Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України

Пошук

1. D. Coquillat, V. Nodjiadjim, S. Blin, A. Konczykowska, N. Dyakonova, C. Consejo, P. Nouvel, A. Pènarier, J. Torres, D. But, S. Ruffenach, F. Teppe, M. Riet, A. Muraviev, A. Gutin, M. Shur, and W. Knap, “High-speed room temperature terahertz detectors based on InP double heterojunction bipolar transistors” / Int. J. High Speed Electron. Syst., vol. 25, no. 3–4, 2016.