- Деталі
- Перегляди: 4493
S.M. Soskin, I.A. Khovanov, and P.V.E. McClintock // Phys. Rev. B 100, 235203 (2019) https://doi.org/10.1103/PhysRevB.100.235203
- Деталі
- Перегляди: 5310
G.I. Syngayivska, V.V. Korotyeyev, V.A. Kochelap and L. Varani // J. Appl. Phys.,
125, 135704 (2019) https://doi.org/10.1063/1.5082016
- Деталі
- Перегляди: 5296
Ю.О. Кругляк, М.В. Стріха // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 16, № 3, 9 -41 (2019) https://doi.org/10.18524/1815-7459.2019.3.179347
- Деталі
- Перегляди: 5245
V. Lytovchenko, A. Kurchak, S. Repetsky and M. Strikha // In: Handbook of Graphene. Vol. 1. Growth, Synthesis and Functionalization. Edited by Edvige Celasco, Alexander N.Chaika. Scrivener Publishing. Wiley. – 2019. – Chapter 18. https://www.wiley.com/en-us/Handbook of Graphene
- Деталі
- Перегляди: 5543
Ю.О. Кругляк, М.В. Стріха // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 16, № 2, 5 -31 (2019) http://dx.doi.org/10.18524/1815-7459.2019.2.171224
Більше статей...
- Magnetic dielectric-graphene-ferroelectric system as a promising non-volatile device for modern spintronics
- Фізика нанотранзисторів: теорія MOSFET в традиційному викладі, основи моделі віртуального витоку й наближення виснаження
- Integer quantum Hall effect in graphene channel with p-n-junction at domain wall in a strained ferroelectric film
- Influence of inter-electron scattering on the form of non-equilibrium distribution function of band carriers