Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України
Пошук
Навігаційний перегляд пошуку
Навігація
Головна
Інститут
Наукові відділи
Проекти
Розробки
Освіта
Новини
Журнал
Пошта
Ви тут:
Головна
Наукові відділи
Publications
dep08
dep-08-before
Gate control of junction impact ionization avalanche in SOI MOSFETs: theoretical model
Логін
Пароль
Запам'ятати мене
Забули свій пароль?
Забули свій логін?
Деталі
Перегляди: 6992
V. Dobrovolsky, F. Sizov, S. Cristoloveanu // 6st SemOI WORKSHOP & 1st Ukrainian-French SOI Seminar. Abstracts, p.42-43, Kiev, 25-29, October (2010)