- Деталі
- Перегляди: 6044
T.M. Nazarova ,V.S. Lysenko, A.N. Nazarov, V.M. Tomashik, D. Flandre // Фізика і хімія твердого тіла, Т. 12, № 2, С. 521-525, (2011)
 |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України
|
Пошук
Навігаційний перегляд пошуку
Навігація
Ви тут: Головна 
Наукові відділи Publications dep13 dep-13-before Hydrogen as a source of high-temperature charge instability in silicon-on-insulator structures and field effect transistors
Наукові відділи Publications dep13 dep-13-before Hydrogen as a source of high-temperature charge instability in silicon-on-insulator structures and field effect transistors