Mobility enhancement effect in heavily doped junctionless nanowire silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України

Пошук

Ви тут: Головна

Наукові відділи

Publications

dep15

dep-15-before

Mobility enhancement effect in heavily doped junctionless nanowire silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

Деталі: Перегляди: 6911

Tamara Rudenko, Alexey Nazarov, Isabelle Ferain, Samaresh Das, Ran Yu, Sylvain Barraud, and Pedram Razavi, Applied Physics Letters, vol.101, p. 213502 (2012)

Пошук

Навігаційний перегляд пошуку

Навігація