- Деталі
- Перегляди: 3111
 |
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Національна академія наук України |
Пошук
Навігаційний перегляд пошуку
Навігація
Ви тут: Головна 
Фізики напівпровідникових матеріалів і структур та їх діагностики Відділ іонно-променевої інженерії Publications dep04 dep-04-before Formation of shallow np junctions in Cz-Si by low-energy implantation of carbon ions.
Фізики напівпровідникових матеріалів і структур та їх діагностики Відділ іонно-променевої інженерії Publications dep04 dep-04-before Formation of shallow np junctions in Cz-Si by low-energy implantation of carbon ions.