Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Національна академія наук України
Пошук
Навігаційний перегляд пошуку
Навігація
Головна
Інститут
Наукові відділи
Проекти
Розробки
Освіта
Новини
Журнал
Пошта
Ви тут:
Головна
Проекти
Publications
dep07
dep-07-2016
The temperature dependence of the resistivity of ohmic contacts based on gallium arsenide and indium phosphide in the 4.2–300 K range
Деталі
Перегляди: 19365
Sachenko A.V., Belyaev A.E., Boltovets N.S., Konakova R.V., Vitusevich S.A., Novitskii S.V., Sheremet V.N., Pilipchuk A.S. // Technical Physics Letters.–2016. – V.42, N.6. – P. 649-651