- Деталі
- Перегляди: 8870
Збірник наукових праць
“Оптоелектроніка та напівпровідникова техніка”
РІК ЗАСНУВАННЯ: 1982
ПЕРІОДИЧНІСТЬ: 1 раз на рік
МОВА: українська, російська, англійська;
резюме: українською, російською, англійською мовами.
ISSN: 2707-6806
ISSN: 2707-6792 (Online)
ЗАСНОВНИКИ: НАН України,
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України.
ГОЛОВНИЙ РЕДАКТОР:
член-кореспондент НАН України | Сорокін Віктор Михайлович |
АДРЕСА РЕДАКЦІЇ: 03028, Київ, пр. Науки, 41,
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України,
збірник наукових праць “Оптоелектроніка та напівпровідникова техніка”
Тел. (380 44) 525 6373, 525 6205, 525 6097
ПРОБЛЕМАТИКА ЗБІРНИКА:
Публікація наукових праць по елементам напівпровідникової техніки, оптоелектроніці і мікроелектроніці, нанотехнологіям та наноелектроніці, елементам радіоелектронних пристроїв на напівпровідниках і діелектриках, а також характеристик напівпровідникових приладів і матеріалів і також дії на них різноманітних чинників.
- Optoelectronics and Semiconductor Technique Vol. 47 (2012)
- Optoelectronics and Semiconductor Technique Vol. 48 (2013)
- Optoelectronics and Semiconductor Technique Vol. 49 (2014)
- Optoelectronics and Semiconductor Technique Vol. 50 (2015)
- Optoelectronics and Semiconductor Technique Vol. 51 (2016)
- Optoelectronics and Semiconductor Technique Vol. 52 (2017)
- Optoelectronics and Semiconductor Technique Vol. 53 (2018)
- Деталі
- Перегляди: 9328
CONTENTS
A.I. Vlasenko, M.P. Kisselyuk, V.P. Veleschuk, Z.K. Vlasenko, I.O. Lyashenko, O.V. Lyashenko. Acousticemission of semiconductors and diode structures (review) |
|
Ya.Ya. Kudryk, V.V. Shynkarenko, V.S. Slipokurov, R.I.Bigun, R.Ya. Kudryk. Methods for deter-mination of schottky barrier height from I-V curves (review) |
|
E.A. Achimova, A.V. Stronski, A.P. Paiuk, A.Yu. Meshalkin, Yu.Yu. Boiarinov, A.M. Prisacar, S.V. Robu, P.F. Oleksenko, O.S. Lytvyn. Recording of holografic diffraction gratings on carbazole-containing polymer thin films |
|
I.V. Babiychuk, V.A. Dan’ko, I.Z. Indutnyy, M.V. Lukaniuk, V.I. Myn’ko, P.E. Shepeliavyi. Photostimulated reversible changes in the Ge-Se films as a base of resistive process |
|
P.I. Baranskii, G.P. Gaidar. Influence of thermoannealings at 450 and 650 oC on the tensoresistanceand anisotropy parameter in mobility of silicon single crystals |
|
D.N. Khmil, А.М. Kamuz, P.F. Oleksenko, V.G. Kamuz, N.G. Aleksenko, O.A. Kamuz, S.U. Habuseva, L.D. Patsenker. The use of hybrid organic-inorganic photoluminophors to improve color rendering index of white LEDs |
|
А.S. Stanetska, V.М. Tomashyk, І.B. Stratiychuk, Z.F. Tomashyk, S.М. Galkin. Chemical etching of ZnSe crystal surfaced by the H2O2–HBr– acetic acid solutions |
|
E.V. Kostyukevych, S.A. Kostyukevych. Optimization of operational characteristics inherent to transducers based on surface plasmon resonance |
|
Yu.N. Bobrenko, S.Yu. Pavelets, T.V. Semikina, G.I. Sheremetova, N.V. Yaroshenko. Photoelectric converters of UV radiation with graded-gap layers based on CdxZn1–xS solid solutions |
|
V.F.Onyshchenko. Influence of substrate and macropore surface on photoconductivity in two-dimensional structures of macroporous silicon |
|
I.E. Matyash. Modulation polarimetry of surface plasmon resonance as the means determining the dielectric properties of gases |
|
N.I. Karas. Negative photoconductivity and surface-barrierphotodiodeeffect – two interrelated surface photoeffects in macroporous silicon |
|
M.A. Stetsenko. Analysis of resulta of approximation of the spectral characteristics of surface plasmon resonance of analytic functions |
|
O.Ye. Belyayev, V.O. Kochelap.Wonderful tripsin blue light |
|
Informationonorganized 6-thInternationalscientific-technicalconference “Sensor Electronics and Microsystem Technologies” SEMST-6 |
- Деталі
- Перегляди: 8147
CONTENTS
A.V. Sachenko, A.E. Belyаev, N.S. Boltovets, R.V. Konakova , V.N. Sheremet. Mechanisms of contact resistance formation in ohmic contacts with high dislocation density (review) |
5 |
Ya.Ya. Kudryk, V.V. Shynkarenko, V.S. Slipokurov, R.I.Bigun, R.Ya. Kudryk. Methods for deter-mination of schottky barrier height from I-V curves (review) |
21 |
E.A. Achimova, A.V. Stronski, A.P. Paiuk, A.Yu. Meshalkin, Yu.Yu. Boiarinov, A.M. Prisacar, S.V. Robu, P.F. Oleksenko, O.S. Lytvyn. Recording of holografic diffraction gratings on carbazole-containing polymer thin films |
31 |
I.V. Babiychuk, V.A. Dan’ko, I.Z. Indutnyy, M.V. Lukaniuk,V.I. Myn’ko, P.E. Shepeliavyi. Photostimulated reversible changes in the Ge-Se films as a base of resistive process |
36 |
P.I. Baranskii, G.P. Gaidar. Influence of thermoannealings at 450 and 650 oC on the tensoresistanceand anisotropy parameter in mobility of silicon single crystals |
42 |
D.N. Khmil, А.М. Kamuz, P.F. Oleksenko, V.G. Kamuz, N.G. Aleksenko, O.A. Kamuz, S.U. Habuseva, L.D. Patsenker. The use of hybrid organic-inorganic photoluminophors to improve color rendering index of white LEDs |
48 |
А.S. Stanetska, V.М. Tomashyk, І.B. Stratiychuk, Z.F. Tomashyk, S.М. Galkin. Chemical etching of ZnSe crystal surfaced by the H2O2–HBr– acetic acid solutions |
53 |
E.V. Kostyukevych, S.A. Kostyukevych. Optimization of operational characteristics inherent to transducers based on surface plasmon resonance |
60 |
Yu.N. Bobrenko, S.Yu. Pavelets, T.V. Semikina, G.I. Sheremetova, N.V. Yaroshenko. Photoelectric converters of UV radiation with graded-gap layers based on CdxZn1–xS solid solutions |
69 |
V.F.Onyshchenko. Influence of substrate and macropore surface on photoconductivity in two-dimensional structures of macroporous silicon |
75 |
I.E. Matyash. Modulation polarimetry of surface plasmon resonance as the means determining the dielectric properties of gases |
82 |
N.I. Karas. Negative photoconductivity and surface-barrierphotodiodeeffect – two interrelated surface photoeffects in macroporous silicon |
88 |
M.A. Stetsenko. Analysis of resulta of approximation of the spectral characteristics of surface plasmon resonance of analytic functions |
93 |
O.Ye. Belyayev, V.O. Kochelap.Wonderful tripsin blue light |
98 |