 |
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Національна академія наук України |
Проекти Publications dep08 dep-08-before Photoluminescence study of Gamma-irradiation effect on the defect structure in Ge-doped CdTe single crystalsIu. Nasieka, L. Rashkovetskyi, M. Boyko, V. Strelchuk, Z. Tsybrii, B. Danilchenko, and L. Shcherbak, "Photoluminescence study of Gamma-irradiation effect on the defect structure in Ge-doped CdTe single crystals" / Phys. Status Solidi C, 1– 5 (2014) / DOI 10.1002/pssc.201300571.
