The Nanometer Scaled Defects Induces with the Dislocation Motion in II-VI Insulated Semiconductors

Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України

Babentsov V.N., Boyko V.A., Kolomys A.F., Shepelski G.A., Strelchuk V.V, Tarbaev N.I. // Advanced Materials Research.- 2011.- V. 276.- p. 185-190.

Навігаційний перегляд пошуку