- Деталі
- Перегляди: 2689
ЗМІСТ
|
Академік О.Є. Бєляєв, директор Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України. Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України – 58 років у складі НАН України
|
5 |
|
В.П. Костильов, А.В. Саченко. Напівпровідникова фотоенергетика: сучасний стан і актуальні напрями досліджень |
13 |
|
В.І. Чегель, А.М. Лопатинський. Молекулярна плазмоніка – новий напрямок для досліджень у матеріалознавстві та сенсориці. Застосування та теоретичне підгрунтя (Огляд)
|
38 |
|
А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, А.І. Ткачук, С.П. Троценко. InAs фотодіоди (Огляд. Частина IV) |
60 |
|
Л.В. Завьялова, Г.С. Свечников, Н.Н. Рощина, Б.А. Снопок. Получение и исследование полупроводниковых плёнок АІ-VІІІВVІ и функциональных структур на их основе; особенности и возможности СVD метода с применением дитиокарбаматов
|
83 |
|
Л.О. Ревуцька, З.Л. Денисова, О.В. Стронський. Нанесення плівок халькогенідних стекол з розчину: виготовлення, властивості, застосування (огляд) |
124 |
|
В.О. Мороженко. Пропускання, відбиття та теплове випромінювання магнітооптичних резонаторних структур в інфрачервоному діапазоні спектра: дослідження та застосування (огляд)
|
149 |
|
В.С. Кретуліс, І.Є. Мінакова, П.Ф. Олексенко, В.М. Сорокін. Оптоелектронний нефелометричний вимірювач метеопараметрів атмосферного середовища
|
161 |
|
К.В. Михайловська, В.А. Данько, О.Й. Гудименко, В.П. Кладько, І.З. Індутний, П.Є. Шепелявий, М.В. Сопінський. Особливості фотолюмінесценції наночастинок кремнію у багатошарових (SіOх–SіOy)nструктурах з поруватими ізолюючими шарами
|
169 |
|
В.П. Велещук, О.І. Власенко, З.К. Власенко, Д.М. Хміль, О.М. Камуз, С.Г. Неділько, В.П. Щербацький, Д.В. Гнатюк, В.В. Борщ, М.П. Киселюк. Механізми появи видимої паразитної люмінесценції у світлодіодах ультрафіолетового випромінювання 365 нм
|
181 |
|
В.П. Маслов, А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, М.Ю. Кравецький, Н.В. Качур, Є.Ф. Венгер, А.Т. Ворощенко, І.Г. Луцишин, І.М. Матіюк, А.В. Федоренко. Особливості виготовлення, електричні та фотоелектричні властивості дифузійних Gep-i-n фотодіодів
|
188 |
|
Я.М. Оліх, М.Д. Тимочко, М.І. Ілащук. Чинники релаксації акустопровідності в CdTe
|
199 |
|
К.С. Дремлюженко, О.А. Капуш, С.Д. Борук*, Д.В. Корбутяк. Вплив стабілізатора на властивості високодисперсних систем кадмій телуриду отриманих електроіскровим методом
|
213 |
| К.В. Костюкевич, Ю.М. Ширшов, Р.В. Христосенко, А.В. Самойлов, Ю.В. Ушенин, С.А. Костюкевич, А.А. Коптюх. Особенности углового спектра поверхностного плазмон-поляритонного резонанса в геометрии Кретчмана при исследовании латексной водной суспензии
|
220 |
|
А. Мешалкин, А.П. Паюк, Л.А. Ревуцкая, Е. Акимова, А.В. Стронский, А. Присакарь, Г. Тридух, В. Абашкин, А. Корчевой, В.Ю. Горонескуль. Прямая запись поверхностного рельефа дифракционніх решеток с использованием слоев селена как регистрирующих сред
|
240 |
|
В.Ф. Онищенко, М.І. Карась. Релаксація фотопровідності у макропористому кремнії
|
248 |
|
Г.П. Маланич, В.Н. Томашик. Формирование полированой поверхности полупроводниковіх пластин PbTe и Pb1–xSnxTe |
254 |
|
Г.В. Дорожинська, Г.В. Дорожинський, В.П. Маслов. Особливості рефрактометричних характеристик поверхневого плазмонного резонансу моторних олив при експлуатації
|
261 |
|
Н.И. Карась, В.Ф. Онищенко. Монополярная фотопроводимость инверсионного слоя и “медленные” поверхностные уровни в структурах макропористого и монокристаллического кремния в условиях сильного поверхностного поглощения света
|
268 |
|
І.Є. Матяш, І.А. Мінайлова, О.М. Міщук, Б.К. Сердега. Компонентний аналіз спектрів фононного дихроїзму в одновісно деформованому кристалі кремнію
|
273 |
| Правила для авторів збірника наукових праць «Оптоелектроніка та напівпровідникова техніка»
|
282 |
| Contents
|
284 |
- Деталі
- Перегляди: 5041
ЗМІСТ
|
А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, А.І. Ткачук, С.П. Троценко. InSb Фотодіоди (Огляд. Частина III) |
|
|
Г.В. Дорожинський, О.М. Ляпін, Г.В. Дорожинська, В.П. Маслов. Стан та проблеми розробки чутливих елементів приладів на основі явища поверхневого плазмонного резонансу (Огляд) |
|
|
Р.А. Редько, Н.Д. Вахняк, О.П. Лоцько, Г.В. Міленін, В.В. Мілєнін, С.М. Редько. Вплив мікрохвильового випромінювання на фотолюмінесцентні властивості сполук АII BVI (Огляд) |
|
|
В.Н. Борщев, А.М. Листратенко, И.Т. Тымчук, Г.И. Никитский, А.А. Фомин, Л.А. Назаренко, В.М. Сорокин, А.В. Рыбалочка, Д.А. Калустова, Д.В. Пекур. Высокоэффективные объемные светодиодные модули для сверхмощных ламп бытового и промышленного применения |
|
|
А.Т. Ворощенко, А.В. Сукач, В.В. Тетьоркін, А.І. Ткачук, М.Ю. Кравецький, І.Г. Луцишин, І.М. Матіюк. Особливості виготовлення CdTe p-n-переходів та транспорт носіїв заряду в них |
|
|
В.А. Данько, І.З. Індутний, Ю.В. Ушенін, В.І. Минько, Д. Хегеманн, М. Ванденбоше, П.Є. Шепелявий, М.В. Луканюк, П.М. Литвин, Р.В. Христосенко. Дослідження чутливості сенсорних Au чипів з наноструктурованою поверхнею |
|
|
К.В. Михайловська, В.І. Минько, І.З. Індутний, П.Є. Шепелявий. Вплив періодичного рельєфу кремнієвої підкладки на поляризацію фотолюмінесценції nc-Si–SiOx наноструктур |
|
|
Я.М. Оліх, М.Д. Тимочко, Н.В. Сафрюк, М.І. Ілащук, О.Я. Оліх. Дослідження «придис- локаційних» кластерів точкових дефектів у кристалах CdZnTe методом акусто-Холла |
|
|
В.Ф. Онищенко, М.І. Карась. Розрахунок спектрів фотопровідності в кремнії з поверхнями, структурованими макропорами |
|
|
Г.П. Гайдар, П.І. Баранський. Експериментальний доказ незмінності форми ізоенергетичних еліпсоїдів n-Ge в умовах сильної одновісної пружної деформації |
|
|
Н.И. Карась, В.Ф. Онищенко, Д.А. Калустова, В.И. Корнага. «Медленные» поверхностные уровни и релаксация фотопроводимости в структурах макропористого кремния в фиолетовой области оптического спектра |
|
|
Ю.В. Голтвянський, О.Й. Гудименко, О.В. Дубіковський, О.І. Любченко, О.С. Оберемок, Т.М. Сабов, С.В. Сапон, К.І. Чуніхіна. Дослідження процесів формування фотодіодів в InSb при іонній імплантації берилію |
|
|
Пам’яті академіка НАН України С.В. Свєчнікова |
- Деталі
- Перегляди: 4735
CONTENTS
|
A.I. Vlasenko, V.P. Veleschuk, M.P. Kisselyuk, Z.K. Vlasenko, I.O. Lyashenko, O.V. Lyashenko. Acoustic emission of the light emitting diodes (review) |
|
|
A.V. Sukach, V.V. Tetyorkin, I.M. Matiyuk, A.I. Tkachuk. InAs photodiodes (review)
|
|
|
V.A. Dan’ko, I.Z. Indutnyy, M.V. Lukaniuk, V.I. Myn’ko, S.S. Ponomarjov, P.E. Shepeliavyi, V.O.Yukhymchuk. Photolithography on photostimulated reversible and transient structural changes in CHG |
|
|
Ya.Ya. Kudryk. Methods for creation and properties of ohmic contacts to indium phosphide (rewiev)
|
|
|
P.I. Baranskii, G.P. Gaidar. Comparison of the electrophysical properties of silicon crystals doped with phosphorus through the melt and by using the method of nuclear transmutation
|
|
|
A.P. Paiuk, A.Yu. Meshalkin, A.V. Stronski, E.A. Achimova, S.A. Sergeev, V.G. Abashkin, O.S. Lytvyn, P.F. Oleksenko, A.M. Prisacar, G.M. Triduh, E.V. Senchenko. E-beam and holographic recording of surface relief structures by using the Ge5As37A58–se multilayer nanostructures as registering media
|
|
|
S.P. Rudenko, M.O. Stetsenko, I.M. Krishchenko, L.S. Maksimenko, E.B. Kaganovich, B.K. Serdega. Diagnostic of localized surface plasmon resonances on porous gold films
|
|
|
G.P. Malanych, V.M. Tomashik, I.B. Stratiychuk, Z.F. Tomashik. Chemical etching of PbTe and Pb1–xSnxTe single crystals by using H2O2–HBr solutions with different initial HBr concentrations
|
|
|
E.V. Kostyukevich, S.A. Kostyukevich, A.A. Kudryavtsev, N.L. Moskalenko. Analysis of changes in optical characteristics of polycrystalline gold films under the influence of low-temperature annealing
|
|
|
V.A. Dan’ko, M.L. Dmytruk, I.Z. Indutnyy, S.V. Mamykin, V.I. Myn’ko, P.M. Lytvyn, M.V. Lukaniuk, P.E. Shepeliavyi. Formation of submicron periodic plasmon structures of large area by using the interference lithography method with vacuum photoresists
|
|
|
R.V. Khristosenko, Ye.V. Kostyukevich, Yu.V. Ushenin, A.V. Samoylov. Improvement of exploitation parameters of transducers based on surface plasmon resonance via optimization of optical parts in sensor devices of the “plasmon” type
|
|
|
V.F. Onyshchenko. Distribution of non-equilibrium charge carriers in macroporous silicon structure under conditions of their homogeneous generation over the simple bulk
|
|
|
S.V. Svechnikov. To the 50th issue of “Optoelectronics and Semiconductor Technique” |
- Деталі
- Перегляди: 5889
CONTENTS
|
Jubilee greetings! (90 years of Editor-in-Chief of the collection, Academician of NAS of Ukraine S.V. Svechnikov) |
|
|
Yu.V. Kryuchenko, D.V. Korbutyak. Hybrid nanostructures with quantum dots A2B6 and metal nanoparticles (review)
|
|
|
A.I. Vlasenko, V.P. Veleschuk, Z.K. Vlasenko, D.N. Khmil’, O.M. Kamuz, V.V. Borshch. Non-destructive control and diagnostics of led GaN structures by using microplasmas (Review)
|
|
|
A.V. Sukach, V.V. Tetyorkin, I.M. Matiyuk, A.I. Tkachuk. InSb Photodiodes (Review, Part I)
|
|
|
A.V. Sukach, V.V. Tetyorkin, I.M. Matiyuk, A.I. Tkachuk. InSb Photodiodes (Review, Part II)
|
|
|
V.O. Lysiuk, S.O. Kostyukevych, K.V. Kostyukevych, A.A. Koptiukh, V.S. Stashchuk. Features of photonic crystals (review)
|
|
|
O.N. Marchylo, L.V. Zavyalova, Y. Nakanishi, H. Kominami, K. Hara, S.V. Svechnikov, B.A. Snopok, A.E. Beliaev. Red-emitting phosphors based on SrTiO3:Pr3+ prepared by sol-gel method
|
|
|
V.S. Kretulis, I.E. Minakova, P.F. Oleksenko, Optoelectronic basic module of sensor systems for meteorological and ecological monitoring
|
|
|
R.O. Denysyuk, V.M. Tomashyk, Т.M. Denysyuk, Interaction of the ZnxCd1-xTe and Cd0.2Hg0.8Te solid solutions with NaNО2–НІ–lactic acid etchants
|
|
|
L.O. Revutska, O.P. Paiuk, A.V. Stronski, A.Yo. Gudymenko, A.A. Gubanova, Ts.A. Kryskov, Structural properties of chalcogenide glasses As2S3 doped with silver
|
|
|
P.I. Baranskii, G.P. Gaidar, Magnetotenso- and tensomagnetoresistance of n-Ge
|
|
|
E.G. Manoilov, S.A. Kravchenko, B.A. Snopok, Methodology in object-oriented modeling the adsorption processes: the features of dynamics formation and spatial self-organization of surface structures
|
|
|
S.O. Kostyukevych, K.V. Kostyukevych, R.V. Khrystosenko, A.A. Koptiukh, N.L. Moscalenko, V.O. Lysiuk, V.I. Pogoda, Surface plasmon resonance sensor based on polymer substrate
|
|
|
T.V. Semikina, Diode structures and electrical properties of ZnO films grown using the atomic layer deposition method
|
|
|
V.F. Onyshchenko, Distribution of photocarriers in macroporous silicon in case of the spatially inhomogeneous generation of charge carriers |
- Деталі
- Перегляди: 7980
Optoelectronics and Semiconductor Technique Vol.47