До 90-річчя від дня народження Олега В’ячеславовича Снітка

(1928 – 1990 рр.).

Олег В’ячеславович Снітко - відомий вчений в галузі фізики напівпровідників, доктор фізико-математичних наук, професор, академік АН УРСР, лауреат Державної премії УРСР в області науки і техніки, лауреат премії АН УРСР ім. К.Д.Синельникова.

          О.В.Снітко народився 30 квітня 1928 року в м. Києві. В 1946 році він закінчив середню школу і в тому ж році вступив на фізичний факультет Київського державного університету ім.Т.Шевченка. Закінчивши в 1951 році університет, Олег В’ячеславович розпочав свою наукову діяльність в Інституті фізики   АН УРСР, у відділі відомого вченого, професора В.І.Ляшенка, засновника в Україні наукового напряму - фізики поверхні напівпровідників.  

        З 1953 по 1956 рр. О.В.Снітко вчився в аспірантурі Інституту фізики АН УРСР. В 1957 р. він захистив кандидатську дисертацію,а в 1969 р.- докторську дисертацію.

  О.В.Снітко з перших днів існування Інституту напівпровідників АН УРСР, який було створено у жовтні 1960 року, працював в ньому вченим секретарем (1960 р.), старшим науковим співробітником, завідувачем   лабораторії та завідувачем відділу (1961-1967 рр.), з 1967 по 1970 рр. був заступником директора Інституту, а з 1970 по 1990 рр. - директором Інституту. В 1971 р. О.В.Снітка було затверджено у вченому званні професора за спеціальністю «Фізика напівпровідників і діелектриків», в 1973 р. його обрано членом - кореспондентом АН УРСР, а в 1985 р.- академіком АН УРСР.

        Очолюючи з 1970 р. Інститут напівпровідників, Олег В’ячеславович прикладав багато зусиль для впровадження результатів наукових досліджень, які виконувалися в Інституті. За його ініціативою в 1975 р. при Інституті було створено СКТБ з ДВ.

      Наукові дослідження О.В.Снітка стосувалися широкого кола об’єктів: фотоелектричних процесів на поверхні напівпровідників та в тонких плівках, актуальних до цього часу напівпровідників германію та кремнію, дво -та багатокомпонентних кристалів CdS, CdSe, CdTe,GaS, а також плівок PbS, PbSe, чутливих до опромінення в широкому діапазоні спектра - від ультрафіолетового до інфрачервоного. Він ретельно досліджував фізичні процеси на поверхнях різного типу - на атомарно-чистій поверхні напівпровідників (зокрема, динамічні явища та фазово-структурні атомні перетворення),на так званій «реальній поверхні», на гетеропереходах метал-напівпровідник типу Шотткі, в тонких плівках та багатошарових структурах.

       Наступні роботи О.В.Снітка стосувалися процесів, що протікають у матеріалах та структурах мікроелектроніки. Разом із співробітниками ним було відкрито ефект глибокого виснаження напівпровідника під дією змінного електричного поля.

Добре відомий цикл робіт, виконаний О.В.Снітком та В.А.Тягаєм, і присвячений дослідженню поглинання світла в напівпровідниках електромодуляційними методами. Їхні результати дозволили зробити висновок, що екситонні ефекти як у непрямо -зонних, так і в прямозонних напівпровідниках проявляються як в електропоглинанні, так і в електровідбиванні не тільки при низьких, а і при високих температурах.

О.В.Снітко опублікував більш ніж 300 наукових робіт, в тому числі шість монографій, є автором багатьох авторських свідоцтв на винаходи, декількох популярних статей про напівпровідники та їх застосування. Він дбав про наукову зміну: підготував 8 докторів та 35 кандидатів наук.

Свою наукову діяльність О.В.Снітко поєднував з науково-організаційною та громадською роботою як голова Наукової ради АН УРСР з проблеми «Фізика напівпровідників», як член Бюро Відділення фізики і астрономії АН УРСР, Наукової ради з проблеми «Фізика і хімія напівпровідників» та секції АН СРСР з проблеми «Фізика поверхні напівпровідників». Він був членом редколегій таких відомих наукових журналів, як «Физика и техника полупроводников»та «Поверхность».

О.В.Снітко був відзначений державними нагородами: двома орденами «Знак пошани» (1976 р.,1988 р.), медалями «За звитяжну працю» (1970 р.) та «В пам'ять 1500-річчя Києва»(1982 р.).