Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Національна академія наук України

Пошук

Регулярні структури наночастинок на поверхні напівпровідника: технологія формування та оптичні властивості

№39 Відділ поляритонної оптоелектроніки
 М.Л. Дмитрук

005

На рисунку представлені електронномікроско-пічні зображення (SEM) та дані елементного аналізу (EDX) самоорганізованих впорядкова-них 1D ансамблів золотих наночастинок на поверхні напівпровідників GaAs (1) та InP (2). Структури створено розробленим нами дешевим методом, що базується на фотостимульованому осадженні наночастинок металу на мікрорельєфну поверхню напівпровідника (GaAs, InP), отриману способом анізотропного травлення. Поверхневий мікрорельєф слугує темплатом для наночастинок металу на поверхні, тому можна створювати впорядковані 1D ансамблі наночастинок. За допомогою запропонованого методу були отримані також регулярні 2D системи наночастинок у вузлах квадратної сітки та у вигляді квадратної сітки на виступах бігратки.

Області застосування: Створені структури «мікрорельєфна поверхня та регулярно розташовані на ній металеві нанокластери» можуть бути використані для підсилення взаємодії світла з твердим тілом (фотонні кристали) та створення нових приладів поляритонної оптоелектроніки (наноплазмоніки) і сенсорики як фотодетектори і оптохімічні сенсори відповідно.