Вплив термічної активації носіїв заряду на температурні залежності темнового струму, фотопровідність та фотолюмінесценцію гетероструктур In0.4Ga0.6As/GaAs з квантовими точками

V.E. Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics NAS of Ukraine

National Academy of Sciences of Ukraine

Search

You are here: Home

Research divisions

Publications

lab06-1

lab06-1-before

Вплив термічної активації носіїв заряду на температурні залежності темнового струму, фотопровідність та фотолюмінесценцію гетероструктур In0.4Ga0.6As/GaAs з квантовими точками

Details: Hits: 4420

О.В. Вакуленко, С.Л. Головинський, С.В. Кондратенко, I.А. Гринь, В.В. Стрельчук // Укр. фiз. журн. 56, №4, 384-391 (2011).

Search

Nav view search

Navigation