Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України

Пошук

Деталі
Перегляди: 9667
Cherpak N.T., Gubin A.I., Lavrinovich A.I., Vitusevich S. // IEEE Transactions on Applied Superconductivity.-2016.-V. 26.-N.3.-P. 1501204-1-4 
Деталі
Перегляди: 9655
Barannik A. A., Gubin А. I., Vitusevich S., Protsenko I. A, Cherpak N. T. // Telecommunications and Radio Engineering.-2016.- V.75.-N.17.-P. 1583-1590 
Деталі
Перегляди: 9709
Gasparyan F, Khondkaryan H., Arakelyan A., Zadorozhnyi I., Pud S., Vitusevich S. // J. Appl. Phys.-2016.- V.120.- N.6.-P. 064902-1-8 
Деталі
Перегляди: 9864
Barannik A. A., Vitusevich S., Protsenko I. А., Kharchenko М. S., Cherpak N. T. // Telecommunications and Radio Engineering.-2016.-V.75.-N. 3.-P.235-245 
Деталі
Перегляди: 9722
Hanziuk V.,.Pud S., Vitusevich S.,Coppola M., Kisner A. // Journal of Statistical Mechanics: Theory and Experiment. -2016.-V.5.-P. 054023-1-8 

Більше статей...

  1. Single trap kinetic in Si nanowire FETs: effect of gamma radiation treatment
  2. X-ray Reciprocal Space Mapping of Graded AlxGa1-xN Films and Nanowires
  3. Influence of strain relaxation on the relative orientation of ZnO and ZnMnO wurtzite lattice with respect to sapphire substrates
  4. The temperature dependence of the resistivity of ohmic contacts based on gallium arsenide and indium phosphide in the 4.2–300 K range