Фрактальна геометрія поверхні гетероструктур CdxHg1-xTe-Zn0.04Cd0.96Te, що сформовані осадженням з рідкої фази

Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України

П.П.Москвін, О.А.Гутніченко, В.Б.Крижанівський, Л.В.Рашковецький // Вісник ЖДТУ, 2012, №2(61), с.40-46

Навігаційний перегляд пошуку