Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України
Пошук
Навігаційний перегляд пошуку
Навігація
Головна
Інститут
Наукові відділи
Проекти
Розробки
Освіта
Новини
Журнал
Пошта
Ви тут:
Головна
Наукові відділи
Publications
dep08
dep-08-before
The Nanometer Scaled Defects Induces with the Dislocation Motion in II-VI Insulated Semiconductors
Логін
Пароль
Запам'ятати мене
Забули свій пароль?
Забули свій логін?
Деталі
Перегляди: 7434
Babentsov V.N., Boyko V.A., Kolomys A.F., Shepelski G.A., Strelchuk V.V, Tarbaev N.I. // Advanced Materials Research.- 2011.- V. 276.- p. 185-190.