Деталі

Перегляди: 4238

Фосфидиндиевый диод Ганна

№ 33 Laboratory of Physical and technological problems of solid-state microwave electronics
R.V. Konakova, A.E. Belyaev

Частотный диапазон: 100-150 ГГц   
 Напряжение:      до 3,5 В
Рабочий ток:      до 1,5А
    
Диоды Ганна разработаны на основе эпитаксиальных слоёв InP, выращенных на пористой наноструктурированной подложке и омических контактов с использованием наноструктурированных слоёв диборида титана.

Области применения.
•    СВЧ-техника;
•    Телекоммуникационные технологии.

Внедрение.
Используется в разработках Государственного предприятия НИИ «Орион» Министерства промышленной политики Украины