A revised reverse gated-diode technique for determining generation parameters in thin-film silicon-on-insulator devices and its application at high temperatures

Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України

Пошук

Ви тут: Головна

Наукові відділи

Publications

dep15

dep-15-before

A revised reverse gated-diode technique for determining generation parameters in thin-film silicon-on-insulator devices and its application at high temperatures

Деталі: Перегляди: 9400

T. Rudenko, V. Kilchytska, V. Dessard and D. Flandre, J. Appl. Phys, v 97, May, p. 093718-1-9. (2005)

Пошук

Навігаційний перегляд пошуку

Навігація