- Деталі
- Створено: П'ятниця, 07 травня 2021, 16:16
- Автор: Super User
- Перегляди: 1334
ЗАПРОШЕННЯ
на збори колективу наукових працівників Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова Національної академії наук України для прийняття участі у виборах директора Інституту
Шановні виборці!!! Запрошуємо Вас прийти 17 травня 2021 року на збори колективу наукових працівників Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова Національної академії наук України та взяти участь у виборах директора Інституту (актовий зал, 5-й поверх, пр-т Науки, 41, м.Київ).
Рекомендований графік відвідування виборчої дільниці.
Відповідно до Основних принципів організації та діяльності наукової установи Національної академії наук України та Статуту Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова Національної академії наук України і приймаючи до уваги протиепідемічні обмеження для проведення масових заходів, передбачених при встановленні “помаранчевому” рівні епідемічної небезпеки поширення COVID-19 в м. Києві (Протокол № 5 засідання штабу із ліквідації наслідків надзвичайної ситуації від 30.04.2021 року) прийнято рішення про відкриття зборів колективу штатних наукових працівників представниками структурних підрозділів.
17 травня 2021 року о 8 годині 45 хвилин представники структурних підрозділів збираються на відкриття загальних зборів колективу штатних наукових працівників Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України (актовий зал, 5-й поверх, пр-т Науки, 41, м.Київ). На зборах колективу обрані представники структурних підрозділів мають право на обрання голови та секретаря зборів, відкриття зборів штатних наукових працівників Інституту, схвалення порядку денного проведення виборів директора Інституту, затвердження результатів виборів та закриття зборів.
- Деталі
- Створено: Четвер, 06 травня 2021, 19:16
- Автор: Super User
- Перегляди: 1005
ІНФОРМАЦІЯ
про дату, час і місце проведення виборів директора
Інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України
Дата проведення виборів:
17 травня 2021 року
Час і місце проведення виборів :
вибори будуть проведені з 9:00 до 15:00 год. у актовому залі 5-го корпусу Інституту фізики напівпровідників ім.В.Є.Лашкарьова НАН України, за адресою: пр. Науки 41, м. Київ.
Вибори проводяться шляхом таємного голосування.
Виборча комісія з проведення виборів директора ІФН НАНУ
Детальніша інформація в розділі Вибори директора
Зверніть, будь ласка, увагу!!! Бюлетень для голосування видається виборцю тільки при пред’явлені документа, що посвідчує особу та підтверджує громадянство України (паспорт громадянина України або один з документів, визначених пунктом 1 частини першої статті 13 Закону України «Про Єдиний державний демографічний реєстр та документи, що підтверджують громадянство України, посвідчують особу чи її спеціальний статус»: паспорт громадянина України для виїзду за кордон; дипломатичний паспорт України; службовий паспорт України; посвідчення особи моряка; посвідчення члена екіпажу; посвідчення особи на повернення в Україну; тимчасове посвідчення громадянина України).
- Деталі
- Створено: Четвер, 06 травня 2021, 11:07
- Автор: Super User
- Перегляди: 1321
Шановні колеги!
Запрошуємо ознайомитись з проєктом «Звіту про діяльність НАН України у 2020 році». Зауваження та пропозиції до «Звіту про діяльність НАН України у 2020 р.» можна буде висловити на Загальних зборах НАН України.
- Деталі
- Створено: Середа, 28 квітня 2021, 11:29
- Автор: Super User
- Перегляди: 1147
Наказ про продовження строку виконання обов’язків директора Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
- Деталі
- Створено: Вівторок, 13 квітня 2021, 17:32
- Автор: Super User
- Перегляди: 1021
Переможці конференції «Лашкарьовські читання - 2021»
I-місце
Оксана Ісаєва за доповідь «Світловипромінюючі властивості поверхневомодифікованого порошку TiO2»
IІ-місце
Олексій Любченко за доповідь “Х-променева діагностика структурноїдосконалості Al(Ga)N сполук”
Ярослав Знаменщиков за доповідь “Низькотемпературна фотолюмінесценція товстих полікристалічних плівок Cd1-xZnxTe для детекторів радіаційного випромінювання.”
IІI-місце
Oleksandr Hreshchuk за доповідь “Raman spectra enhancement of semiconductorchalcogenide films by using gold nanostructures”
Mykola Kovbasa за доповідь” Автоматичне детектування прихованихпредметів з терагерцового сканеру”
Олександр Кульбачинський за доповідь «Розробка поверхневого покриття дляфотодетектора середнього ІЧ діапазону наоснові InSb»
Заохочувальні відзнаки
Yevvhenii Havryliuk за доповідь “Influence of „green“ synthesis conditions to thecrystallinity and time stability of Cu2ZnSnS4(CZTS) nanocrystals”
Арсеній Євтушенко за доповідь «Оптичні властивості відпалених наноструктур ZnO, вирощених на покритих сріблом кремнієвихпідкладках»
Юлія Горбатенко за доповідь «Аналіз температурної залежності теплопровідності клатратних термоелектриків»
