Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України
Пошук
Навігаційний перегляд пошуку
Навігація
Головна
Інститут
Наукові відділи
Проекти
Розробки
Освіта
Новини
Журнал
Пошта
Ви тут:
Головна
Наукові відділи
Publications
dep08
dep-08-before
Послойный рост эпитаксиальных слоёв PbTe и свойства гетероструктур на их основе
Логін
Пароль
Запам'ятати мене
Забули свій пароль?
Забули свій логін?
Деталі
Перегляди: 7834
Г. В. Бекетов, С. П. Мовчан, Ф. Ф. Сизов // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. №35, с.139-145 (2000)