55 внутр. тел.: 5-25 ел.пошта: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
		Міленін Григорій Володимирович кандидат технічних наук, науковий співробітник тел.: +38 (044 ) 525-61-82 внутр. тел.: 3-40 ел. пошта: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
		Рощина Ніна Миколаївна науковий співробітник, кандидат технічних наук тел.: +38 (044) 525-66-67 внутр. тел.: 3-26 ел.пошта: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її. Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
		Барлас Тетяна Рудольфівна старший науковий співробітник, кандидат фізико-математичних наук тел.:+38 (044) 525 65 46 ел. пошта: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
		Романюк Володимир Романович старший науковий співробітник, кандидат фізико-математичних наук тел.: +38 (044) 525 65 46 ел. пошта: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

		Бойко Микола Іванович старший науковий співробітник, кандидат технічних наук тел.: +38 (044) 525-64-73 ел.пошта : Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
		Редько Світлана Миколаївна молодший науковий співробітник внутр. тел.: 3-95 ел.пошта: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
		Райчева Валентина Григорівна молодший науковий співробітник тел.: +38 (044) 525-83-14 внутр. тел.: 2-75 ел. пошта: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
		Захаренко Оксана Миколаївна молодший науковий співробітник тел.: +38 (044) 525-61-86 внутр. тел.: 3-05 ел. пошта: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
		Яструбчак Оксана Богданівна старший науковий співробітник, кандидат фізико- математичних наук тел.: +38 (044) 525-57-75 ел.пошта : Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
		Мамонтова Ірина Борисівна науковий співробітник, кандидат фізико-математичних наук тел.: +38 (044) 525 65 46

		Лящук Юрій Миколайович молодший науковий співробітник тел.: +38 (044) 525-83-14 внутр. тел.: 2-75 ел. пошта: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
		Голєніщева Раїса Андріївна молодший науковий співробітник тел.: +38 (044) 525-12-28 внутр. тел.: 2-11 ел. пошта: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
		Котова Наталія Василівна молодший науковий співробітник тел.: +38 (044) 525 50 70
		Рябченко Юрій Сергійович науковий співробітник, кандидат фізико-математичних наук тел.: +38 (044) 525 12 28 внутр. тел.: 5-82 E-mail: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
		Лунько Тетяна Сергіївна молодший науковий співробітник тел.: +38 (044) 525 50 70
		Калюжний Владислав Віталійович аспірант тел.: +38 (044) 525 83 14 ел. пошта: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.
		Рудзинський Віктор Станіславович провідний інженер (технік) тел.:+38 (044) 525 12 28
		Штикало Олександр Вікторович інженер 2 категорії тел.: +38 (044) 5256546
		ГОРОБЕЙ Оксана Ярославівна Аспірант, пров. інж. тел.:+38 (044) 525-83-14 внутр. 4-73 e-mail: Ця електронна адреса захищена від спам-ботів. вам потрібно увімкнути JavaScript, щоб побачити її.

Досягнення

- При дослідженні магнітотранспорту в номінально нелегованих гетероструктурах AlGaN/GaN з різним ступенем квантової локалізації отримане уточнене значення ефективної маси 2DEG на краю зони провідності GaN, яке дорівнює (0.2±0.01)·m0;

- З’ясовано особливості квантової локалізації 2DEG в модульовано-легованих та номінально
нелегованих гетероструктурах AlxGa1-xN/GaN внаслідок полів спонтанної та п’єзоелектричної поляризації, прояснено рекомбінаційну природу довгохвильової фотолюмінесценції, показано вплив домішкових центрів на рекомбінацію носіїв;

- Ідентифіковано "акустоактивні дефекти" в бездислокаційних γ-опромінених кристалах Si. Встановлено, що такими дефектами є: в Si-Cz зразках – А-центри і дивакансії; в Si-Fz зразках – дивакансії і комплекси Ps-Ci;

- У дислокаційних кристалах СdTe запропоновано механізм дифузійної перебудови дислокаційних кластерів на час дії ультразвуку;

- Встановлено закономірності впливу акустичних хвиль на процеси релаксації нерівноважних дефектів при йонній імплантації в пластини й структури кремнію. Показано, що саме нерівноважність і лабільність дефектів є головними чинниками їхньої ефективної взаємодії з акустичними хвилями;

- Показано, що всі відомі акустостимульовані явища у напівпровідниках за характером дії акустичної хвилі, способом її виявлення та за функціональними можливостями застосування, можна розділити на три окремі класи: а) динамічні; б)технологічні; в) інформаційні.

- Реконструкція атомної структури поверхні кремнієвих пластин відповідно до просторового розподілу розсіяного світла; Виявлений ефект гігантського підсилення розсіювання поверхневих плазмон-поляритонів; Отримано одні з найперших даних по розсіюванню поверхневих і об'ємних хвиль металевими наночастинками;

- Розроблені способи для розмежування топографічного розсіювання рельєфом поверхні та розсіювання на нетопографічних джерелах, таких як дефекти структури, включення інших хімічних компонентів тощо. Таке розсіювання не тільки продемонстровано, але й визначено параметри нетопографічних джерел дефектів.

- Досліджено адсорбційні властивості нових спеціально синтезованих наноструктурованих матеріалів-сорбентів: функціоналізованих каліксаренів, непровідних полімерів, композитів “полімер-каліксарен” та похідних b- циклодекстринів. Продемонстровано, що специфічність адсорбційної взаємодії нових нанопоруватих матеріалів щодо широкого класу органічних летючих молекул, зокрема, спиртів, ароматичних та хлорорганічних сполук, кетонів та ін., визначається особливостями структури нанопор та заміщуючих груп молекул-сорбентів. Визначено чутливість нових матеріалів до широкого спектру органічних молекул;

- Створено технологію виготовлення тонких плівок хімічно-модифікованих каліксаренових сполук, які забезпечують достатню чутливість та роздільну здатність по відношенню до летких органічних розчинників.

Найбільш вагомі наукові і науково-технічні результати:

1. Показано, що осадження АВП на кремнієві наноструктури є перспективним як для більш
ефективного використання УФ частини сонячного спектра при використанні наноструктур у складі СЕ, так і для поліпшення деградаційної стійкості самих наноструктур. При використанні Si наноструктур для перевипромінювання світла важливо не тільки збільшення загальної (інтегральної) інтенсивності ФЛ, але і факт зміщення максимуму смуги ФЛ до значень, дуже близьких до максимуму спектральної чутливості кремнієвих СЕ.

2. Розроблено технологію виготовлення сонячних модулів з застосуванням нових матеріалів.
Для сонячних модулів, виготовлених на основі тонких кремнієвих монокристалічних фотоперетворювачів з розмірами 156х156 мм та товщиною 150 мкм, розроблено технологію інкапасуляції рідкими прозорими кремнійорганічними двокомпонентними заливочними герметиками. Розроблено та виготовлено технологічну оснастку для виконання цієї технологічної операції. Виготовлено та протестовано макетні зразок силового сонячного модуля та сонячної батареї із застосуванням даної технологічної операції.

3. Вперше показано, що попередні плазмові обробки і осадження алмазоподібних вуглецевих
плівок (АВП) покращують стійкість сонячних елементів на основі кремнію та оптичних елементів інфрачервоної оптики на основі кристалів GaAs до дії g- опромінення. При цьому інтегральне пропускання після γ-опромінення з дозою 1,41×107 рад для зразка GaAs без АВП падає в 1,35 рази, тоді як для зразків з АВП тільки в 1,06 (обробка в плазмі Ar+) і в 1,1 рази (обробка в плазмі H+) відповідно. Це свідчить про значно вищу радіаційну стійкість структур з АВП порівняно з незахищеним кристалом напівізолюючого GaAs. Пропускання структури АВП–GaAs після дії g–опромінення може навіть перевищувати пропускання вихідної (неопроміненої) структури. Даний ефект зумовлений як зміною властивостей кристала GaAs, так і структурною модифікацією АВП під дією g–квантів.

4. Проведено експериментальне дослідження залежності внутрішнього опору суперконденсатора (СК) від товщини вуглецевої енергонакопичуючої складової електрода.
Встановлено гарну кореляцію експериментальних даних з результатами теоретичних розрахунків, що підтвердило правильність запропонованої моделі. На основі співставлення результатів теоретичного моделювання і експерименту визначено оптимальні товщини електродів СК. Досліджено можливість використання блоку суперконденсаторів спільно з акумулятором в ролі гібридного джерела живлення для енергозабезпечення системи орієнтації в сонячній електростанції. Запропоновано електронний пристрій захисту блоку СК від розбалансування. Розроблено та апробовано фізико-технічні принципи роботи слідкуючих систем для сонячних модулів з застосуванням суперконденсаторів та п’єзоелектричних двигунів.

5. Встановлено, що властивості біоактивних шарів на основі гідроксиапатиту, сформованих на медичних імплантатах, виготовлених з титану, методом газодетонаційного осадження (ГДО), відповідають всім вимогам до властивостей шарів такого типу, зокрема: структура ГД покриття відповідає структурі вихідного порошку ГАП, в покритті не спостерігається появи нових фаз і суттєвої аморфізації; в ГД шарі не виявлено сторонніх шкідливих домішок, зумовлених технологічним процесом ГДО. Для запобігання відшаровування біоактивного покриття на сітках для краніопластики запропоновано використовувати двошарове покриття з першим буферним шаром на основі ZrO2 + ГАП або Al2O3 та зовнішнім біоактивним шаром на основі ГАП. Крім того, наявність буферного біоінертного шару на металі запобігатиме безпосередньому контакту тканин організму з металом у випадку резорбції верхнього біоактивного шару.

6. Запропоновано новий метод виготовлення структур з покращеними механічними властивостями на основі системи кераміка – біоінертне покриття – біоактивне покриття, отримане методом ГДО. Показано, що завдяки осадженню запропонованої шаруватої структури механічні властивості імпланта (міцність на злам і модуль пружності) можуть бути покращені. Оптимальним з точки зору покращення механічних властивостей (міцність на злам і модуль пружності) імплантата на основі такої шаруватої структури є використання композитного буферного шару, виготовленого з суміші Al2O3+ ZrO2(4% Y2O3). Проведені дослідження in vivo та in vitro дозволяють зробити висновок, що біоморфна кераміка на основі SiC з біосумісними покриттями за своїми характеристиками є найбільш споріднена до кісткової тканини. Застосування структур на основі біоморфної карбідокремнієвої кераміки з біоактивними шарами на основі ГАП може дозволити вирішити проблему утворення фіброзної капсули навколо біоінертного імплантата.

7. Експериментально встановлено, що максимальна питома площа поверхні пор, яку можна отримати шляхом додаткової активації пористого вуглецевого матеріалу лугами не перевищує 2600м2/г. Показано, що питома ємність електрохімічної системи пористий вуглецевий електрод/органічний електроліт нелінійно залежить від розміру пор і набуває максимального значення коли пори стають однаково доступні для катіонів та аніонів електроліту.На основі розроблених підходів розроблено та виготовлено макетні зразки суперконденсаторів ємністю 300 Ф і 4000 Ф з покращеними характеристиками.

8. Експериментально встановлено, що плівки нестехіометричного карбіду кремнію можуть успішно застосовуватися для поліпшення пропускання оптичних елементів на основі германію в спектральному діапазоні 2,5 - 10 μm. Просвітлення германію розробленими
плівками дозволяє збільшити пропускання до ~ 65% (λ = 4 μm), до ~ 58,6% (λ = 8,5 μm) при односторонньому просвітленні. Двостороння просвітлення збільшує пропускання до ~ 96% (λ = 4 μm) та до ~ 76,9% (λ = 8,5 μm). Оптимізація технології осадження дозволила отримати плівки, що характеризуються оптимальним співвідношенням оптичних і механічних властивостей. Отримані плівки є однорідними за складом і характеризуються високою адгезією до підкладинки. Зміна умов осадження дозволяє отримувати плівки a-SixC1-x:H, що мають високі значення твердості (Н) та модуля Юнга (Е). Високе значення Н/Е свідчить про гарну зносостійкість розроблених плівок.

9. Розроблено технологію осадження нових деградаційно-стійких захисних та просвітлюючих покриттів на основі карбідокремнієвих та карбонітридних плівок для покращення характеристик приладів та оптичних елементів на основі кремнію. Застосування розроблених покриттів дозволило досягти максимального пропускання більш ніж 99% в області фоточутливості кремнієвих сонячних елементів та та в області застосування кремнієвих оптичних елементів в волоконно-оптичних системах (в області телекомунікаційних вікон).

Розробки

Плазмон-поляритонний фотодетектор (ППФ)

Призначення: Реєстрація кута падіння світла, його поляризації або довжини хвилі. Реєстрація стану приповерхневої області фотодетектора, як основа для побудови високочутливих сенсорів плазмон-поляритонного типу. Для використання в оптичних лабораторіях, медицині, біології та охороні навколишнього середовища.
Характеристики:

Параметр	Технічні показники пристрою на основі
	GaAs	Si
Плазмон-несучий метал	Au
Робоча довжина хвилі світла λ, нм	600-830	600-1000
Максимальна поляризаційна чутливість (λ=750 нм), I_p/I_s	6:1	3:1
Кутова півширина максимума резонансу, Δθ	4.5
Фоточутливість в максимумі резонансу, A/Вт	0.12

Переваги: Плазмон-поляритонний фотодетектор в порівнянні з призмовими системами для збудження і реєстрації поверхневого плазмонного резонансу (ППР) має простішу конструкцію, хороші резонансні властивості та малі габарити. Один елемент використовується для збудження ППР, і для його реєстрації. Від аналогічних приладів з бар’єром Шоткі відрізняється плоскою межею поділу між золотом і напівпровідником, що покращує резонанс, зменшує поверхневу рекомбінацію і темнові струми. Низький вміст золота та можливість виготовлення масиву елементів на одному кристалі дозволяє отримати низьку собівартість пристрою. Можливе створення багатоканальної системи вимірювання без додаткових реєструючих елементів. Може бути основою для побудови універсального пристрою з багатофункціональними сенсорними можливостями (оптохімічні сенсори, або фотодетектори селективні до поляризації, довжини хвилі, кута падіння світла).


Фотографія та СЕМ зображення поверхні розробленого плазмон-поляритонного фотодетектора Au/GaAs з мікрорельєфом дифракційної гратки з періодом 750 нм.

Спектральні характеристики фотоструму розроблених плазмон-поляритонних фотодетекторів Au/GaAs (1,2) та Au/Si (3,4) для світла р- (1,3) та s-(2,4) поляризації.

Кутові залежності фотоструму плазмон-поляритонних фотодетекторів Au/GaAs (1) та Au/Si (2) для р- поляризованого світла.

Приклад використання плазмон-поляритонного фотодетектора у приладі для визначення показника заломлення рідини

Запропоновано і розроблено методику використання акустичних хвиль в процесі йонного легування. Запатентовано метод формування надмілких p-n переходів з використанням імплантації з in-situ УЗО (Патент US 6.358.823.31);

- Розроблено нові акустоелектронні методики дослідження складних домішкових дефектів у напівпровідникових матеріалах та гетероструктурах (акустичний гоніометр, динамічний акустохолл, термоакустичний відпал, релаксаційна спектроскопія);

- Розроблено метод реконструкції структури поверхні за допомогою просторового розподілу пружно розсіяного світла;

- Розроблені та реалізовані експериментальні установки для послідовного (установка Рассвет) та паралельного (еліпсометрична установка) вимірювання напівсфери розподілу розсіяного світла;

- Розроблено метод та реалізовані вимірювання мапи шорсткості поверхні в субнанометровому діапазоні (еліпсометрична установка);

- Розроблена методика та реалізовані вимірювання мікроструктури розсіяного світла в околиці розсіюючих центрів (мікрорефлектометрична установка);

- Розроблено лабораторну установку та малогабаритну багатоканальну сенсорну систему для дослідження рН- та іонного складу електролітів на основі ІСПТ, модифікованих плівками
каліксаренів;

- Розроблено та створено низку лабораторних стендів та діючих макетів газових аналізаторів типу “електронний ніс”, зокрема, “ГАЗ-1” та “ГАЗ-2”, із необхідним програмним забезпеченням;

малюнок

Сонячна батарея потужністю 150 Вт в умовах АМ1,5.

...

Обладнання

Інновації

текст...

Проєкти

1. Тема ІІІ-02-11 (2011-2015 рр.): «Дослідження оптичних та електронних явищ в штучностворених однорідних і неоднорідних середовищах для розробки нових технологій оптоелектронного і мікросистемного приладобудування». Назва теми наукових досліджень у відділі «Дослідження підсилення і локалізації електромагнітного випромінювання при взаємодії з твердим тілом за участю елементарних і колективних поверхневих збуджень з метою практичного використання в поляритонній оптоелектроніці, сенсориці і фотовольтаїці».
2. Тема ІІІ-02-16 (2016-2020 рр.) «Дослідження особливостей хвильових оптичних явищ наноструктурованих/нанокомпозитних середовищ та розробка технології функціональних матеріалів і структур оптоелектроніки». Назва теми наукових досліджень у відділі «Локалізація електромагнітного випромінювання та підсилення взаємодії в гетероструктурах та нанокомпозитах за участі поверхневих збуджень для застосування в поляритонній оптоелектроніці, фотовольтаїці та сенсориці».
3. Тема III-10-15 (2015-2017, 2018-2020) «Розробка методів одержання та метрологічного забезпечення складних напівпровідників та приладових структур». Назва теми наукових досліджень у відділі «Гетероструктури на основі пористих напівпровідників А3В5 для фотовольтаїки та сенсорних застосувань».
4. Тема III-10-18 ( 2018-2020) Назва теми наукових досліджень у відділі «Підвищення ефективності перетворення енергії світла в плазмонних та плазмон-поляритонних структурах на основі нанокомпозитів».
5. Тема 1.1.9/39 (2013-2017 рр.): «Державна цільова науково-технічна програма розроблення і створення сенсорних наукоємних продуктів». Назва проєкту у відділі «Розроблення і створення технологій вирощування багатошарових дифракційних ґраток для оптохімічних сенсорів та їх апробація на підприємствах електронної промисловості».
6. Тема ІІІ-4-16 (2018-2019) "Фізика та технологія багатофункціональних матеріалів та структур на основі оксидів металів, кремнію, сполук А3В5 та А2В6, призначених для використання у новітніх приладах оптоелектроніки, мікроелектроніки та НВЧ техніки". Назва теми наукових досліджень у відділі «Створення та дослідження оптичних та фотоелектричних властивостей нових нанокомпозитних матеріалів на основі кремнію та А3В5».
7. Тема III-41-12 (2012-2016 рр.): «Фізичні та фізико-технологічні аспекти створення і характеризації напівпровідникових матеріалів і функціональних структур сучасної електроніки». Назва теми наукових досліджень у відділі «Розробка поляритонних сонячних елементів на основі багатошарових періодично-неоднорідних наноструктур».
8. Тема III-41-17 (2017-2021 рр.): «Пошук та створення перспективних напівпровідникових матеріалів і функціональних структур для нано- та оптоелектроніки». Назва теми наукових досліджень у відділі «Розробка фотоперетворювачів на основі структур з поверхневих композитів з плазмон-активними включеннями».
9. Грант NATO SPS NUKR.SFPP 984617 (2015-2018 рр.) «Nanostructured metal-semiconductor thin films for efficient solar harvesting».

Гранти:

- УНТЦ проект №3922 «Новi технологiї генерацiї терагерцового та суб-терагерцового випромінювання з використанням нанорозмiрних напiвпровiдникових гетероструктур» (2006-2007 рр.)

- ДФФД проект №Ф25.2/098 «Дослідження електрофізичних та магнітних властивостей сучасних твердотільних наноструктур» (2006-2008 рр.)

- Грант НАН України для молодих вчених №4/19 «Дослідження електронних, змішаних плазмон-фононних та структурних особливостей в нітридних наноструктурах при нерівноважних умовах» (2011 – 2012 рр.)

- грант від German Academic Exchange Service (DAAD) A/14/02428-2014 "Electron transport properties of nanoscale quantum heterostructures based on III-nitride semiconductors for electronic biosensor applications" (у співробітництві с партнерами з Дослідницького центру з наноелектроникі м. Юлих, Німеччина) (2014 р.)

- Спільний українсько-німецький BMBF проект 01DK13016 “Device Inspiring Research and Technology Demonstration and Assessments for High-Speed and Low-Energy Nanowire Transistors” (2013-2016)

Проект № 2.4.4.23/2-ДП "Розроблення та впровадження у виробництво високоефективної низькотемпературної плазмової нанотехнології осадження наноструктурованих шарів нітридів алюмінію та бору для захисту поверхні активних елементів для діапазону надвисоких частот". (виконавці: М.І. Клюй, І.Д. Северінова, С.М. Заяць)

Проект № 31/1.2.5.1/2 "Розроблення елементів технології створення високонадійних суперконденсаторів для живлення автономних інтелектуальних світлодіодних систем освітлення - технології виробництва електродів на основі вуглецевих нанопористих матеріалів для суперконденсаторів з покращеними характеристиками". (виконавці: М.І. Клюй, В.Ю. Ізотов, С.М. Підмогільний, І. Кольцов, Д.М. Гавриков)

Проект № 107/13-Н "Нова технологія формування нанопористої карбідокремнієвої кераміки з наноструктурованими біоактивними та біоінертними покриттями для медичних імплантатів". (виконавці: М.І.Клюй, В.П. Темченко, І.Д. Северінова, В.С. Кисельов)

Проект № 66/17-Н «Нова технологія виробництва гібридних медичних імплантатів на основі нано- та мікропористої біоморфної карбідокремнієвої кераміки і наноструктурованих біосумісних покриттів». (виконавці: М.І.Клюй, В.П. Темченко, В.Б. Лозінський, А.М. Лук'янов, І.Д. Северінова, О.О.Сіренко)

Проект № M/39-2018 «Технологія покращення характеристик сонячних елементів осадження
алмазоподібних плівок» відповідно до наказів Міністерства освіти і науки України від 30.01.2018 р. № 79 «Про визначення основних напрямів використання бюджетних коштів відповідно до міжнародних договорів України на 2018 рік» та від 18.04.2018 р. № 388 «Про фінансування спільних українсько- китайських науково-дослідних проектів у 2018 році». (виконавці: М.І.Клюй, В.Б. Лозінський, В.П. Темченко, І.Д. Северінова, О.О. Сіренко)

Проект № M/36-2018 «Розробка біполярної технології для створення високопотужного блоку
суперконденсаторів» відповідно до наказів Міністерства освіти і науки України від 30.01.2018 р. № 79 «Про визначення основних напрямів використання бюджетних коштів відповідно до міжнародних договорів України на 2018 рік» та від 18.04.2018 р. № 388 «Про фінансування спільних українсько- китайських науково-дослідних проектів у 2018 році». (виконавці: М.І.Клюй, В.Б. Лозінський, В.П. Темченко, О.П. Слєпкін, М.Г. Душейко)

Проект № 66/18-Н «Нова технологія виробництва гібридних медичних імплантатів на основі нано- та мікропористої біоморфної карбідокремнієвої кераміки і наноструктурованих біосумісних покриттів».
відповідно до цільової комплексної програми фундаментальних досліджень НАН України «Фундаментальні проблеми створення нових наноматеріалів і нанотехнологій» та розпорядження Президії НАН України від 16.02.2018 №100 «Про затвердження переліку наукових проектів цільової комплексної програми фундаментальних досліджень НАН
України «Фундаментальні проблеми створення нових наноматеріалів і нанотехнологій» на 2018 рік» (виконавці: М.І.Клюй, В.П. Темченко, В.Б. Лозінський,І.Д. Северінова, О.О.Сіренко)

Проект № M/138-2019 «Вивчення впливу новітніх біоактивних покриттів на основі фосфатів
кальцію на деградацію ортопедичних магнієвих імплантатів» відповідно до наказів Міністерства освіти і науки України від 18 січня 2019 р. № 47 «Про визначення основних напрямів використання бюджетних коштів відповідно до міжнародних договорів України на 2019 рік» та наказом Міністерства освіти і науки України від 5 серпня 2019 р. № 1072 «Про фінансування спільних українсько-німецьких науково-дослідних проєктів у 2019 р.». (виконавці: М.І.Клюй, В.Б. Лозінський, В.П. Темченко, А.М. Клюй, І.Д. Северінова, О.О. Сіренко)

Проект № 66/19-Н «Нова технологія виробництва гібридних медичних імплантатів на основі нано- та мікропористої біоморфної карбідокремнієвої кераміки і наноструктурованих біосумісних покриттів». відповідно до Цільової комплексної програми фундаментальних досліджень НАН України «Фундаментальні проблеми створення нових наноматеріалів і нанотехнологій» на 2015–2019 рр. та розпорядження Президії НАН України від 19.02.2019 № 107 «Про затвердження переліку наукових проектів цільової комплексної програми фундаментальних досліджень НАН України «Фундаментальні проблеми створення нових наноматеріалів і нанотехнологій» на 2019 рік» (виконавці: М.І.Клюй, В.П. Темченко, В.Б. Лозінський,І.Д. Северінова, О.О.Сіренко)

Проєкти, що виконуються

10. НФДУ 2022.01/0126 «Розробка та впровадження нечутливого до пилу датчика диму на основі плазмон-поляритонного фотодетектора», конкурсу «Наука для відбудови України у воєнний та повоєнний періоди».

Науковий керівник проєкту зав.від., к.ф.м.-н., с.д. Мамикін С.В.
11. НФДУ 2022.01/0103 «Розробка технології біосумісних антибактеріальних покриттів ортопедичних імплантатів методом газово-детонаційного осадження для потреб військової та цивільної медицини», конкурсу «Наука для відбудови України у воєнний та повоєнний періоди».
Науковий керівник проєкту академік НАНУ Бєляєв О.Є.
12.ІЕЕЕ “Magnetism for Ukraine 2023” Magnetic field effect on resonant properties of surface plasmon-polariton photodetectors.

Науковий керівник проєкту Редько Р.А.
13. NATO 2024-2027 Science for Peace and Security G6197 "Plasmonically Enhanced Perovskite Thin Film Solar Cells".
Науковий керівник проєкту зав.від., к.ф.м.-н., с.д. Мамикін С.В.
14. Пріоритетна тема КПКВК 6541230 (шифр теми 801-1.П) 2023-2024 "Напівпровідникові матеріали з наноструктурованими поверхнями для нових засобів зв’язку, інфрачервоного бачення та інформаційних технологій".
Науковий керівник проєкту академік НАНУ Бєляєв О.Є.

Публікації

2022

Energy criterion for the stability of defects in semiconductor crystals to the action of external fields .

G. Milenin, R. Redko, S. Redko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2022. V. 25, No 1. P. 030-035. DOI:10.15407/spqeo25.01.030 Q4.
Femtosecond laser nano-structuring for surface plasmon resonance-based detection of uranium .

S.V. Mamykin, I.M. Gnilitskyi, M.G. Dusheyko, T.A. DeVol, V.N.Bliznyuk // Applied Surface Science, 576 (2022), 151831 https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2021.151831 Q1
Development of Solar Energy Systems Based on High Performance Bulk and Film Thermoelectric Modules .

Mamykin S., Mamontova I., Dzundza B., Gao F., Shneck R., & Dashevsky Z. // Journal of Solar Energy Research Updates.- 9.- 2022.- C. 38-51.https://doi.org/10.31875/2410-2199.2022.09.05
Дослідження ефективності збудження поверхневих плазмон-поляритонів на алюмінієвих гратках з урахуванням дифрагованого випромінювання

І. З. Індутний, В. І. Минько, М. В. Сопінський, В. А. Данько, П. М. Литвин. // Збірник наукових праць “Оптоелектроніка танапівпровідникова техніка”. Випуск 56, С. 71-82. (2021). https://doi.org/10.15407/iopt.2021.56.071
Vertically-aligned p-n junction Si solar cells with CdTe/CdS luminescent solar convertors

M. Semenenko, M. Dusheiko, G. Okrepka, R. Redko, S. Antonin, V. Hladkovskyi, V.Shvalagin, F. Gao, S. Shahan, and A. Sarikov, // Thin solid films V.761 (2022) 139536,https://doi.org/10.1016/j.tsf.2022.139536 (Q1).
Dependence of the conductivity of PEDOT: PSS-Carbon nanotubes composite films on the deposition method .

Mamykin S. V., Lunko T. S., Mamontova I. B., Kondratenko O. S., & Romanyuk V. R. // Molecular Crystals and Liquid Crystals. – 2022. – С. 1-7.https://doi.org/10.1080/15421406.2022.2068474
The influence of different ratio of Ar and CH66 gases and ion bombardment on the growth rate and sp3 bonds content in DLC-coatings synthesized in RF discharge.

Omarov A., Kalinichenko A., Strel'nitskij V., Nasieka I., Danylenko I., Boyko M., & Sabov T. (2022). Physics Letters A,128221. (Q2). IF = 2.7. https://doi.org/10.1016/j.physleta.2022.128221
High- frequency conductivity and temperature dependence of electron effective mass in AlGaN/GaN heterostructures .

Korotyeyev V. V., Kochelap V. A., Kaliuzhnyi V. V., & Belyaev A. E. (2022). // Applied Physics Letters, 120(25), 252103. https://doi.org/10.1063/5.0093292
Current transfer processes in a hydrated layer localized in a two-layer porous structure of nanosized ZrO 2.

Bacherikov Y.Y., Lytvyn P.M., Mamykin S.V., Okhrimenko O.B., Ponomarenko V.V., Malyuta S.V., Doroshkevich A.S., Danilenko I.A., Gorban O.A., Gilchuk A., Baiova Y. and Lyubchyk A. // J Mater Sci: Mater Electron (2022) 33, pp.2753–2764. https://doi.org/10.1007/s10854-021-07481-2
Principles of creating the devices that are able to control the current flow in the second class conductors.

Yu.Yu. Bacherikov, O.B. Okhrimenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 25 (2), P. 137-145 (2022). https://doi.org/10.15407/spqeo25.02.137
Metamorphosis of the properties of the gas-phase fraction of ZnS:Mn obtained by the method of self-propagating high- temperature synthesis from the charge with a different Zn/S ratio .

Yu.Yu. Bacherikov, I.P. Vorona, A.V. Gilchuk, V.Yu Goroneskul, A.G. Zhuk, V.P.Kladko, V.V. Nosenko, O.B. Okhrimenko, V.V. Ponomarenko, Yu.O. Polishchuk // Journal of Luminescence, Volume251, (2022), 119184, https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2022.119184
Redistribution of centers responsible for radiative recombination in SiC/por-SiC and SiC/por- SiC/Er 2 O 3 structures under nonthermal action of microwave radiation .

O.B. Okhrimenko, Yu.Yu. Bacherikov, O.F. Kolomys, V.V. Strelchuk, R.V. Konakova // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2022. V. 25, No 4. P. ххх.
Hybrid Composite Based on Chitosan Matrix Mineralized by Polyphasic Calcium Orthophosphates with Enhanced Bioactivity and Protein Adsorption Capacity.

Sukhodub L., Kumeda M., Sukhodub L., Strelchuk V., Nasieka I., Vovchenko L., & Prylutskyy Y., (2022). Materials Today Communications, 103696. https://doi.org/10.1016/j.mtcomm.2022.103696
Influence of Periodic Non- Uniformities of Well-Structured Sapphire Surface by LIPSS on the Alignment of Nematic Liquid Crystal .

I. Gvozdovskyy Z., Kazantseva S., Schwarz and R. Hellmann // Nanomaterials 2022, 12, 508.https://doi.org/10.3390/nano12030508
The “electronic nose”-type chemosensory systems for detection of the gaseous poisonous substances .

A.V. Mamykin, O.L. Kukla, A.S. Pavluchenko, Z.I. Kazantseva, I.A. Koshets, A.A. Pud,N.A. Ogurtsov, Yu.V. Noskov, V.I. Kalchenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics . 2022, Vol. 25 Issue 4, p429-440. DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo25.04.429 Q3
Field effects in electron-irradiated GaP LEDs .

Olikh Y., Vernydub R.M., Kyrylenko O.I., Konoreva O.V., Stratilat D.P., Tartachnyk V.P. // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, 2022, 25(2), pp. 179–184.
Raman Modes and Mapping of Graphene Nanoparticles on Si and Photonic Crystal substrates.

Dovbeshko G., Cherepanov V., Boiko V., Perederiy A., Olenchuk M., Negriyko A., Posudievsky O., Moiseyenko V., Romanyuk V. // Optical Materials: X. – 2022. – V.15. 100163.https://doi.org/10.1016/j.omx.2022.100163
Samarium-induced enhancement of SiOx decomposition and Si nanocrystals formation.

Michailovska K. V., Indutnyi I. Z., Shepeliavyi P. E., Sopinskyy M. V., Dan’ko V. A., Tsybrii, Z. F. & Nikolenko A. S. (2022). Applied Nanoscience, 1-8. https://doi.org/10.1007/s13204-022-02617-0
Peculiarities of amplitude and phase spectra of semiconductor structures in THz frequency range .

Lyaschuk Y.M., Korotyeyev V.V. & Kochelap, V.A. (2022). // Semiconductor Physics,Quantum Electronics & Optoelectronics, 25(2), 121-136. Q4 If=0.583.
Self-organized Heterocyclic Amines Films on Carbon Substrates for Photovoltaic Application .

P.Smertenko, N.Roshchina, G.Olkhovik, V.Khomenko, O.Butenko, O.Chernysh and V.Barsukov // Applied Science.- 2022.- 12, x. https://doi.org/10.3390/xxxxx
Generalized null-ellipsometry in the Polarizer–Sample–Analyzer scheme.

Sopinskyy M.V., Ol’khovik G.P. // Optics and Spectroscopy. V. 130, N 2, P. 92–101 (2022). Scopus Q3 (2021). https://doi.org/10.1134/S0030400X22010155
Excitation of Surface Plasmon Polaritons on Aluminum-Coated Diffraction Gratings Formed on an Inorganic Chalcogenide Photoresist: Influence of Profile Shape .

Indutnyi I.Z., Mynko V.I., Sopinskyy M.V., Lytvyn P.M., Dan’ko V.A. // Plasmonics. Vol. 17, N6. P. 2459–2466 (2022). Scopus Q3 (2021). https://doi.org/10.1007/s11468-022-01732-6
Micro- and Nanostructure of Layered Si\Sn\Si Films, Formed by Vapor Deposition .

V. B. Neimash, P. Ye. Shepeliavyi, A. S. Nikolenko , V. V. Strelchuk , V. I. Chegel . // Journal of Nanomaterials, - 2022, Article ID 7910708, 10 pages, 22. Scopus Q2 (2021).https://doi.org/10.1155/2022/7910708
Solution composition and temperature impact on physicochemical properties of synthesized zinc oxide .

Tereshkov M., Dontsova T., Yanushevska O., Dusheiko M., Smertenko P. // Applied Nanoscience 2022. – P. 2523–2532. https://doi.org/10.1007/s13204-022-02558-8 Q2
Photoinduced Charge Transport in Films of Near-Infrared Dye Assisted by Nanoscale Inhomogeneity of Dye Aggregates .

Dimitriev O., Smertenko P., Slominskii Y. // J. Solid State Sci.Technol. 2022, 11(3), 034004. https://doi.org/10.1149/2162-8777/ac5aa1 Q3
On the nature of doping effect of methane in ZnO thin films deposited by RF -magnetron sputtering.

Vasin A.V., Rusavsky A.V., Mamykin S.V., A.S. Nikolenko V.V. Strelchuk, R.Yatskiv,J. Grym, A.I. Gudimenko, V.P. Kladko, I.P. Tyagulskyy, J. Lorinčik, I. Elantyev, and A.N. Nazarov.//J Mater Sci: Mater Electron 33, 6421–6431 (2022). https://doi.org/10.1007/s10854-022-07814-9
Патент на корисну модель України № 152092. МПК (2022.01) G01K 7/00 G01D 13/12 (2006.01) «Пристрій для градуювання термометрів».

Ю.М.Шварц, М.М.Шварц. Заяв. №u2022 01844 від 01.06.2022; Опубл. 26.10.2022, Бюл. № 43.- 4 с.
Рішення НОІВДП «Укрпатент» від 28.09.2022 р. № 7396/ЗУ/22 (Стосується заявки № u 2022 01847). Винахід (корисна модель) «Діодний термометр», Реєстраційний номер заявки № u 2022 01847).

Ю.М.Шварц, М.М.Шварц. Заявка № u 2022 01847 від 01.06.2022 МПК(2022.01) G01K 7/00.
Патент України на корисну модель № 151314 «Спосіб одержання світловипромінюючого матеріалу на основі кремнію». Дата публікації відомостей про видачу патенту 06.07.2022, бюл. № 27/2022.

Заявник: ІФН НАНУ, Винахідники: Індутний І. З., Михайловська К. В., Шепелявий П. Є., Данько В. А., Сопінський М. В. Власник: ІФН НАНУ.https://base.uipv.org/searchINV/search.php?action=search
Voltage generation in hydrated calcium structures .

Kidalov V., Sadigov A., Tarasov G.G., Okhrimenko O.B., Lyubchyk A., Liubchenko O., Gudimenko O. Y., Maksimenko Z.V., Ponomarenko V.V., Bacherikov Y.Y. // International Research and Practice Conference “Nanotechnology and Nanomaterials” (The NANO-2022 Conference is dedicated to the International Year of Basic Sciencesfor Sustainable Development) 25-27 of August 2022 Lviv, UKRAINE Abstract book. P.501
Покращення оптичного пропускання германію, антимоніду індію та CdZnTe в інфрачервоній області спектру.

В.Б. Лозінський, В.П. Темченко, А.М. Лук’янов, В.М. Дикуша,В.І. Сторожук // VII Міжнародна науково-практична конференція «Напівпровідниковіматеріали, інформаційні технології та фотовольтаїка» 14-16 травня, 2022.:тези. доп.−Кременчук, 2022.− С. 44.
Тези: Luminescence and Raman studies of nanostructures based on (SiOx–Sm)n multilayers .

Michailovska K.V., Dan’ko V.А., Indutnyi I.Z., Shepeliavyi P.E., Sopinskyy M.V.. The International research and practice conference “Nanotechnology and nanomaterials” (NANO-2022). 25–27 August 2022, Lviv.– Kyiv.
Тези: Method of the of AlN films planarity estimating .

Redko R.A., Milenin G.V., Zayac M., Lytvyn P.M., Redko S.M., Kondratenko O.S. // IEEE 12th International Conference Nanomaterials:Applications & Properties, Kraków, Poland, Sep. 11-16, 2022, eP-5 Abstract ID #MTFC- 014,03mtfc-12.
Excitation of surface plasmon polaritons on aluminum-coated diffraction gratings formed on an inorganic chalcogenide photoresist: influence of surface relief profile .

Indutnyi I.Z., Mynko V.I., Sopinskyy M.V., Danko V.A., Lytvyn P.M. Ibid. P. 429.
Microlenses of AlN for solar cells covering .

Redko R., Milenin G., Zayac M., Boiko V., Lytvyn P., Redko S. // E-MRS 2022 Spring Meeting, Symposium D1 Materials for nanoelectronics andnanophotonics, D1 12.5
Radiation memory effect in GaN:Si thin film .

R. Redko, G. Milenin, S. Redko, V. Shvalagin, V. Neymash, V. Povarchuk // E-MRS 2022 Spring Meeting. Symposium O Nano-engineered coatings and thin films: from design to applications, O.3.10
Probabilistic-physical model of GaN:Si radiation recombination spectra long-term evolution due to microwave radiation, weak magnetic field and electron radiation treatments .

R. Redko, G. Milenin, S. Redko // Modern Information, Measurement And Control Systems: Problems, Applications And Perspectives’2022 (MIMCS’2022), November 04-05, 2022, Antalya, Türkiye.
Deep learning-based impurity evaluation: targeting silicon solar cells' photovoltaic parameters

Olikh O., Zavhorodnii O., Olikh Ya., Gapochenko S., Lyubchenko O. // Conference Proceedingsof 2022 IEEE 3rd KhPI Week on Advanced Technology (KhPIWeek), 2022, P.562-567; https://doi.org/10.1109/KhPIWeek57572.2022.9916328
A new method for investigating the kinetics of acoustically induced processes in semiconductors with pulsed ultrasound loading .

Olikh Ya., Lyubchenko O., Tymochko M., Lepikh Ya., Gapochenko S., Olikh O. // Conference Proceedings of 2022 IEEE 3rd KhPI Week on Advanced Technology (KhPIWeek), 2022, P.557-561; https://doi.org/10.1109/KhPIWeek57572.2022.9916334
Nanocomposites based on porous III-V semiconductors .

Barlas T., Kotova N., Mamykin S., Romanyuk V., Semtsiv M. // 10-th jubilee International Conference «Nanotechnologies and Nanomaterials» NANO-2022. August 25–27, 2022. Lviv, Ukraine. Abstract book. – P. 519.
Raman Characterization of Graphene Nanoparticles Infiltrated into the Synthetic Opal Pores.

Dovbeshko G., Cherepanov V., Boiko V., Perederiy O., Olenchuk M., Negriyko A., Posudievsky O., Moiseyenko V., Taborska M., Romanyuk V. // International workshop «Photon-GrapheneInteractions: Phenomena and Applications», Institute of Low-Temperature Physics and StructuralStudies PAN, Wroclaw, Poland. September 9-10, 2022.
Characteristics of PEDOT:PSS/Si solar cells with a flat and textured interfaces.

Mamykin S.V., Mamontova I.B., Lunko T.S., Kondratenko O.S., Kotova N.V., RomanyukV.R. // 8th WorldConference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-8), September 26-30, 2022, Milan, Italy.1DV.4.10.
Сost-efficient solvent technology for fabrication of hybrid solar cells.

Petro SMERTENKO, Nina Roshchina, Vadym NAUMOV, Arnolds UBELIS, Vidvuds BELDAVS, Mykhailo DUSHEIKO. In “ANSOLE´s 11th Anniversary International Online Conference (A2IOC 2022), 4th February 2022,p. 18-20, Gizeh, Cairo, Egypt.
Quantum chemical calculations of electronic structure of electronic absorption spectra for silicon - clonidine and silicon - halogen derivative of clonidine solar cell hybrids.

Petro SMERTENKO, Anatoliy KATASHINSKY, Nina ROSHCHINA, Vadym NAUMOV and Anna BILOUSOVA. In “ANSOLE´s 11th Anniversary International Online Conference (A2IOC 2022), 4thFebruary 2022, p. 20-21, Gizeh, Cairo, Egypt.
Мальта, «Горизонт Європа» та EUREKA.

Мальта, «Горизонт Європа» та EUREKA. Петро Смертенко. Газета “Світ”, No 5–6(1185–1186), 2022, с.5.
Electrostatics of a nanowire heterostructure radial p-i-n diode.

Borblik V.L. // 10thjubilee International Conference “Nanotechnology and nanomaterials" (NANO-2022), Lviv (Ukraine),August 25 to 27, 2022.

Пошук

Навігаційний перегляд пошуку

Навігація