Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Національна академія наук України
Пошук
Навігаційний перегляд пошуку
Навігація
Головна
Інститут
Наукові відділи
Проекти
Розробки
Освіта
Новини
Журнал
Пошта
Фізики напівпровідникових матеріалів і структур та їх діагностики
Відділ структурного і елементного аналізу матеріалів і систем
Відділ іонно-променевої інженерії
Відділ оптики і спектроскопії напівпровідникових і діелектричних матеріалів
Відділ електричних і гальваномагнітних властивостей напівпровідників
Фізики поверхні, оптоелектроніки і фотоніки
ТГц- і ІЧ- функціональної напівпровідникової мікро- та нанофотоелектроніки
Фізики і технології сенсорних систем
Перспективні та інноваційні розробки
Деталі
Перегляди: 6157
Ю.М. Голтвянський, Є.Ф. Венгер, І.М. Хацевич, В.А. Нікірін, М.М. Мусаєв, О.С. Оберемок, В.П. Кладько, А.В.Кучук; власник Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова; заявл. 28.01.2013; опублік. 10.09.2013, Бюл. № 17.– 2013.
