- Деталі
- Перегляди: 4033
Effect of Active Actions on the Properties of Semiconductor Materials and Structures
|
 |
The monograph deals with the physico-technological aspects of interaction of microwave radiation with semiconductor materials and device structures made on their basis. The effect of active actions (microwave treatment, 60Со γ-irradiation and rapid thermal annealing) on the processes of structural relaxation in the ТіВ2–GaAs (InP, GaP, SiC) contacts is considered. An analysis is made of the features of the effect of microwave and 60Со γ-radiation on the electrical characteristics of resonant tunneling diodes made on the basis of AlGaAs–GaAs heterojunctions, as well as gallium arsenide tunnel diodes with a delta-layer in the space-charge region. The experimental data on the effect of microwave radiation on defect modification in the SiO2–GaAs (SiC) structures are presented. The effects in the nanocrystalline silicon–silicon systems induced by microwave radiation are considered. Much space is given to the effects produced by microwave and 60Со γ-irradiation in the Та2О5–Si structures, depending on the conditions of Та2О5 formation. The monograph is intended for researchers and those engaged in development of microwave devices. It may be of use also to post-graduates and undergraduates specializing in the corresponding areas.
В монографії розглянуті фізико-технологічні аспекти взаємодії НВЧ ви-промінювання з напівпровідниковими матеріалами та приладовими структу-рами на їх основі. Показано вплив активних обробок (НВЧ обробка, γ-опромінювання 60Со і швидкий термічний відпал) на процеси структурної релаксації в контактах TiB2-GaAs (InP, GaP, SiC). Проаналізовані особливо-сті впливу НВЧ і γ-випромінювання 60Со на електричні характеристики резонансно-тунельних діодів на основі гетеропереходів AlGaAs—GaAs і арсенідгалієвих тунельних діодів з дельта-шаром в області просторового заряду. Наведені експериментальні дані з впливу НВЧ випромінювання на модифікацію дефектів в структурах SiO2-GaAs (SiC). Розглянуті стимульовані НВЧ випромінюванням ефекти в системах нанокристалічний кремній—кремній. Значне місце відведено ефектам, викликаним НВЧ і γ-опромінюванням 60Со в структурах Та2O5—Si, в залежності від умов формування Та2O5. Монографія призначена для наукових працівників і розробників НВЧ приладів. Вона може бути корисною також аспірантам і студентам вузів, які навчаються за відповідними спеціальностями.
- Деталі
- Перегляди: 3040
Effect of microwave and laser radiations on the parameters of semiconductor structures
|
 |
The monograph is intended for researchers and specialists engaged in semiconductor electronics. It may be of use also to lecturers, post-graduates and undergraduates dealing with the above problems.
Монографія призначена для науковців і фахівців у галузі напівпровідникової електроніки. Вона може стати в пригоді також викладачам, аспірантам і студентам старших курсів, яким доводиться мати справу з вищевказаними проблемами.
- Деталі
- Перегляди: 11009
Physico-technological aspects of degradation of silicon microwave diodes = (Фізико-технологічні аспекти деградації кремнієвих НВЧ діодів)
| Вид видання: | Монографія |  |
| Рубрика: | Технічні науки | |
| Мова видання: | Англійська | |
| Автор(и): | A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, E.F. Venger et al. | |
| Редактор: | A.E. Belyaev, R.V. Konakova | |
| Головна установа: | Ін-т фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова | |
| Установи-видавці: | V. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics of the NAS of Ukraine ; State Enterprise Research Institute "Orion" | |
| Де і ким видано: |
K. : Akademperiodyka
|
|
| Рік: | 2011 | |
| Обсяг: | (Ум. друк. арк. 14,8 ; Обл.-вид. арк. 17,4) | |
| ISBN: | 978-966-360-176-2 | |
| Посилання: | Physico-technological aspects of degradation of silicon microwave diodes / A.E. Belyaev, N.S. Boltov ets, E.F. Venger, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, V.V. Milenin, G.V. Milenin. - Kyiv: Akademperiodyka, 2011. 182 p. | |
| Анотація: | The monograph deals with the physical phenomena occuring in the metal–semiconductor junction layer and at microwave diode breakdown, as well as methodology of the catastrophe thejry when predicting failures for silicon diodes and transistors. The methods of measurements of the parameters of ohmic and barrier contacts, as well as degradation mechanisms in silicon microwave diodes related to the physico-chemical and structural properties of metal–semiconductor interfaces, quality of the initial semiconductor material and p-n junction perfection, are considered. The experimental data on the techniques of defect gettering in microwave diode structures, in particular, the low-temperature and non-heating gettering processes that improve the parameters of semiconductor devices, are presented. | |
| Аудиторія: | The monograph is intended for researchers and those engaged in development of microwave devices. It may be of use also to post-graduates and under-graduates specializing in the corresponding areas. | |
| Анотація: |
В монографії розглянуті фізичні явища, які відбуваються в перехідному шарі метал–напівпровідник і при пробитті кремнієвих НВЧ діодів, а також методологія теорії катастроф при прогнозуванні відмов кремнієвих діодів і транзисторів. Викладені методи вимірювання параметрів омічних і бар’єрних контактів та механізми деградації кремнієвих НВЧ діодів, пов’язані з фізико-хімічними і структурними властивостями межі поділу метал–напівпровідник, якістю вихідного напівпровідникового матеріалу та досконалістю p-n переходу. Наведені експериментальні дані про методи генерування дефектів у НВЧ діодних структурах, зокрема про низькотемпературні та ненагрівні процеси гетерування, що поліпшують параметри напівпровідникових приладів. |
|
| Аудиторія |
Монографія призначена для наукових працівників і розробників твердотільних НВЧ приладів. Вона може бути корисною також аспірантам і студентам, які навчаються за відповідним фахом.
|
|
| Скачати: | Knyga_out_mon.pdf (3,90 МБ) | |