- Деталі
- Створено: П'ятниця, 02 жовтня 2026, 13:07
- Автор: Alexander
- Перегляди: 23
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова
НАН України
оголошує конкурс на заміщення вакантних посад
Проведення конкурсу регулюється ПОРЯДКОМ проведення конкурсу на заміщення вакантних посад наукових працівників в Інституті фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова НАН України. Посади та додаткові вимого до кандидатів, окрім зазначених в ПОРЯДКУ, наводяться в таблиці.
|
Посада |
Додаткові вимоги до кандидатів |
|
|
У відділ «» (від. № 1) «Теоретичної фізики» |
||
|
заступник завідувача відділу (1 – вакансія) |
Особа з науковим ступенем науковий ступінь кандидата фізико-математичних наук або доктора фізико-математичних наук - Вчене звання старший дослідник (старший науковий співробітник або доцент) - Не менше 10 публікацій за останні 5 років в журналах з квартилями Q1 та Q2, включених до міжнародних наукометричних баз - Досвід наукової роботи не менше 10 років в області теоретичної фізики - Досвід у написанні та виконанні конкурсних національних та міжнародних проєктів |
|
|
провідний науковий співробітник (1 – вакансія) |
Особа з науковим ступенем науковий ступінь кандидата фізико-математичних наук або доктора фізико-математичних наук. - Вчене звання старший дослідник (старший науковий співробітник або доцент) - Не менше 7 публікацій за останні 5 років в журналах з квартилями Q1 та Q2, включених до міжнародних наукометричних баз - Досвід наукової роботи не менше 10 років в області теоретичної фізики - Досвід у написанні та виконанні конкурсних національних та міжнародних проєктів. |
|
|
У відділ (від.№2) «Хімії і технології напівпровідників» |
||
|
молодший науковий співробітник (1 – вакансія) |
Особа з на посаду повинна мати: - науковий ступінь не нижче доктора філософії (кандидата наук) або магістра; - навики по виконанню робіт по нанесенню тонких діелектричних шарів методами плазмохімії та робота на установках з індуктивно пов’язаною плазмою. |
|
|
У відділ (від.№3) «Йонно-променевої інженерії і структурного аналізу» |
||
|
заступник завідувача відділу (1 – вакансія) |
Особа з науковим ступенем доктора наук або доктора філософії (кандидата наук), яка має не менше п’яти років досвіду за відповідним напрямком діяльності підрозділу, зокрема досвід роботи з: - високо-вакуумним технологічним та аналітичним обладнанням; - масспектрометричними дослідженнями компонентного складу шаруватих нанорозмірних напівпровідникових структур; - іонно-променевим легуванням та модифікацією напівпровідників; - сенсорами інфрачервоного випромінювання; - дослідженнями структури та дефектів в напівпровідниках. За останні п’ять років не менше 10 публікацій включених до міжнародних наукометричних баз, та/або патентів. |
|
|
провідний інженер (1 – вакансія) |
Особа яка має ступінь магістра та володіє методами вимірювання електричних параметрів напівпровідникових приладів та структур. |
|
|
У відділ (від.№5) «Кінетичних явищ та поляритоніки» |
||
|
провідний наукового співробітника (1 – вакансія) |
Особа з науковим ступенем доктора наук за спеціальністю 01.04.07 – фізика твердого тіла, яка має вчене звання старшого дослідника зі спеціальності 105 Прикладна фізика і наноматеріали, за останні 5 років не менше 15 публікацій, включених до міжнародних наукометричних баз Scopus/ WebofScience, мати досвід керівництва міжнародним науково-дослідним проєктом та мати не менше 10 років досвіду роботи з дослідження оптичних (фотолюмінесценція, комбінаційне розсіювання світла, ІЧ-поглинання) властивостей напівпровідникових алмазних та алмазоподібних мікро- та нанокристалічних плівок, вирощених плазмохімічними методами PECVD, RFCVDта вакумно-дуговим методом. |
|
|
старший наукового співробітника (1 – вакансія) |
Загальні кваліфікаційні вимоги:
Претендент повинен мати підтверджений науковий доробок і володіти експериментальними та теоретичними навичками за такими напрямами: 1. Дослідження в галузі плазмоніки та поверхнево-підсиленої спектроскопії (SERS): -Досвід дослідження фізичної природи некогерентного фонового випромінювання (шумів / люмінесценції металів) у плазмонних наноструктурах і SERS-активних підкладках. - Досвід аналізу співвідношення сигнал/шум для молекул, адсорбованих на наноструктурованих металевих поверхнях, залежно від довжини хвилі збудження та морфології плазмонних зазорів (interparticle nanogaps). - Володіння методиками оцінки коефіцієнтів підсилення локального електромагнітного поля на основі спектральних характеристик антистоксового випромінювання (шумів) та аналізу електронної температури в плазмонних наноструктурах. 2. Лазерна спектроскопія з часовим розділенням та нелінійна оптика: - Досвід розробки, юстування та експлуатації експериментальних оптичних установок на основі фемтосекундних лазерних систем (зокрема Ti:Sapphire з тривалістю імпульсу близько 100 фс). - Практичний досвід реалізації методу оптичного затвору (воріт Кера / optical Kerr gating) для вимірювання надшвидких процесів розпаду люмінесценції (у діапазоні сотень фемтосекунд і пікосекунд). - Розуміння нелінійно-оптичних властивостей активних середовищ для оптичних затворів (CS₂, нелінійні стекла тощо), врахування їхнього відгуку та дисперсії при формуванні апаратної функції системи. 3. Взаємодія світла з нанооб'єктами на межі розділу метал–діелектрик: - Досвід вивчення процесів надшвидкого гасіння люмінесценції (quenching) та переносу енергії від молекулярних випромінювачів до поверхні металу в нанометровому масштабі (1–5 нм). - Навички подолання експериментальних обмежень, пов'язаних із фотовідбілюванням (photobleaching) органічних молекул та деградацією зразків під дією фемтосекундного випромінювання високої щільності потужності. Перелік посадових завдань та обов'язків - Проведення фундаментальних та прикладних досліджень механізмів локалізації світла, плазмонного підсилення та надшвидкої релаксації носіїв заряду в наноструктурованих середовищах. - Модернізація оптичних стендів для дослідження спектроскопії одиничних нанооб'єктів і молекулярних ансамблів із високим часовим і просторовим розділенням. - Підготовка наукових звітів, написання статей для високорейтингових міжнародних журналів та участь у залученні грантового фінансування (НФДУ, програми ЄС Horizon Europe, двосторонні проєкти). |
|
|
У відділ (№8) «Фізики поверхні і нанофотоніки» |
||
|
провідний наукового співробітника
|
Особа з науковим ступенем доктора наук, яка має вчене звання, не менше семи років досвіду, за останні п’ять років не менше семи публікацій включених до міжнародних наукометричних баз, та/або патентів. Має володіти технологією осадження діелектричних та нанокомпозитних плівок методом іонно-плазмовогоосадження, проводити дослідження методами електрофізичних властивостей плівок та структур та мати досвід у дослідженні та аналізі електрофізичних властивостей плівок. |
|
|
старший наукового співробітника
|
Особа з науковим ступенем не нижче доктора філософії (кандидата наук), яка має не менше п’яти років досвіду та за останні п’ять років не менше п’яти публікацій включених до міжнародних наукометричних баз, та/або патентів. Має володіти технологією проведення термічних відпалів плівок та структур, мати досвід роботи у хімічному синтезі вуглецевих наноточок та досвід у дослідженні оптичних, в тому чисел ілюмінесцентних, властивостей матеріалів. |
|
|
У відділ (№12) «Технологічна ділянка» |
||
|
старший наукового співробітника (1 – вакансія) |
Особа з науковим ступенем доктора наук або доктора філософії (кандидата наук), яка має не менше п’яти років досвіду за напрямком діяльності підрозділу, зокрема досвід роботи з: - виготовлення гібридних мікрозбірок на поліамідних носіях.
|
|
Для участі у конкурсі необхідно до 03 листопада 2026 року надіслати поштою або подати особисто на адресу інституту (03028 м. Київ, проспект Науки, 41ІФН ім. В.Є.Лашкарьова НАН України вченому секретарю Інституту Редьку Роману Анатолійовичу) такі документи:
- письмову заяву на ім’я директора про участь у конкурсі;
- копію документа, що посвідчує особу;
- заповнену особову картку (анкету) встановленого зразка;
- автобіографію;
- копію трудової книжки (за наявності);
- копії документів про вищу освіту, підвищення кваліфікації, присудження наукового ступеня, присвоєння вченого звання, військового квитка (для військовослужбовців або військовозобов’язаних);
- перелік наукових праць, опублікованих у вітчизняних та/або іноземних (міжнародних) рецензованих фахових виданнях;
- письмову згоду на обробку персональних даних.
Учасник конкурсу, який є співробітником ІФН ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, надає наступні документи:
- службову на ім'я Директора від завідувача структурного підрозділу з візою завідувача відділу економічного аналізу та прогнозування науково-дослідних робіт
- письмову заяву на ім’я Директора про участь у конкурсі, написану власноруч
- перелік наукових праць, опублікованих у вітчизняних та/або іноземних (міжнародних) рецензованих фахових виданнях.
- Кандидати, які виявили бажання взяти участь у конкурсі, можуть подавати додаткову інформацію про освіту, досвід роботи, професійний рівень і репутацію, а також своє бачення розвитку досліджень і розробок на посаді.
- Кандидати, документи яких не відповідають встановленим вимогам, до участі у конкурсі не допускаються.
- Строк прийняття заяв та документів не може бути меншим ніж 30 календарних днів з дня оприлюднення оголошення.
- Протягом п’яти робочих днів після закінчення строку подання заяв та документів рішенням Директора затверджується перелік учасників конкурсу, який оприлюднюється на офіційному веб-сайті наукової установи.
- Для надання роз'яснень звертатися довченого секретаря Інституту Редька Романа Анатолійовича, завідувача відділу кадрів Інституту Петрушенко Лілії Євгеніївни.
Адреса: пр-т. Науки, 41 м.Київ, 03028, Україна.
Тел.: (044) 525-22-01, (044) 525-64-70.
Вчений секретар Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України.
Адреса електронної пошти: sci.sec.redko@gmail.com



