Легированный переходной слой в области пространственного заряда контакта Шоттки

Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України

Л.В. Шеховцов // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, v.5, №4, p.403-405 (2002)

Навігаційний перегляд пошуку