Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Національна академія наук України
Пошук
Навігаційний перегляд пошуку
Навігація
Головна
Інститут
Наукові відділи
Проекти
Розробки
Освіта
Новини
Журнал
Пошта
Ви тут:
Головна
Проекти
Publications
dep07
dep-07-2016
Single trap kinetic in Si nanowire FETs: effect of gamma radiation treatment
Деталі
Перегляди: 19627
Zadorozhnyi I., Li J., Pud S., Petrychuk M., Vitusevich S. // MRS advances.-2016.-V.1.-N.56.-P. 3755-3760