Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Національна академія наук України
Пошук
Навігаційний перегляд пошуку
Навігація
Головна
Інститут
Наукові відділи
Проекти
Розробки
Освіта
Новини
Журнал
Пошта
Фізики напівпровідникових матеріалів і структур та їх діагностики
Фізики поверхні, оптоелектроніки і фотоніки
ТГц- і ІЧ- функціональної напівпровідникової мікро- та нанофотоелектроніки
Фізики і технології сенсорних систем
Відділ ростових технологій напівпровідникових матеріалів і структур
Відділ фізики і технології напівпровідникових структур та сенсорних систем
Відділ фізико-технологічних основ сенсорного матеріалознавства
Відділ функціональних перетворювачів для сенсорної техніки
Перспективні та інноваційні розробки
Деталі
Перегляди: 17483
A.G. Golenkov, F.F. Sizov, "Performance limits of terahertz zero biased rectifying detectors for direct detection" / Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, V. 19, N 2. P. 129-138, 2016.