- Деталі
- Створено: Вівторок, 17 серпня 2021, 11:29
- Автор: Super User
- Перегляди: 996
ДО УВАГИ СПІВРОБІТНИКІВ ІНСТИТУТУ
З 1 вересня 2021 року в Україні запроваджується цільова модель формування та видачі «е-лікарняних» листків непрацездатності.
Запровадження електронних лікарняних листків непрацездатності – важливий етап депаперизації не лише у сфері охорони здоров’я, але й у побудові системи ефективного електронного документообігу, що дозволить суттєво економити бюджетні кошти шляхом мінімізації корупційних ризиків видачі необґрунтованих лікарняних та спрощення процесу отримання страхових виплат.
- Деталі
- Створено: Понеділок, 16 серпня 2021, 14:46
- Автор: Super User
- Перегляди: 757
До уваги молодих учених!
З 1 вересня 2021 р. оголошуються конкурси на здобуття стипендій Президента України для молодих вчених і стипендій НАН України для молодих вчених (Розпорядження Президії НАН України № 404 від 09.08.2021 та відповідне інформаційне повідомлення додаються).
- Деталі
- Створено: П'ятниця, 13 серпня 2021, 14:23
- Автор: Super User
- Перегляди: 751
Оголошено конкурсний прийом до аспірантури
Інституту фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
за за денною формою навчання (заочна форма на умовах конкурсу)
За спеціальностями:
- 105-Прикладна фізика та наноматеріали;
- 104-Фізика та астрономія;
- 172-Телекомунікаціїта радіотехніка.
Документи приймаються до 7 вересня 2021 р.
Зарахування до аспірантури проводиться з 1 листопада 2021р.
Довідки за тел.+38(044)525-02-60,4-46, Пономаренко В.В.
- Деталі
- Створено: Вівторок, 20 липня 2021, 14:50
- Автор: Alexander
- Перегляди: 783
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України оголошує конкурс постдокторальних досліджень за такими науково-дослідними темами:
- Високороздільна Х-променева дифрактометрія деформаційного та композиційного стану нітридних Al(In)GaN плівок, градієнтних шарів та нанодротів (керівник - в.о. заступника директора Інституту, зав. відділом «Структурного і елементного аналізу матеріалів і систем», чл.-кореспондент НАН України Кладько Василь Петрович).
- Нанокристали багатокомпонентних халькогенідів типу Cu2ZnSnS4 із катіонним заміщенням і модифікацією поверхні для тонкоплівкової фотовольтаїки (керівник - зав.відділом «Оптики і спектроскопії напівпровідникових і діелектричних матеріалів» д.ф.-м.н., професор Юхимчук Володимир Олександрович).
У програмі постдокторальних досліджень у НАН України можуть брати участь вчені, якіна момент завершення конкурсного відбору відповідають таким вимогам:
- вік до 35 років включно;
- від дати захисту дисертації на здобуття наукового ступеня кандидата наук або доктора філософії (Ph.D.) має пройти не більше 7 років;
- проведення досліджень за заявленими на конкурс тематиками наукових проектів;
- претендент не працює за основним місцем роботи у науковій установі НАН України, до якої він подає заявку для участі в програмі;
- претендент є громадянином України.
Претендент подає до наукової установи НАН України такі документи:
- підписану заяву про участь у програмі постдоків НАН України із назвою науково-дослідної теми, до виконання якої він хоче долучитися;
- професійне резюме (CV);
- мотиваційний лист (обсяг тексту не більше 500 слів);
- копію диплома про науковий ступінь;
- автореферат дисертації;
- письмові рекомендації від двох вчених з обраної галузі.
Документи приймаються до 30 вересня 2021 року. Додаткову інформацію Ви можете отримати у вкладених файлах (Постанова №245, Постанова №246).
Документи приймає Скляренко Олександр Олександрович, к. №234, тел. 3-46, 525-55-50.
- Деталі
- Створено: Четвер, 08 липня 2021, 17:20
- Автор: Super User
- Перегляди: 1033
ВІРТУАЛЬНА КНИЖКОВА ВИСТАВКА
Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова
Національної академії наук України до 30-річчя Незалежності України
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics |
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України 1960—2020 |
Сонячна енергетика. Порядок денний для світу й України |
Introduction to Optical and Optoelectronic Properties of Nanostructures |