Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України

Пошук

  • slides

    slides

  • slides

    slides

  • slides

    slides

  • slides

    slides

  • slides

    slides

  • slides

    slides

  • slides

    slides

  • slides

    slides

jtemplate.ru - free Joomla templates

Безымянный

 

Член-кореспондент НАН України, доктор фізико-математичних наук професор, Михайло Федорович Дейген (1918-1977) – видатний вчений в галузі фізики твердого тіла та радіоспектроскопії. Народився у м. Хмельницькому. У 1940 році закінчив фізичний факультет Київського державного університету ім.Т.Г.Шевченка. Його перша наукова робота про асиметрію конденсації пари на іони різного знаку, виконана у 1938 р., коли він був студентом, мала важливе значення для розробки теорії камери Вільсона.
З 1947 р. по 1960 р. М.Ф.Дейген працював в інституті фізики АН УРСР, де займався розробкою електронної теорії кристалів. Разом з відомим фізиком-теоретиком С.І.Пекаром ним була розвинута концепція деформаційного потенціалу, яка описувала взаємодію електрона з акустичними коливаннями гратки. Продовжуючи цю роботу М.Ф.Дейген вводить поняття самоузгодженого електронно-деформаційного стану – конденсона. Застосована ним до метал-аміачних розчинів теорія поляронів дозволила пояснити їх магнітні та оптичні властивості. Була розвинута теорія локальних електронних центрів і екситонів на поверхні напівпровідників. У цей період М.Ф.Дейгеном був виконаний також цикл робіт, який став основою його докторської дисертації «Исследование по теории локальных состояний электронов в диэлектриках и полупроводниках», захищеної ним у 1959 р. Подальші дослідження М.Ф,Дейгена були присвячені створенню теоретичних основ радіоспектроскопії неметалевих кристалів, зокрема, електронного парамагнітного резонансу (ЕПР), подвійного електронно-ядерного резонансу (ПЕЯР) та параелектричного резонансу (ПЕР).
У 1961 р. Михайло Федорович очолив відділ радіоспектроскопії в Інституті напівпровідників АН УРСР, яким керував 16 років. Цей відділ, в якому успішно співпрацювали теоретики та експериментатори, став основою започаткованої М.Ф.Дейгеном Київської школи радіоспектроскопії, яка широко відома у наукових колах до цього часу. Семінар відділу, де доповідали провідні вітчизняні та зарубіжні вчені та обговорювалися найновітніші наукові досягнення, став загальноміським. Під керівництвом Михайла Федоровича М.О.Рубаном було створено перший в СРСР спектрометр ПЕЯР з показниками набагато кращими ніж у світових аналогів. На цьому спектрометрі було проведено унікальні дослідження ПЕЯР далеких від парамагнітного центра ядер, динамічних та електропольових ефектів. На основі одержаних результатів М.Ф.Дейгеном разом з С.І.Пекаром і В.Г.Грачовим було розроблено новий метод розрахунку структури енергетичних зон у кристалах по даним ПЕЯР. Михайлом Федоровичем був запропонований принципово новий радіоспектроскопічний метод дослідження – подвійний електронно-ядерний магніто-акустичний резонанс, який через декілька років був втілений у дослідницьку практику.
Разом з учнями М.Ф.Дейгеном була розвинута теорія зовнішніх впливів (електричне поле, тиск, температура) на спектри магнітних резонансів, яка дозволила одержати інформацію про локальні електричні поля, зсув атомів поблизу парамагнітного центру, локальних модулях пружності. На основі вивчення взаємодії електронної плазми з парамагнітними центрами були запропоновані нові види релаксаційних процесів в твердих тілах. М.Ф,Дейгеном започатковано дослідження методами радіоспектроскопії сегнетоелектричних матеріалів.
Багато років Михайло Федорович був членом Наукових рад Академії наук СРСР по теорії твердого тіла, фізиці напівпровідників, радіоспектроскопії твердого тіла, виконував обов’язки заступника головного редактора «Українського фізичного журналу», читав лекції у Київському державному університеті ім. Т.Г.Шевченка. Він автор біль ніж 200 наукових праць та декількох колективних монографій. Серед учнів М.Ф.Дейгена 3 члена-кореспондента НАН України, понад 20 докторів наук і декілька десятків кандидатів наук, які успішно працюють у різних країнах світу.

 

шейкмані 

Шейнкман МоЙсей КІвович – видатний  український вчений в галузі фізики напівпровідників, фотоелектроніки, фото- та оптоелектронного матеріалознавства, один з засновників (разом з академіком В. Є. Лашкарьовим) вітчизняної школи з фізики нерівноважних процесів у напівпровідниках  та оптоелектроніки.

    Доктор фізико-математичних наук (1969 р.), професор (1972 р.), член-кореспондент НАН України (1988 р.), керівник Відділення фотоелектроніки Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України ( з 1974 р.). Заслужений діяч науки і техніки України ( 2000 р.), лауреат Державної премії УРСР у галузі науки і техніки (1981 р.), лауреат Державної премії СРСР у галузі науки і техніки (1984 р.), лауреат Державної премії України у галузі науки і техніки (1995 р.), лауреат Міжнародної премії Єшбаховського фонду “Видатному іноземному вченому (США, 1991 р.), нагороджений орденом «За заслуги» ІІІ ступеня ( 2000 р.), медалями: «За доблестный труд» ( 1970 р.), « В память 1500-летия г. Киева» (1982 р.), «Ветеран труда» (1985 р.).

    Мойсей Ківович Шейнкман народився 18 листопада 1929 р. у м. Києві в родині службовця. У 1947-1952 рр. навчався у Київському держуніверситеті ім. Т.Г.Шевченка на фізичному факультеті, який закінчив із відзнакою. У 1952-1955 рр. працював на підприємстві Міноборони СРСР у м.Новосибирську, де за короткий час пройшов шлях від інженера до керівника лабораторії. З 1955 р. до 1958 р. навчався в аспірантурі Інституту фізики НАН України. У 1959 р. в Інституті фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України захистив кандидатську дисертацію на тему: ”Механізми фотопровідності у кристалах СdS” і одержав вчений ступінь кандидата фізико-математичних наук. Подальша його наукова діяльність до останніх років життя була пов’язана з цим інститутом. В ньому з 1960 по 1968 рр. він обіймає посаду старшого наукового співробітника. У 1969 р. у Фізико-технічному  інституті ім. А.Ф. Йоффе захищає дисертацію на здобуття вченого ступеня доктора фізико-математичних наук на тему: “Нерівноважні електронні процеси в напівпровідниках, які включають електронно-стимульовані реакції дефектів», і з 1968 по 1974 рр. обіймає посаду керівника Відділу фотоелектричних явищ у напівпровідниках. У 1974-2009 рр. – керівник Відділення фотоелектроніки Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України.

   Наукова діяльність М. К. Шейнкмана багатогранна. Йому належить ряд фундаментальних фізичних результатів, зокрема, паредбачення та відкриття нового механізму безвипромінювальної рекомбінації, створення нової області фізики тердого тіла -  електронно-атомних стиимульованих процесів, що ведуть до деградаціїї та старіння приладів, різноманітних фотоелектричних приймачів світла, розробка нових методів дослідження фотопровідності та люмінесценції, Досліджені флуктуаційні процеси в нелінійних фотопровідниках, пояснено природу зверхпуассонівських флуктуацій, одержано ряд важливих результатів при дослідженні сегнетоелектриків-напівпровідників.

   Найважливіші праці цього напряму: “Долговременная релаксация и остаточная проводимость в полупроводниках” (1976 р.), “Auger processes with energy transfer to the bound charge carriers in multi-valley semiconductors” (1984 р.), “The mechanisms of electronically enhanced defect reactions in semiconductors” in “Defect Control in Semiconductors“ (USA, 1990), “Неравновесные процессы в полупроводниках” (1981 р.), “Фотохимические реакции в полупроводниках” в “Физика соединений А2В6”;(1986 р.), “Ultrasound Stimulated Defect Reactions in Semiconductors” in “Defect Interaction and Clustering in Semiconductors”(Switzerland, 2002), “Semiconductor Ultrasound Treatment” in “Wiley Encyclopedia of Electrical and Electronics Engineering” (USA, 1999), “Mobile point defects in wide-band gap II-VI semiconductors as a factor of their instability” in "New Developments in Condensed Matter Physics" (USA, 2006). Науковий  доробок М.К.Шейнкмана широко відомий світовій науковій спільноті.

   Як видатний вчений М.К.Шейнкман  запрошувався з доповідями до Вищого Технічного університету м. Карл-Маркс Штадт (НДР, 1976 р.), Університету м. Токіо (Японія, 1989 р.), Північно-Західного  університету м. Еванстон (США, 1991 р.), VII університету Паріжу (Франція, 1995 р.). Мойсей Ківович багато разів виступав на різноманітних наукових конференціях високого міжнародного рівня, неодноразово обирався до складу організаційних комітетів міжнародних конференцій, очолювавв оргкомітети багатьох наукових конференцій в Україні та СРСР.

   М. К. Шейнкман був прекрасним педагогом. Багато років читав лекції на радіофізичному факультеті у Київському національному університеті ім. Т.Г. Шевченка, читав лекції та виступав з доповідями  у Львівському, Ужгородському, Чернівецькому та Одеському національних університетах, а також у багатьох університетах Росії. Стримкий, надзвичайно ерудований, з величезним почуттям гумору, він доносив до слухача сухий технічний матеріал, перетворюючи його в захоплюючу розповідь. Його вихованці працюють в вищих навчальних закладах, на підприємствах,  фірмах  та науково-дослідних інститутах України, Росії, США. Японії, Мексіки, Швеції.

   М.К. Шейнкман проводив велику і активну науково-організаційну роботу, входив до складу редколегій наукових журналів “Физика и техника полупроводников”, “Фізика напівпровідників, квантова та оптоєлектроніка”, був рецензентом низки наукових видань, багаторічним головою спеціалізованої вченої ради із захисту кандидатських дисертацій.

    За час своєї наукової діяльності, починаючи з 1956 року, опублікував понад 540 наукових праць, в т.ч. 3 монографії, 35 авторських свідоцтв, підготував 16 докторів наук та 49 кандидатів наук.