Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Національна академія наук України

Пошук

ЗМІСТ

Академік О.Є. Бєляєв, директор Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України. Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України – 58 років у складі НАН України

 

5

В.П. Костильов, А.В. Саченко. Напівпровідникова фотоенергетика: сучасний стан і актуальні напрями досліджень

13

 

В.І. Чегель, А.М. Лопатинський. Молекулярна плазмоніка новий напрямок для досліджень у матеріалознавстві та сенсориці. Застосування та теоретичне підгрунтя (Огляд)

 

38

А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, А.І. Ткачук, С.П. Троценко. InAs фотодіоди (Огляд. Частина IV)

60

 

Л.В. Завьялова, Г.С. Свечников, Н.Н. Рощина, Б.А. Снопок. Получение и исследование полупроводниковых плёнок АІ-VІІІВVІ и функциональных структур на их основе; особенности и возможности СVD метода с применением дитиокарбаматов

 

83

Л.О. Ревуцька, З.Л. Денисова, О.В. Стронський. Нанесення плівок халькогенідних стекол з розчину: виготовлення, властивості, застосування (огляд)

 
 

124

В.О. Мороженко. Пропускання, відбиття та теплове випромінювання магнітооптичних резонаторних структур в інфрачервоному діапазоні спектра: дослідження та застосування (огляд)

 

149

В.С. Кретуліс, І.Є. Мінакова, П.Ф. Олексенко, В.М. Сорокін. Оптоелектронний нефелометричний вимірювач метеопараметрів атмосферного середовища

 

161

 

К.В. Михайловська, В.А. Данько, О.Й. Гудименко, В.П. Кладько, І.З. Індутний, П.Є. Шепелявий, М.В. Сопінський. Особливості фотолюмінесценції наночастинок кремнію у багатошарових (SіOхSіOy)nструктурах з поруватими ізолюючими шарами

 

 

169

В.П. Велещук, О.І. Власенко, З.К. Власенко, Д.М. Хміль, О.М. Камуз, С.Г. Неділько, В.П. Щербацький, Д.В. Гнатюк, В.В. Борщ, М.П. Киселюк. Механізми появи видимої паразитної люмінесценції у світлодіодах ультрафіолетового випромінювання 365 нм

 

181

 

В.П. Маслов, А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, М.Ю. Кравецький, Н.В. Качур, Є.Ф. Венгер, А.Т. Ворощенко, І.Г. Луцишин, І.М. Матіюк, А.В. Федоренко. Особливості виготовлення, електричні та фотоелектричні властивості дифузійних Gep-i-n фотодіодів

 

188

 

Я.М. Оліх, М.Д. Тимочко, М.І. Ілащук. Чинники релаксації акустопровідності в CdTe

 

199

К.С. Дремлюженко, О.А. Капуш, С.Д. Борук*, Д.В. Корбутяк. Вплив стабілізатора на властивості високодисперсних систем кадмій телуриду отриманих електроіскровим методом

 

213
К.В. Костюкевич, Ю.М. Ширшов, Р.В. Христосенко, А.В. Самойлов, Ю.В. Ушенин, С.А. Костюкевич, А.А. Коптюх. Особенности углового спектра поверхностного плазмон-поляритонного резонанса в геометрии Кретчмана при исследовании латексной водной суспензии

 

220

А. Мешалкин, А.П. Паюк, Л.А. Ревуцкая, Е. Акимова, А.В. Стронский, А. Присакарь, Г. Тридух, В. Абашкин, А. Корчевой, В.Ю. Горонескуль. Прямая запись поверхностного рельефа дифракционніх решеток с использованием слоев селена как регистрирующих сред

 

240

В.Ф. Онищенко, М.І. Карась. Релаксація фотопровідності у макропористому кремнії

 

248

Г.П. Маланич, В.Н. Томашик. Формирование полированой поверхности полупроводниковіх пластин PbTe и Pb1–xSnxTe

254

 

Г.В. Дорожинська, Г.В. Дорожинський, В.П. Маслов. Особливості рефрактометричних характеристик поверхневого плазмонного резонансу моторних олив при експлуатації

 

 

261

Н.И. Карась, В.Ф. Онищенко. Монополярная фотопроводимость инверсионного слоя и медленные” поверхностные уровни в структурах макропористого и монокристаллического кремния в условиях сильного поверхностного поглощения света

 

268

 

І.Є. Матяш, І.А. Мінайлова, О.М. Міщук, Б.К. Сердега. Компонентний аналіз спектрів фононного дихроїзму в одновісно деформованому кристалі кремнію

 

273
Правила для авторів збірника наукових праць «Оптоелектроніка та напівпровідникова техніка»

 

282
Contents

 

284

 

 

ЗМІСТ

А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, А.І. Ткачук, С.П. Троценко. InSb Фотодіоди (Огляд. Частина III)  

5

Г.В. Дорожинський, О.М. Ляпін, Г.В. Дорожинська, В.П. Маслов. Стан та проблеми розробки чутливих елементів приладів на основі явища поверхневого плазмонного резонансу (Огляд)

37

Р.А. Редько, Н.Д. Вахняк, О.П. Лоцько, Г.В. Міленін, В.В. Мілєнін, С.М. Редько. Вплив мікрохвильового випромінювання на фотолюмінесцентні властивості сполук АII BVI (Огляд)

50

В.Н. Борщев, А.М. Листратенко, И.Т. Тымчук, Г.И. Никитский, А.А. Фомин, Л.А. Назаренко, В.М. Сорокин, А.В. Рыбалочка, Д.А. Калустова, Д.В. Пекур. Высокоэффективные объемные светодиодные модули для сверхмощных ламп бытового и промышленного применения

70

А.Т. Ворощенко, А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, А.І. Ткачук, М.Ю. Кравецький, І.Г. Луцишин, І.М. Матіюк. Особливості виготовлення CdTe p-n-переходів та транспорт носіїв заряду в них

81

В.А. Данько, І.З. Індутний, Ю.В. Ушенін, В.І. Минько, Д. Хегеманн, М. Ванденбоше, П.Є. Шепелявий, М.В. Луканюк, П.М. Литвин, Р.В. Христосенко. Дослідження чутливості сенсорних Au чипів з наноструктурованою поверхнею

91

К.В. Михайловська, В.І. Минько, І.З. Індутний, П.Є. Шепелявий. Вплив періодичного рельєфу кремнієвої підкладки на поляризацію фотолюмінесценції nc-Si–SiOx наноструктур

100

Я.М. Оліх, М.Д. Тимочко, Н.В. Сафрюк, М.І. Ілащук, О.Я. Оліх. Дослідження «придис- локаційних» кластерів точкових дефектів у кристалах CdZnTe методом акусто-Холла

108

В.Ф. Онищенко, М.І. Карась. Розрахунок спектрів фотопровідності в кремнії з поверхнями, структурованими макропорами

123

Г.П. Гайдар, П.І. Баранський. Експериментальний доказ незмінності форми ізоенергетичних еліпсоїдів n-Ge в умовах сильної одновісної пружної деформації

128

Н.И. Карась, В.Ф. Онищенко, Д.А. Калустова, В.И. Корнага. «Медленные» поверхностные уровни и релаксация фотопроводимости в структурах макропористого кремния в фиолетовой области оптического спектра

135

Ю.В. Голтвянський, О.Й. Гудименко, О.В. Дубіковський, О.І. Любченко, О.С. Оберемок, Т.М. Сабов, С.В. Сапон, К.І. Чуніхіна. Дослідження процесів формування фотодіодів в InSb при іонній імплантації берилію

141

Пам’яті академіка НАН України С.В. Свєчнікова

151

CONTENTS

A.I. Vlasenko, V.P. Veleschuk, M.P. Kisselyuk, Z.K. Vlasenko, I.O. Lyashenko, O.V. Lyashenko. Acoustic emission of the light emitting diodes (review)

5

A.V. Sukach, V.V. Tetyorkin, I.M. Matiyuk, A.I. Tkachuk. InAs photodiodes (review)

 

17

V.A. Danko, I.Z. Indutnyy, M.V. Lukaniuk, V.I. Mynko, S.S. Ponomarjov, P.E. ShepeliavyiV.O.Yukhymchuk. 

Photolithography on photostimulated reversible and transient structural changes in CHG

 

44

Ya.Ya. Kudryk. Methods for creation and properties of ohmic contacts to indium phosphide (rewiev)

 

58

P.I. Baranskii, G.P. Gaidar. Comparison of the electrophysical properties of silicon crystals doped with phosphorus through the melt and by using the method of nuclear transmutation

 

73

A.P. Paiuk, A.Yu. Meshalkin, A.V. Stronski, E.A. Achimova, S.A. Sergeev, V.G. Abashkin, O.S. Lytvyn, P.F. Oleksenko, A.M. Prisacar, G.M. Triduh, E.V. Senchenko. E-beam and holographic recording of surface relief structures by using the Ge5As37A58–se multilayer nanostructures as registering media

 

79

S.P. Rudenko, M.O. Stetsenko, I.M. Krishchenko, L.S. Maksimenko, E.B. Kaganovich, B.K. Serdega. Diagnostic of localized surface plasmon resonances on porous gold films

 

87

G.P. Malanych, V.M. Tomashik, I.B. Stratiychuk, Z.F. Tomashik. Chemical etching of PbTe and Pb1–xSnxTe single crystals by using H2O2–HBr solutions with different initial HBr concentrations

 

94

E.V. Kostyukevich, S.A. Kostyukevich, A.A. Kudryavtsev, N.L. Moskalenko. Analysis of changes in optical characteristics of polycrystalline gold films under the influence of low-temperature annealing

 

102

V.A. Danko, M.L. Dmytruk, I.Z. Indutnyy, S.V. Mamykin, V.I. Mynko, P.M. Lytvyn, M.V. Lukaniuk, P.E. Shepeliavyi. Formation of submicron periodic plasmon structures of large area by using the interference lithography method with vacuum photoresists

 

109

R.V. Khristosenko, Ye.V. Kostyukevich, Yu.V. Ushenin, A.V. Samoylov. Improvement of exploitation parameters of transducers based on surface plasmon resonance via optimization of optical parts in sensor devices of the “plasmon” type

 

117

V.F. Onyshchenko. Distribution of non-equilibrium charge carriers in macroporous silicon structure under conditions of their homogeneous generation over the simple bulk

 

125

S.V. Svechnikov. To the 50th issue of “Optoelectronics and Semiconductor Technique”

132

CONTENTS

Jubilee greetings! (90 years of Editor-in-Chief of the collection, Academician of NAS of Ukraine S.V. Svechnikov)

5

Yu.V. Kryuchenko, D.V. Korbutyak. Hybrid nanostructures with quantum dots A2B6 and metal nanoparticles (review)

 

7

A.I. Vlasenko, V.P. Veleschuk, Z.K. Vlasenko, D.N. Khmil’, O.M. Kamuz, V.V. Borshch. Non-destructive control and diagnostics of led GaN structures by using microplasmas (Review)

 

31

A.V. Sukach, V.V. Tetyorkin, I.M. Matiyuk, A.I. Tkachuk. InSb Photodiodes (Review, Part I)

 

43

A.V. Sukach, V.V. Tetyorkin, I.M. Matiyuk, A.I. Tkachuk. InSb Photodiodes (Review, Part II)

 

69

V.O. Lysiuk, S.O. Kostyukevych, K.V. Kostyukevych, A.A. Koptiukh, V.S. Stashchuk. Features of photonic crystals (review)

 

91

O.N. Marchylo, L.V. Zavyalova, Y. Nakanishi, H. Kominami, K. Hara, S.V. Svechnikov, B.A. Snopok, A.E. Beliaev. Red-emitting phosphors based on SrTiO3:Pr3+ prepared by sol-gel method

 

104

V.S. Kretulis, I.E. Minakova, P.F. Oleksenko, Optoelectronic basic module of sensor systems for meteorological and ecological monitoring

 

113

R.O. Denysyuk, V.M. Tomashyk, Т.M. Denysyuk, Interaction of the ZnxCd1-xTe and Cd0.2Hg0.8Te solid solutions with NaNО2–НІ–lactic acid etchants

 

119

L.O. Revutska, O.P. Paiuk, A.V. Stronski, A.Yo. Gudymenko, A.A. Gubanova, Ts.A. Kryskov, Structural properties of chalcogenide glasses As2S3 doped with silver

 

123

P.I. Baranskii, G.P. Gaidar, Magnetotenso- and tensomagnetoresistance of n-Ge

 

128

E.G. Manoilov, S.A. Kravchenko, B.A. Snopok, Methodology in object-oriented modeling the adsorption processes: the features of dynamics formation and spatial self-organization of surface structures

 

135

S.O. Kostyukevych, K.V. Kostyukevych, R.V. Khrystosenko, A.A. Koptiukh, N.L. Moscalenko, V.O. Lysiuk, V.I. Pogoda, Surface plasmon resonance sensor based on polymer substrate

 

143

T.V. Semikina, Diode structures and electrical properties of ZnO films grown using the atomic layer deposition method

 

150

V.F. Onyshchenko, Distribution of photocarriers in macroporous silicon in case of the spatially inhomogeneous generation of charge carriers

158

Optoelectronics and Semiconductor Technique Vol.47