- Деталі
- Перегляди: 6017
MoskvinP.P., SkybaG.V., DobryakovV.L., KolodiiM.A., RashkovetskyiL.V., KolomysO.F., RarataS.V., 2018, 4, p.36-42. http://www.vhht.dp.ua/arhiv-2018-4-2/
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України
|
MoskvinP.P., SkybaG.V., DobryakovV.L., KolodiiM.A., RashkovetskyiL.V., KolomysO.F., RarataS.V., 2018, 4, p.36-42. http://www.vhht.dp.ua/arhiv-2018-4-2/