Деталі

Перегляди: 3566

Акустический метод определения порога плавления полупроводников при импульсном лазерном облучении

№17 Отдел проблем дефектообразования и неравновесных процессов в сложных полупроводниках
А.И. Власенко, В.П. Велещук, А. Байдуллаева, О.В. Ляшенко

a)	b)

 Рис.1. Зависимость амплитуды акустического сигнала от интенсивности импульса рубинового (а) и неодимового (б) лазера. Облучение кристалла CdTe (111) в одну область (1) и в разные области (2). Облучение кристалла GaAs (111) в одну область (3) и в разные области (4). 5 - линейная аппроксимация.

    Назначение.
    Данный метод является пассивным ультразвуковым методом, который позволяет по зависимости амплитуды (или энергии) акустического сигнала от интенсивности лазерного импульса А(І) (рис.1) определять в полупроводниках и полупроводниковых структурах порог плавления Іmelt при импульсном лазерном облучении как в области фундаментального поглощения, так и в области прозрачности.
    Сущность метода состоит в выявлении начала нелинейности на зависимости А(І) при импульсном лазерном облучении (рис.1), которое соответствует порогу плавления и объясняется суммированием амплитуд акустического давления от резкого изменения объема при плавлении, акустической эмиссии при плавлении - кристаллизации и трещинообразовании, от реактивного действия паров из расплава, от расширения облака горячей плазмы.

    Основные технические характеристики.
Регистрация сигналов АЭ может осуществляться пьезодатчиками из комплекта двуканального акустоэмиссионного прибора АФ-15 в полосах частот 20-200 кГц, 200-500 кГц, 500-1000 кГц и 200-2000 кГц.
Усиление и предыдущая обработка электрических сигналов АЭ может осуществляться АФ- 15 или с помощью аналогичного устройства и усилителя. Дальнейшая регистрация и обработка осуществляется осциллографом или компьютером.