Preparation and properties of heavily doped and strongly compensated Ge films on GaAs

Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України

Ви тут: Головна

V.F. Mitin // Journal of Applied Physics, 107, 033720. (2010)

Навігаційний перегляд пошуку