Для площин дифракції (110) та (1-10) для структури InxGa1-x As/GaAs получені мапи з різним вмістом індію. Виміряні мапи виявляють гострі піки при qx = 0, які позначені SL0 та SL±1. Горизонтальні ширини цих максимумів визначаються роздільною здатністю дифрактометра і представляють когерентний розподіл інтенсивності, який залежить тільки від латерально усередненої структури зразка. Слід відмітити, що для площини дифракції (110) відмічається уширення цих макси-мумів, а також смуг інтерференції між ними. Це свідчить про латеральні розвороти гратки вздовж певних напрямків. Найбільш ймовірно, що вони є результатом латеральних модуляцій складу вздовж напрямку [110] і таким чином їх утворення відбувається вже при вмісті індію в квантовій ямі порядку 0.25.

Злиток германію вагою 1,3 кг, одержаний у процесі глибокої очистки за розробленою технологією.

Показано, що при рості на AlN - темплейті структури релаксують за рахунок утворення дислокацій, густина яких на порядок більше, ніж для структур, що ростуть на GaN - темплейті.

.