V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics NAS of Ukraine
National Academy of Sciences of Ukraine

Search

Нагороди

Державні премії УРСР та СРСР

1970 рік
за роботу "Електронні явища на поверхні напівпровідників"

В.Г. Литовченко, В.И. Ляшенко, И.С. Степко

 

1973 рік
за роботу "Фізико-технічні і прикладні розробки основ некогерентної оптоелектроніки"

С.В. Свєчніков, Н.А. Власенко, П.Ф. Олексенко, А.К. Смовж, О.М. Зюганов

 

1974 рік
за роботу "Розробка фізичних основ керування частотою вимушеного випромінювання і створення комплексу лазерів з частотою, що перестроюється"

М.І. Витрихівський

 

1981 рік
за роботу "Комплексне дослідження оптичних і фотоелектричних властивостей напівпровідникових сполук елементів другої та шостої груп періодичної системи"

В.Є. Лашкарьов, М.П. Лисиця, С.І. Пекар, О.В. Снітко, І.Б. Мізецька, Є.А. Сальков, Г.А. Федорус,
М.К. Шейнкман

 

1983 рік
за роботу "Розробка нових технологій"

Г.Є.Богославський, Ф.М. Воробкало, Л.Й. Зарубін, В.К. Малютенко, О.Г Міселюк, І.Ю. Неміш,
І.Ф. Полєтаєва, Л.Т. Яценко

 

1983 рік
за роботу "Розробка та дослідження матеріалів і структур електронної техніки"

К.Д. Глинчук, Л.І. Даценко, С.В. Свєчніков, Ю.О. Тхорик

 

1983 рік
за роботу "Фізичні основи керування властивостями матеріалів і приладів твердотільної електроніки під дією радіації"

О.А. Бугай,Н.О. Корсунська

 

1984 рік
за роботу "Розробка та освоєння нових радіоелектронних приладів"

М.К. Шейнкман

 

1984 рік
За роботу в галузі радіоелектроніки

М.Л. Дмитрук, Р.В. Конакова, B.C. Лисенко, А.В. Прохорович, В.І. Файнберг

 

1986 рік
за роботу "Розробка приладів некогерентної оптоелектроніки з високими техніко-економічними показниками, їх промислове освоєння і широке впровадження в народне господарство"

С.В. Свєчніков

 

1986 рік
за роботу "Фізичні дослідження і метрика напівпровідникових твердих розчинів кадмій-ртуть-телур та свинець-олово-телур, спрямованих на освоєння їх промислового виробництва для ІЧ-фотоелектроніки"

М.П. Лисиця, Є.А. Сальков, Ф.Ф. Сизов, Г.А. Шепельський

 

1987 рік
за роботу "Розробка і впровадження елементів і пристроїв оптичної обробки інформації в ІЧ-діапазоні"

В.К. Малютенко, С.С. Болгов, А.І. Ліптуга, Г.І. Тесленко, Є.І. Яблоновський

 

1987 рік
за роботу "Розробка фізичних основ міцності ковалентних кристалів і оптимізація на цій основі технологій виготовлення напівпровідникових структур мікроелектроніки"

П.І. Баранський, Б.М. Романюк

 

1988 рік
за роботу "Фізичне обґрунтування і промислове освоєння діагностики технології напівпровідникових матеріалів АIIIВV, їх твердих розчинів та розробка функціональних пристроїв на їх основі"

П.С. Смертенко, І.П.Тягульський

 

1988 рік
за роботу "Позитронні дослідження структури твердих тіл"

О.Б. Любченко, В.В. Дякін

 

Державні премії України

1993 рік
за роботу "Комплексне дослідження фізичних властивостей карбіду кремнію і розробка на його основі напівпровідникових приладів, що працюють в екстремальних умовах"

Л.Й. Бережинський, М.Я. Валах, Є.Ф. Венгер, С.І. Власкіна, О.Т. Сергєєв

 

1994 рік
за роботу "Рентгено-, опто-, акустичні явища в реальних кристалах при комбінованому впливі фізичних полів"

Л.І. Даценко, В.І. Хрупа, В.Ф. Мачулін

 

1995 рік
За працю в галузі радіоелектроніки

Р.В. Конакова, В.В. Міленін, І.В. Прокопенко, Ю.О. Тхорик

 

1995 рік
за роботу "Фізичні механізми деградації та шляхи підвищення надійності оптоелектронних приладів"

М.К. Шейнкман, Д.В. Торчинська, Н.Б. Лук'янчикова, Г.С. Свєчніков

1997 рік
за роботу "Процеси переносу заряду і маси та електронні кінетичні явища на поверхнях і
у приповерх-невих шарах твердих тіл
"

В.Г Литовченко, Д.В. Корбутяк

2001 рік
за роботу "Нові фізичні ефекти в сильно анізотропних напівпровідниках і приладах на їх основі"

Ф.В. Моцний, A.M. Яремко, С.С. Іщенко

 

2003 рік
за роботу "Монокристали сапфіру: розробка високорентабельних технологій, освоєння промислового виробництва конкурентоздатних на світовому ринку сапфірових елементів для оптики, електроніки та медицини"

В.Ф. Мачулін

 

2006 рік
За роботу в галузі радіоелектроніки

О.Є. Бєляєв, В.О. Кочелап, О.М. Назаров, Т.О. Руденко, І.Б. Єрмолович

 

2007 рік
за роботу "Розробка і впровадження високоефектив-них технологій отримання напівпровідникових кристалічних матеріалів групи AIIBVI та виробів на їх основі для приладобудування"

В.М. Томашик

 

2007 рік
За роботу в галузі створення новітніх матеріалів

О.І. Власенко, А.П. Горбань, І.З. Індутний, В.П. Кладько, В.М. Комащенко

 

2011 рік
за роботу "Мікроелектронні датчики нового покоління для інтелектуальних систем"

А.А. Євтух

 

2011 рік
За роботу по спецтематиці

М.М. Локшин, В.П. Маслов, Г.С. Пекар, О.Ф.Сингаївський

 

2012 рік
за роботу "Ключові технології виробництва кремнієвих сонячних елементів та енергетичних систем на їх основі"

М.І.Клюй, В.П. Костильов, А.В. Макаров, А.В. Саченко, О.Ю. Авксентьев

 

2012 рік

за роботу “Проблемно-орієнтовані обчислювальні засоби обробки інформації в реальному часі”

Авксєнтьєв О.Ю.

 

2016 рік

за роботуЕнергоефективні світлодіодні освітлювальні системи”
Сорокін В.М., Рибалочка А.В., Корнага В.І.

 

2017 рік
за роботуФотоніка напівпровідникових та діелектричних наноструктур”

Юхимчук В.О., Джаган В.М., Тарасов Г.Г.

 


 

Премії НАН України

ПРЕМІЯ НАН УКРАЇНИ ім. К.Д.СИНЕЛЬНИКОВА

1984 рік
за роботу "Електровідбивання світла в напівпровідниках"

О.В. Снітко, В.А. Тягай

 

1988 рік
за роботу "Перенос електронів і дірок біля поверхні напівпровідників"

В.М. Добровольський, В.Г. Литовченко

 

1996 рік
за роботу "Поверхневі поляритони в напівпровідниках і діелектриках"

М.Л. Дмитрук

 

                               ПРЕМІЯ НАН УКРАЇНИ ім. В.Є.ЛАШКАРЬОВА

1999 рік
за роботу "Дослідження нерівноважних та кінетичних явищ в актуальних для сучасної фотоелектроніки напівпровідниках (А2В6, А4В6 та поруваті Si-структури)"

Є.А. Сальков, М.К. Шейнкман

2003 рік

за роботу "Фізичні механізми і роль дефектів в самоорганізації та бістабільності тонкоплівкових електролюмі-несцентних структур на основі напівпровідників AIIBVI"

Н.А. Власенко, З.Л. Денисова, Я.Ф. Кононець
 

2005 рік

за роботу "Формування високостабільних контактних і поверхнево-бар'єрних структур в приладах високотемпературної НВЧ-електроніки на основі широкозонних напівпровідників"

О.Є.Бєляєв, Р.В.Конакова, B.C. Лисенко

2014 рік

за роботу "Фотоелектричні ефекти в нанорозмірних структурах, створених іонно-променевою технологією"

В.Г. Литовченко, Б.М. Романюк, В.П. Мельник

 

2017 рік

за роботу "Визначення структурно-деформаційних ефектів і встановлення механізмів струмопереносу у тринітридних наноструктурах"

В.О. Кочелап, В.П. Кладько, П.М. Литвин

             ПРЕМІЯ ПРЕЗИДЕНТІВ АКАДЕМІЙ НАУК УКРАЇНИ, БІЛОРУСІЇ І МОЛДОВИ

1996рік
за роботу "Напівпровід-никові надгратки з напруженими шарами:
електронні і коливальні стани"

Є.Ф. Венгер, М.Л. Дмитрук

 

1997 рік
за роботу "За видатні результати, отримані при виконанні спільного наукового дослідження «Технологія отримання, фізичні властивості та застосування напівпровідникових кристалічних сполук типу АIIВV»"

І.В. Фекешгазі

 

2004 рік

за роботу "Міжфазні взаємодії і механізми деградації в структурах метал-lnP та метал-GaAs"

І.В. Прокопенко, Р.В. Конакова, В.В. Міленін

 

2014 рік
за роботу "Напівпровідникові матеріали і наноструктури для
фотоніки і сенсорики
"

М.Я. Валах, Д.В. Корбутяк

Премія НАН України імені С.О. Лебєдєва

2003рік
за роботу "Розробка і створення компонентів, пристроїв і систем захисту і обробки інформації"

B.C. Лисенко

                                   Премія НАН України імені Н.Д.Моргуліса

2013рік
за роботу "Функціональні властивості та діагностика новітніх НВЧ приладів"
О.Є. Бєляєв, Р.В. Конакова, А.В. Саченко

Премія НАН України імені С.І.Пекаря

2000рік
за роботу "Теорія електричних та оптичних явищ у квантових гетероструктурах"
В.О. Кочелап, Ф.Т. Васько

 

2006рік

за роботу "Теорія спін-орбітальної взаємодії та поляронних
станів у напівпровідниках

Е.Й.Рашба, В.І.Шека

 

2009рік

за роботу "Вплив спін-орбітальної та кулонівської взаємодій на властивості електронних систем"
Е.М. Райчев

 

20015рік

 

Normal 0 21 false false false MicrosoftInternetExplorer4 Розробка фізичних основ міцності ковалентних кристалів і оптимізація на цій основі технологій виготовлення напівпровідникових структур мікроелектроніки